applicationsthe primary use of this pulse generator is to simulate actual operating conditions without requiring a live source and detector combination. such parameters as frequency response, linearity, and discrimination levels may easily be measured without the inconvenience of dim oscilloscope display or long accumulation times. proper operation of baseline restorer circuits may be quickly verified. scalers and ratemeters may be checked for satisfactory pulse recognition under random pulse conditions.
the negligible amplitude shift with frequency of the pulser makes the standard frequency test using a live source and a low rate precision pulse generator unnecessary.
although most test applications will find the pulser connected to the test input of a charge sensitive preamplifier, it is possible to simulate the preamp itself with the pulse generator. the pulser is connected directly to the main amplifier and the preamp decay time constant is matched by proper se-lection of the pulser fall time. set up of a system containing an inaccessible preamp can then be accomplished with ease.
for accurate simulation of detector pulse shapes, the rise time control should be adjusted to match 2.2 times the detector decay time constant. for example, if a pulse shape analyzer working with csi-nai phoswich is to be tested, the pulse generator rise time should be set to 0.5 μsec rise time for the nai signal, and 2 μsec for the csi signal. intermediate signals are best obtained by mixing the outputs from two synchronized generators, 2 μsec rise time. by varying the amplitude ratio of the two generators, intermediate values of rise time are generated.
solid state and plastic detectors have decay constants far shorter than the adjustment range of this generator. however, the shaping time constants used in virtually all systems are greater than the 100 nsec minimum rise time. the ballistic deficit formula predicts the reduction in amplitude, b. d., for a shaping system containing identical time constants for all shaping.
b.d. = (4)
where n = the number of integrations with time, constant =rc, and tr is the rise time of the preamp output. the preamp output rise time may be calculated from:
(5)
where tp is the pulser rise time and ti is the rise time of the preamp in response to a unit step of zero rise time. the ballistic deficit for a preamplifier with a ti of 10 nsec used with a shaping amplifier6 with 1 μsec time constants would be only 0.02% when used with this pulse generator. therefore, the ballistic deficit caused by this pulser may be ignored for most applications.
the external reference allows remote programming of the amplitude of the pulser, and the external trigger permits control of the output pulse rate. the latter provision is especially convenient if the average random rate needs to be controlled and an external random clock is unavailable. by placing the pulser in the random mode, a periodic waveform at the external trigger input will control the average random rate.
D-4檢測(cè)器利用穩(wěn)定低壓直流電流在氦氣中脈沖放電作為電離源,尾吹放電氦氣在流經(jīng)放電區(qū)域時(shí)被激發(fā)為亞穩(wěn)態(tài)氦。目標(biāo)樣品從色譜柱洗脫后被載氣帶入檢測(cè)器,樣品分子或原子被亞穩(wěn)態(tài)氦分子碰撞電離產(chǎn)生電子。放射的電子在偏壓極電場(chǎng)的作用下被收集極捕獲形成電壓信號(hào),這個(gè)信號(hào)經(jīng)過(guò)放大處理后即為該樣品的色譜峰。
在電子捕獲模式,PDD為選擇檢測(cè)器來(lái)監(jiān)控高電子親和力的化合物如氟里昂、含氯殺蟲(chóng)劑和其他鹵素化合物。對(duì)于此類(lèi)化合物,檢測(cè)限(MDQ)為“femtogram”(10-5)或皮克(10-12)級(jí)。PDD與常規(guī)放射ECD的靈敏度和響應(yīng)特征相類(lèi)似,且可在高達(dá)400℃的溫度下操作。在此模式下工作,He和CH4從柱出口剛好逆流引入。
在氦氣光化電離模式,PDD為通用的、非破壞性的、高靈敏度檢測(cè)器。對(duì)無(wú)機(jī)和有機(jī)化合物均在很寬的范圍內(nèi)呈線性,對(duì)fixed氣體的反應(yīng)為正電(穩(wěn)定電流增加),檢測(cè)限MDQ低至ppb級(jí)。
在氦氣光化電離模式下的PDD為石油化學(xué)或煉油廠環(huán)境的火焰離子檢測(cè)器一個(gè)極好的替代產(chǎn)品,而它火焰和氫氣的使用存在問(wèn)題。另外,當(dāng)氦氣放電氣體與適當(dāng)?shù)亩栊詺怏w如氬、氪或氙(決定于期望的截止點(diǎn))混合時(shí),PDD可作為特殊光化電離檢測(cè)器用于脂肪族化合物、芳香族、胺以及其他物質(zhì)選擇檢測(cè)。
D4檢測(cè)器本質(zhì)上是高靈敏度的非破壞性檢測(cè)器(0.01-0.1%電離)。檢測(cè)器對(duì)有機(jī)物的響應(yīng)線性范圍高達(dá)105,最小檢測(cè)限低至10-12g。對(duì)特定氣體的響應(yīng)高(駐流增加),最小檢測(cè)濃度達(dá)ppbv。
D4檢測(cè)器是通用型檢測(cè)器,除氖氣(電離能21.6eV)外所有物質(zhì)均有響應(yīng)。由于氖氣的電離能接近亞穩(wěn)態(tài)He*原子的電離能(19.8eV)而遠(yuǎn)大于雙原子氦He2光譜中的光子能,氖的電離效率比較低,因此檢測(cè)器響應(yīng)十分有限。
在氦氣中摻雜一些其他氣體,比如檢測(cè)有機(jī)物質(zhì)時(shí)加氬、檢測(cè)不飽和成分時(shí)加氪、檢測(cè)多環(huán)芳香烴時(shí)加入氙等,D4檢測(cè)器就可以選擇性光電離檢測(cè)器的模式工作。
PDD D-4型—氦氣光化電離
描述
在氫氣光化電離模式下痕量分析檢測(cè)器
檢測(cè)器專(zhuān)門(mén)用于 110VAC貨號(hào) 230VAC貨號(hào)
HP 5890 | | |
Shimadzu GC 14* | | |
Shimadzu GC 14* | | |
Thermo Trace GC* | | |
Varian 3800* | | |
*使用已有的GC FID靜電計(jì) | | |
用于所有其他GC | | |
主要參數(shù)
1.試樣大小:¢30mm
2.試樣厚度:0.02-10mm
3.導(dǎo)熱系數(shù)范圍:
0.001-500W/MK,
4.式樣形狀可以是顆粒,片狀等。
5.可同時(shí)測(cè)1-5個(gè)樣品。
6.加熱方式:激光或脈沖電流。
7.精度:±2%
8.測(cè)試環(huán)境工況:
常溫-1600℃,-100℃---600℃(可選)DMF-Z型電磁脈沖閥的詳細(xì)資料: |
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SLPM型磁保持脈沖電磁閥
規(guī)格型號(hào) | SLPM-10 | SLPM-15 | SLPM-20 | SLPM-25 | SLPM-35 | SLPM-40 | SLPM-50 |
長(zhǎng)(A) | 66.5 | 66.5 | 75 | 96 | 131 | 131 | 165 |
寬(B) | 48 | 48 | 58 | 70 | 96 | 96 | 120 |
高(C) | 82.5 | 82.5 | 88 | 101 | 116 | 116 | 142 |
接管螺紋(D) | 3/8" | 1/2" | 3/4" | 1" | 11/4" | 11/2" | 2" |
注: 具體技術(shù)參數(shù)請(qǐng)電函聯(lián)系
SLPM型磁保持脈沖電磁閥結(jié)構(gòu)規(guī)格參數(shù)
規(guī)格型號(hào) | SLPM-10 | SLPM-15 | SLPM-20 | SLPM-25 | SLPM-35 | SLPM-40 | SLPM-50 |
接管口徑 | 3/8" | 1/2" | 3/4" | 1" | 11/4" | 11/2" | 2" |
使用流體 | 水、過(guò)濾空氣(給油或不給油)、液體、輕油 | ||||||
動(dòng)作方式 | 先導(dǎo)式 | ||||||
型式 | 常閉式 | ||||||
流量孔徑 | 13mm | 13mm | 20mm | 25mm | 35mm | 40mm | 50mm |
CV值 | 4.5 | 4.5 | 7.6 | 12 | 22 | 30 | 48 |
使用壓力 | 0.5~10kgf/cm2 | ||||||
最大壓力 | 15kgf/cm2 | ||||||
膜片形式 | 標(biāo)準(zhǔn):NBR 選購(gòu):VITON,EPDM | ||||||
溫度范圍 | 0℃~60℃ | ||||||
使用電壓范圍 | 脈沖6~24V DC 其它電壓可定制 | ||||||
脈寬 | 60~80ms | ||||||
本體本質(zhì) | 鍛鋼 |
產(chǎn)品在大型項(xiàng)目中應(yīng)用示例 | 青藏鐵路 GPT-7000i系列革命性的在全站儀上安裝了數(shù)碼相機(jī),實(shí)現(xiàn)了全站儀測(cè)量和數(shù)字?jǐn)z影測(cè)量的結(jié)合,在青藏鐵路建設(shè)項(xiàng)目中得到了很好的應(yīng)用。 |
GPT-7000I技術(shù)指標(biāo) |
儀器型號(hào) | GPT-7001i | GPT-7002i | GPT-7003i | GPT-7005i | 儀器型號(hào) | GPT-7001i | GPT-7002i | GPT-7003i | GPT-7005i |
望遠(yuǎn)鏡 | 計(jì)算機(jī)單元 | ||||||||
長(zhǎng)度 | 150mm | 操作系統(tǒng) | Microsoft@ Windows@CE.NET 4.2 | ||||||
物鏡孔徑 | 45mm(EDM50mm) | 微處理器 | Intel PXA255 400MHz | ||||||
放大倍率 | 30× | 存儲(chǔ)器 | |||||||
成像 | 正像 | RAM | 128MB | ||||||
視場(chǎng)角 | 1°30′ | ROM | 256MB(Flash Disk)一部分內(nèi)存用于預(yù)裝程序和數(shù)據(jù)管理功能 | ||||||
分辨率 | 2.8″ | 顯示屏 | 320×240(QVGA)點(diǎn)陣圖形LCD TFT彩屏 含背景光和觸摸屏功能 | ||||||
最小視距 | 2.0m | 雙面 | 單面 | ||||||
距離測(cè)量 | 存儲(chǔ)卡系統(tǒng) | 小型通用存儲(chǔ)卡Compact Flash (Tm)Card (Ⅰ/Ⅱ型) | |||||||
測(cè)程 無(wú)棱鏡模式 | (目標(biāo):白色表面) 1.5m~250m | 接口 | |||||||
在低亮度且無(wú)陽(yáng)光 | I/O | RS-232C(6針)串口 USB(B型)適用于ActiveSync | |||||||
照耀在目標(biāo)上 | 其他 | ||||||||
有棱鏡模式 | 3,000m | 儀器高度 | 182mm | ||||||
單棱鏡(條件1) | 水準(zhǔn)器靈敏度 | ||||||||
條件1:薄霧、能見(jiàn)度約20km,有直射陽(yáng)光 | 圓水準(zhǔn)器 | 10′/2mm | |||||||
測(cè)量精度 無(wú)棱鏡模式 | (漫反射表面) | 長(zhǎng)水準(zhǔn)器 | 30″/2mm | ||||||
1.5m以上 | ±(5mm)m.s.e. | 光學(xué)對(duì)中器 | |||||||
有棱鏡模式 | 放大倍率 | 3X | |||||||
25m以上 | ±(2mm+2ppm×D﹡)m.s.e. | 調(diào)焦范圍 | 0.5m~∞ | ||||||
最小讀數(shù) | 成像 | 正像 | |||||||
超精測(cè)模式 | 0.2mm | 定線點(diǎn)引導(dǎo)光 | 有 | ||||||
精測(cè)模式 | 1mm | 儀器尺寸 | |||||||
粗測(cè)模式 | 1mm | GPT-7001i/GPT-7002i/GPT-7003i/GPT-7005i | 343mm(高)×245mm(寬)×219mm(長(zhǎng)) | ||||||
跟蹤模式 | 10mm | 343mm(高)×245mm(寬)×199mm(長(zhǎng)) | |||||||
測(cè)距顯示 | 11位,最大顯示范圍±9999999.9999 | 重量?jī)x器(帶電池) | |||||||
測(cè)量時(shí)間 | 耐用性 | ||||||||
超精測(cè)模式 | 0.2mm:約3.0秒(4.0秒) | 防塵/防水等級(jí) | IP54(基于IEC60529標(biāo)準(zhǔn)) | ||||||
精測(cè)模式 | 1mm:約1.2秒(3.0秒) | 工作環(huán)境溫度 | -20℃~+50℃ | ||||||
粗測(cè)模式 | 1mm:約0.5秒(2.5秒) | 激光等級(jí) | 1級(jí) 用于距離測(cè)量 | ||||||
跟蹤模式 | 10mm:約0.3秒(2.5秒) | 2級(jí) 用于激光指向 | |||||||
氣象改正范圍 | -999.9ppm~+999.9ppm(步長(zhǎng)0.1ppm) | 機(jī)載鋰電池BT-61Q(該電池不含汞) | |||||||
棱鏡常數(shù)改正范圍 | -99.9ppm~+99.9ppm(步長(zhǎng)0.1ppm) | 輸出電壓 | DC7.4V | ||||||
角度測(cè)量 | 容量 | 4400mAh | |||||||
方法 | 絕對(duì)法讀數(shù) | 在+20℃時(shí)最長(zhǎng)使用時(shí)間 | |||||||
水平 | 對(duì)徑 | 距離測(cè)量與角度測(cè)量 | 約35小時(shí) | ||||||
垂直 | 對(duì)徑 | 僅角度測(cè)量 | 約6小時(shí) | ||||||
最小讀數(shù) | 0.5″/1″ | 1″/5″ | 重量 | 0.2Kg | |||||
精度﹡﹡ | 1″ | 2″ | 3″ | 5″ | 電池充電器BC-30 | ||||
度盤(pán)直徑 | 71mm | 輸入電壓 | AC100~240V | ||||||
傾斜補(bǔ)償器 | 頻率 | 50/60Hz | |||||||
類(lèi)型 | 雙軸 | 充電時(shí)間(在+20℃時(shí)) | 4小時(shí) | ||||||
方法 | 液體式 | 工, 作環(huán)境溫度 | -10℃~+40℃ | ||||||
補(bǔ)償范圍 | ±4′ | 重量 | 0.15Kg | ||||||
改正單位 | 1″ |
數(shù)字式脈沖渦旋振蕩器
可選件和特點(diǎn)● 采樣頻率高達(dá)2Hz● 低于厘米/秒級(jí)的流速精度● 的換能器設(shè)計(jì)● 可測(cè)水位和波浪● 用于顆粒研究的聲波反向散射● 每層測(cè)量單元小至1.6厘米● 可集成外置傳感器
流速(脈沖相干模式)● 測(cè)量范圍:±2.0米/秒,0.5米剖面范圍 (實(shí)際流速范圍和最大剖面范圍取決于用戶定義的參數(shù),更詳細(xì)的內(nèi)容, 請(qǐng)與SonTek公司聯(lián)系)● 度:所測(cè)流速的±1%,±0.1厘米/秒● 水深分辨率:1.6厘米● 流速分辨率:0.1厘米/秒
流速(標(biāo)準(zhǔn)ADP模式)● 測(cè)量范圍:±10米/秒● 度:所測(cè)流速的±1%,±0.5厘米/秒● 最大剖面范圍:15至25米● 流速分辨率:0.1厘米/秒
電源(連續(xù)工作)● 12至24伏 直流● 工作模式:1.0至2.0瓦 ● 睡眠模式:小于1毫瓦● 電池總?cè)萘浚?℃,2組堿性電池):1200瓦時(shí)
羅盤(pán)/傾斜 傳感器● 分辨率:航向、橫搖、縱搖 0.1°● 度:航向 ±2°● 度:橫搖、縱搖 ±1°
環(huán)境規(guī)格性能● 工作溫度: -5℃至+45℃● 存儲(chǔ)溫度:-10℃至+60℃● 耐壓:水下100米(超過(guò)100米水深請(qǐng)聯(lián)系我公司)
標(biāo)準(zhǔn)配置和性能 ● 采樣頻率高達(dá)2Hz● 功能強(qiáng)大的數(shù)據(jù)信號(hào)處理器● 8位A/D轉(zhuǎn)換● 脈沖相干和標(biāo)準(zhǔn)ADP工作模式● 為減小旁瓣而設(shè)計(jì)的帶屏蔽功能的換能器● 優(yōu)化過(guò)的換能器傾斜角● 內(nèi)凹的防水接口● 多達(dá)100個(gè)測(cè)量單元● 水下使用的機(jī)身、85MB存儲(chǔ)器、電池和DSP電路
可選硬件● 防濺系統(tǒng)(DSP位于防濺箱內(nèi)而不是水下機(jī)身)● 內(nèi)置存儲(chǔ)器可升級(jí)至170或340MB● 內(nèi)置羅盤(pán)/2維傾斜傳感器● 內(nèi)置應(yīng)變式壓力傳感器(度:0.1%)● 內(nèi)置共振式壓力傳感器(度:0.01%)● 安裝夾