采用新型防腐材料,外包覆聚四氟乙烯F46,適合于石油化工各種腐蝕性介質(zhì)中測(cè)溫。是氯堿行業(yè)的專用測(cè)溫儀表。
2、主要技術(shù)參數(shù)
電氣出口:M20x1.5,NPTI1/2
熱響應(yīng)時(shí)間:≤8S
防護(hù)等級(jí):IP65
隔爆等級(jí):d‖BT4.d‖CT5濟(jì)南創(chuàng)銳儀表有限公司是集科研、開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)、貿(mào)易和服務(wù)的新型企業(yè),掌握著國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的熱電偶、熱電阻傳感技術(shù)和工業(yè)自動(dòng)控制技術(shù),是國(guó)內(nèi)知名的傳感器及自動(dòng)化控制、智能儀器儀表制造商,10多年來(lái)研究開(kāi)發(fā)的產(chǎn)品中溫度傳感器已成功為真空爐、滲碳爐、銅/鋁熔煉爐用溫度傳感器實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化。
創(chuàng)銳儀表是全國(guó)儀表協(xié)會(huì)會(huì)員,中國(guó)石化設(shè)備資源市場(chǎng)成員廠,是本行業(yè)的后起之秀,擁有一支實(shí)力超凡技術(shù)專家和一批訓(xùn)練有素的技術(shù)隊(duì)伍。公司視質(zhì)量為生命,以信譽(yù)求生存,以科技促發(fā)展,以優(yōu)質(zhì)的品牌為用戶服務(wù),資深的銷售和應(yīng)用工程師,隨時(shí)為您提供廣泛而專業(yè)服務(wù),并一站式解決您的各種問(wèn)題。
德國(guó)賀利氏(Heraeus) SMD0805 SMD0603 SMD1206 原裝進(jìn)口貼片鉑電阻B級(jí)精度為:正負(fù)0.2℃ ~ 0.3℃
·–70℃-350℃
·100或1000歐,DIN鉑電阻
·1/3 DIN,A級(jí),B級(jí)
SMD系列是大規(guī)模使用的薄膜元器件。這些元器件具有特別小的尺寸,長(zhǎng)期穩(wěn)定性很好,寬溫度范圍內(nèi)精度很高。用于汽車工業(yè)、白色家電,HVAC,食品加工業(yè)、醫(yī)療行業(yè)。
技術(shù)指標(biāo):尺寸大。篠MD0805 SMD0603 SMD1206
溫度范圍:-70℃ - +350℃長(zhǎng)期穩(wěn)定性:
R0漂移小于等于0.04% (500℃,1000小時(shí)后)
抗振動(dòng)等級(jí):
至少40g加速度(10-2000Hz)
絕緣電阻:
>100MΩ,20℃時(shí)
>2MΩ,500℃時(shí)
抗沖擊等級(jí):
至少100g加速度(波動(dòng)8.5mS后)
自熱系數(shù):
0.4K/mW(0℃時(shí))
響應(yīng)時(shí)間:
水@0.4m/s t0.5=0.05S t0.9=0.15S
空氣@2m/s t0.5=3.0S t0.9=10.0S
環(huán)境條件:
未保護(hù)時(shí)只能用于干燥環(huán)境
測(cè)量電流:PT100 0.3-最大1.0 mA
PT1000 0.1至0.3mA
德國(guó)賀利氏(Heraeus) SMD0805 SMD0603 SMD1206 原裝進(jìn)口貼片鉑電阻B級(jí)精度為:正負(fù)0.2℃ ~ 0.3℃
·–70℃-350℃
·100或1000歐,DIN鉑電阻
·1/3 DIN,A級(jí),B級(jí)
SMD系列是大規(guī)模使用的薄膜元器件。這些元器件具有特別小的尺寸,長(zhǎng)期穩(wěn)定性很好,寬溫度范圍內(nèi)精度很高。用于汽車工業(yè)、白色家電,HVAC,食品加工業(yè)、醫(yī)療行業(yè)。
技術(shù)指標(biāo):尺寸大小:SMD0805 SMD0603 SMD1206
溫度范圍:-70℃ - +350℃長(zhǎng)期穩(wěn)定性:
R0漂移小于等于0.04% (500℃,1000小時(shí)后)
抗振動(dòng)等級(jí):
至少40g加速度(10-2000Hz)
絕緣電阻:
>100MΩ,20℃時(shí)
>2MΩ,500℃時(shí)
抗沖擊等級(jí):
至少100g加速度(波動(dòng)8.5mS后)
自熱系數(shù):
0.4K/mW(0℃時(shí))
響應(yīng)時(shí)間:
水@0.4m/s t0.5=0.05S t0.9=0.15S
空氣@2m/s t0.5=3.0S t0.9=10.0S
環(huán)境條件:
未保護(hù)時(shí)只能用于干燥環(huán)境
測(cè)量電流:PT100 0.3-最大1.0 mA
PT1000 0.1至0.3mA
1. 測(cè)溫范圍、允差
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2.熱響應(yīng)時(shí)間
在溫度出現(xiàn)階躍變化時(shí),熱電阻的電阻值變化至相當(dāng)于該階躍變化的50%,所需要的時(shí)間稱為熱響應(yīng)時(shí)間,用t0.5表示。
3.自熱影響
鉑電阻允許通過(guò)電流1mA,最大測(cè)量電流為5mA,由此產(chǎn)生的升溫不大于0.3℃。
4.電阻溫度系數(shù)(α)與標(biāo)稱值的偏差
| | | |
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5.絕緣電阻
當(dāng)周圍空氣溫度15-35℃和相對(duì)濕度小于80%時(shí)熱電阻絕緣電阻不小于100MΩ。
薄膜鉑電阻元件
、 概述
CRZ系列薄膜鉑熱電阻元件是把金屬鉑研制成粉漿,采用的激光噴濺薄膜技術(shù)及光刻法和干燥蝕刻法把附著在陶瓷基片上形成膜,引線經(jīng)過(guò)激光調(diào)阻制成,自動(dòng)的生產(chǎn)程序了產(chǎn)品符合IEC標(biāo)準(zhǔn)。
二、 技術(shù)特點(diǎn)
1. 薄膜鉑熱電阻元件用陶瓷和鉑制成,因而在高溫下能夠保持優(yōu)良的穩(wěn)定性,適合在-50~400℃的溫度下使用。
2. 鉑薄膜通過(guò)激光噴濺在陶瓷表層,因而它具有良好的防震和防沖擊性能。
3. 薄膜表面蓋以陶瓷,因而元件能夠承受高壓,并具有良好的絕緣性。
4. 引線材料為鎳鍍金和純鈀兩種。
5. 規(guī)格:
| | | | | | |
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| | | | | | |
| | | | | |
6. 精度:
等級(jí) | α | 0℃時(shí)的電阻值(Ω) | 允許偏差(Ω) |
A | 0.003851 | 100.00 | ±0.150+0.002t |
B | 0.003851 | 100.00 | ±0.30+0.005t |
1. 測(cè)溫范圍、允差
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2.熱響應(yīng)時(shí)間
在溫度出現(xiàn)階躍變化時(shí),熱電阻的電阻值變化至相當(dāng)于該階躍變化的50%,所需要的時(shí)間稱為熱響應(yīng)時(shí)間,用t0.5表示。
3.自熱影響
鉑電阻允許通過(guò)電流1mA,最大測(cè)量電流為5mA,由此產(chǎn)生的升溫不大于0.3℃。
4.電阻溫度系數(shù)(α)與標(biāo)稱值的偏差
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5.絕緣電阻
當(dāng)周圍空氣溫度15-35℃和相對(duì)濕度小于80%時(shí)熱電阻絕緣電阻不小于100MΩ。
薄膜鉑電阻元件
、 概述
CRZ系列薄膜鉑熱電阻元件是把金屬鉑研制成粉漿,采用的激光噴濺薄膜技術(shù)及光刻法和干燥蝕刻法把附著在陶瓷基片上形成膜,引線經(jīng)過(guò)激光調(diào)阻制成,自動(dòng)的生產(chǎn)程序了產(chǎn)品符合IEC標(biāo)準(zhǔn)。
二、 技術(shù)特點(diǎn)
1. 薄膜鉑熱電阻元件用陶瓷和鉑制成,因而在高溫下能夠保持優(yōu)良的穩(wěn)定性,適合在-50~400℃的溫度下使用。
2. 鉑薄膜通過(guò)激光噴濺在陶瓷表層,因而它具有良好的防震和防沖擊性能。
3. 薄膜表面蓋以陶瓷,因而元件能夠承受高壓,并具有良好的絕緣性。
4. 引線材料為鎳鍍金和純鈀兩種。
5. 規(guī)格:
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6. 精度:
等級(jí) | α | 0℃時(shí)的電阻值(Ω) | 允許偏差(Ω) |
A | 0.003851 | 100.00 | ±0.150+0.002t |
B | 0.003851 | 100.00 | ±0.30+0.005t |
1. 測(cè)溫范圍、允差
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2.熱響應(yīng)時(shí)間
在溫度出現(xiàn)階躍變化時(shí),熱電阻的電阻值變化至相當(dāng)于該階躍變化的50%,所需要的時(shí)間稱為熱響應(yīng)時(shí)間,用t0.5表示。
3.自熱影響
鉑電阻允許通過(guò)電流1mA,最大測(cè)量電流為5mA,由此產(chǎn)生的升溫不大于0.3℃。
4.電阻溫度系數(shù)(α)與標(biāo)稱值的偏差
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5.絕緣電阻
當(dāng)周圍空氣溫度15-35℃和相對(duì)濕度小于80%時(shí)熱電阻絕緣電阻不小于100MΩ。
薄膜鉑電阻元件
、 概述
CRZ系列薄膜鉑熱電阻元件是把金屬鉑研制成粉漿,采用的激光噴濺薄膜技術(shù)及光刻法和干燥蝕刻法把附著在陶瓷基片上形成膜,引線經(jīng)過(guò)激光調(diào)阻制成,自動(dòng)的生產(chǎn)程序了產(chǎn)品符合IEC標(biāo)準(zhǔn)。
二、 技術(shù)特點(diǎn)
1. 薄膜鉑熱電阻元件用陶瓷和鉑制成,因而在高溫下能夠保持優(yōu)良的穩(wěn)定性,適合在-50~400℃的溫度下使用。
2. 鉑薄膜通過(guò)激光噴濺在陶瓷表層,因而它具有良好的防震和防沖擊性能。
3. 薄膜表面蓋以陶瓷,因而元件能夠承受高壓,并具有良好的絕緣性。
4. 引線材料為鎳鍍金和純鈀兩種。
5. 規(guī)格:
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6. 精度:
等級(jí) | α | 0℃時(shí)的電阻值(Ω) | 允許偏差(Ω) |
A | 0.003851 | 100.00 | ±0.150+0.002t |
B | 0.003851 | 100.00 | ±0.30+0.005t |
1. 測(cè)溫范圍、允差
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2.熱響應(yīng)時(shí)間
在溫度出現(xiàn)階躍變化時(shí),熱電阻的電阻值變化至相當(dāng)于該階躍變化的50%,所需要的時(shí)間稱為熱響應(yīng)時(shí)間,用t0.5表示。
3.自熱影響
鉑電阻允許通過(guò)電流1mA,最大測(cè)量電流為5mA,由此產(chǎn)生的升溫不大于0.3℃。
4.電阻溫度系數(shù)(α)與標(biāo)稱值的偏差
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5.絕緣電阻
當(dāng)周圍空氣溫度15-35℃和相對(duì)濕度小于80%時(shí)熱電阻絕緣電阻不小于100MΩ。
薄膜鉑電阻元件
、 概述
CRZ系列薄膜鉑熱電阻元件是把金屬鉑研制成粉漿,采用的激光噴濺薄膜技術(shù)及光刻法和干燥蝕刻法把附著在陶瓷基片上形成膜,引線經(jīng)過(guò)激光調(diào)阻制成,自動(dòng)的生產(chǎn)程序了產(chǎn)品符合IEC標(biāo)準(zhǔn)。
二、 技術(shù)特點(diǎn)
1. 薄膜鉑熱電阻元件用陶瓷和鉑制成,因而在高溫下能夠保持優(yōu)良的穩(wěn)定性,適合在-50~400℃的溫度下使用。
2. 鉑薄膜通過(guò)激光噴濺在陶瓷表層,因而它具有良好的防震和防沖擊性能。
3. 薄膜表面蓋以陶瓷,因而元件能夠承受高壓,并具有良好的絕緣性。
4. 引線材料為鎳鍍金和純鈀兩種。
5. 規(guī)格:
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6. 精度:
等級(jí) | α | 0℃時(shí)的電阻值(Ω) | 允許偏差(Ω) |
A | 0.003851 | 100.00 | ±0.150+0.002t |
B | 0.003851 | 100.00 | ±0.30+0.005t |
進(jìn)口UST薄膜熱電阻 | |||||
加入時(shí)間:2008-7-18 13:23:03 | |||||
∷產(chǎn)品簡(jiǎn)介∷ | |||||
德國(guó)進(jìn)口UST薄膜鉑熱電阻芯片 鉑金薄膜鉑熱電阻芯片是一個(gè)劃時(shí)代溫度傳感器發(fā)展的產(chǎn)物。采用進(jìn)高科技方法,像激光噴鍍,顯微照相和平版印刷光刻技術(shù)。而電阻值則以數(shù)字修整方式作出微調(diào),因而能提供最精確的電阻值。 1: 技術(shù)性能描述 * 產(chǎn)品性能符合IEC751-1995和JIS1604有關(guān)標(biāo)準(zhǔn), * 溫度系數(shù): R100/R0=1.3851 * 經(jīng)過(guò)嚴(yán)格質(zhì)撿并注明每只元件在攝氏0 ℃時(shí)的阻值。 * 薄膜鉑熱電阻元件用陶瓷和鉑特制而成,在高溫下能夠保持優(yōu)良的穩(wěn)定性,適合在 -50 ℃ ∽ 4OO ℃ 的溫度下使用. * 鉑薄膜通過(guò)激光噴濺在陶瓷表層,因而薄膜鉑熱電阻元件具有良好的防振動(dòng)和防沖擊性能。 * 薄膜表面覆蓋以陶瓷,因此元件能夠承受高電壓并有良好的絕緣性。 * 鉑熱電阻芯片除了提供 Pt100Ω的外,尚有Pt500和 Pt1000Ω的元件。 * 精度:除了提供A級(jí)和B 級(jí)外,尚有更精確的1/3B級(jí)供用戶選用。 2: CRZ系列產(chǎn)品規(guī)格 * 溫度使用范圍: -50 ℃ ∽ 4OO ℃ . * 精度:A級(jí),B級(jí),,尚有更精確的1/3B級(jí)。 * 規(guī)定電流(mA): 2mA(最大) * 引線材料: 鈀金合金。 *薄膜膜片鉑熱電阻芯片廣泛應(yīng)用于世界各地儀器儀表制造業(yè),用于制造各種溫度傳感器。 * 特別是對(duì)溫度測(cè)量精度要求比較高的科研領(lǐng)域和工業(yè)領(lǐng)域更適合。 * 廣泛應(yīng)用于世界各地戶型和熱電聯(lián)產(chǎn)熱量表配對(duì)溫度傳感器的制造。 * 應(yīng)用于中央空調(diào)的溫度控制。 ) * 其它測(cè)溫控制領(lǐng)域。(PH值溫度補(bǔ)償?shù)龋?/p>
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