WZP-PT100薄膜鉑熱電阻元件01
薄膜鉑電阻元件一、 概述 CRZ系列薄膜鉑熱電阻元件是把金屬鉑研制成粉漿，采用的激光噴濺薄膜技術(shù)及光刻法和干燥蝕刻法把附著在陶瓷基片上形成膜，引線經(jīng)過(guò)激光調(diào)阻制成，自動(dòng)的生產(chǎn)程序了產(chǎn)品符合IEC標(biāo)準(zhǔn)。二、 技術(shù)特點(diǎn)1． 薄膜鉑熱電阻元件用陶瓷和鉑制成，因而在高溫下能夠保持優(yōu)良的穩(wěn)定性，適合在-50～400℃的溫度下使用。2． 鉑薄膜通過(guò)激光噴濺在陶瓷表層，因而它具有良好的防震和防沖擊性能。3． 薄膜表面蓋以陶瓷，因而元件能夠承受高壓，并具有良好的絕緣性。4． 引線材料為鎳鍍金和純鈀兩種。5． 規(guī)格：型號(hào) 規(guī)格長(zhǎng)×寬×高 阻值 測(cè)量電流 精度 測(cè)量范圍 熱響應(yīng)時(shí)間CRZ-1632 3.2×1.6×1.0 PT100PT100 ≤1mA A -50～550℃ ≤0.3SCRZ-2005 5.0×2.0×1.1 PT50 ≤2mA A -50～400℃ CRZ-2005 5.0×2.0×1.0 PT10 ≤0.5mA B -50～500℃ 6． 精度：等級(jí) α 0℃時(shí)的電阻值（Ω） 允許偏差（Ω）A 0.003851 100.00 ±0.150+0.002tB 0.003851 100.00 ±0.30+0.005t
WZP-PT100薄膜鉑熱電阻元件003
薄膜鉑電阻元件一、 概述 CRZ系列薄膜鉑熱電阻元件是把金屬鉑研制成粉漿，采用的激光噴濺薄膜技術(shù)及光刻法和干燥蝕刻法把附著在陶瓷基片上形成膜，引線經(jīng)過(guò)激光調(diào)阻制成，自動(dòng)的生產(chǎn)程序了產(chǎn)品符合IEC標(biāo)準(zhǔn)。二、 技術(shù)特點(diǎn)1． 薄膜鉑熱電阻元件用陶瓷和鉑制成，因而在高溫下能夠保持優(yōu)良的穩(wěn)定性，適合在-50～400℃的溫度下使用。2． 鉑薄膜通過(guò)激光噴濺在陶瓷表層，因而它具有良好的防震和防沖擊性能。3． 薄膜表面蓋以陶瓷，因而元件能夠承受高壓，并具有良好的絕緣性。4． 引線材料為鎳鍍金和純鈀兩種。5． 規(guī)格：型號(hào) 規(guī)格長(zhǎng)×寬×高 阻值 測(cè)量電流 精度 測(cè)量范圍 熱響應(yīng)時(shí)間CRZ-1632 3.2×1.6×1.0 PT100PT100 ≤1mA A -50～550℃ ≤0.3SCRZ-2005 5.0×2.0×1.1 PT50 ≤2mA A -50～400℃ CRZ-2005 5.0×2.0×1.0 PT10 ≤0.5mA B -50～500℃ 6． 精度：等級(jí) α 0℃時(shí)的電阻值（Ω） 允許偏差（Ω）A 0.003851 100.00 ±0.150+0.002tB 0.003851 100.00 ±0.30+0.005t
WZCM-201潮州 薄膜鉑熱電阻 貼片式熱電阻
薄膜鉑熱電阻 貼片式熱電阻 熱電阻自動(dòng)檢定裝置薄膜鉑熱電阻工業(yè)用薄膜鉑熱電阻作為新一代的溫度測(cè)量和調(diào)節(jié)傳感器，通常用來(lái)和顯示儀表等配套，以直接測(cè)量各種生產(chǎn)過(guò)程中-79℃～600℃范圍內(nèi)液體，蒸汽和氣體介質(zhì)及固定表面等溫度。熱電阻感溫元件在0℃的電阻值（R0） 分度號(hào)Pt100 B級(jí) R0=100±0.12Ω 鉑熱電阻的電阻與溫度關(guān)系一般可用以下關(guān)系表示：在-79～0℃ Rt=R0{1+At+Bt2+C（t-100℃）t3} Rt=R0（1+At+Bt2） Rt 為t℃時(shí)熱電阻的電阻值（Ω）式中的R0為0℃時(shí)熱電阻的電阻值（Ω） t為被測(cè)介質(zhì)溫度（℃）A、B、C等均為有關(guān)的分度常數(shù)貼片式熱電阻LM386是一種音頻集成功放，具有自身功耗低、更新內(nèi)鏈增益可調(diào)整、電源電壓范圍大、外接元件少和總諧波失真小等優(yōu)點(diǎn)的功率放大器，廣泛應(yīng)用于錄音機(jī)和收音機(jī)之中。靜態(tài)功耗低，約為4mA，可用于電池供電； 工作電壓范圍寬，4-12V or 5-18V； 元件少； 電壓增益可調(diào)，20-200； 低失真度；熱電阻自動(dòng)檢定裝置CF-10多機(jī)熱工自動(dòng)檢定系統(tǒng)是我公司根據(jù)國(guó)家頒布實(shí)施的檢定規(guī)程結(jié)合目前一些用戶提出需要同時(shí)對(duì)大批量熱電偶和熱電阻進(jìn)行自動(dòng)檢定的要求而開(kāi)發(fā)的產(chǎn)品。 CF-10多機(jī)熱工自動(dòng)檢定系統(tǒng)采用積木式結(jié)構(gòu)擴(kuò)展連接。各單元模塊都可以單獨(dú)啟動(dòng)工作。用戶可以根據(jù)需要，配置不同數(shù)量的模塊單位，但最多不能超過(guò)10路。由于多機(jī)熱工自動(dòng)檢定系統(tǒng)采用多機(jī)并行工作方式，工作效率成倍提高。薄膜鉑熱電阻 貼片式熱電阻 熱電阻自動(dòng)檢定裝置詳細(xì)地址：http://www.fenxiyb.com/wendu/203.html
普通型熱電阻/鎧裝熱電阻 /端面熱電阻 /隔爆型熱電阻 / 金屬熱電阻/精通型熱電阻/陶瓷鉑電阻 云母鉑電阻Pt10、Pt100、Pt1000；Cu50和Cu100
WZPB/WZCB大慶 智能探針式流量計(jì) 薄膜鉑熱電阻 隔爆鉑電阻
智能探針式流量計(jì) 薄膜鉑熱電阻 隔爆鉑電阻智能探針式流量計(jì)是采用皮托管原理提取管道的中心流速在轉(zhuǎn)換成流體的體積流量和質(zhì)量流量的差壓是流量計(jì)智能探針式流量計(jì)是采用皮托管原理提取管道中心流體流速（全壓－靜壓=動(dòng)壓）再換算成流體體積流量與質(zhì)量流量的差壓式流量計(jì)。薄膜鉑熱電阻工業(yè)用薄膜鉑熱電阻作為新一代的溫度測(cè)量和調(diào)節(jié)傳感器，通常用來(lái)和顯示儀表等配套，以直接測(cè)量各種生產(chǎn)過(guò)程中-79℃～600℃范圍內(nèi)液體，蒸汽和氣體介質(zhì)及固定表面等溫度。熱電阻感溫元件在0℃的電阻值（R0） 分度號(hào)Pt100 B級(jí) R0=100±0.12Ω 鉑熱電阻的電阻與溫度關(guān)系一般可用以下關(guān)系表示：在-79～0℃范圍內(nèi) Rt=R0{1+At+Bt2+C（t-100℃）t3} Rt=R0（1+At+Bt2） Rt 為t℃時(shí)熱電阻的電阻值（Ω） 式中的R0為0℃時(shí)熱電阻的電阻值（Ω） t為被測(cè)介質(zhì)溫度（℃） A、B、C等均為有關(guān)的分度常數(shù) 測(cè)量范圍和度隔爆鉑電阻工業(yè)用隔爆鉑電阻是一種溫度傳感器。在工業(yè)自控系統(tǒng)中應(yīng)用極廣，通過(guò)溫度傳感器，可將 控制對(duì)象的溫度參數(shù)變成電信號(hào),傳遞給顯示、記錄和調(diào)節(jié)儀表,對(duì)系統(tǒng)實(shí)行檢測(cè)、調(diào)節(jié)和控制。在化工廠、生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)常伴有各種易燃、易爆等化學(xué)氣體、 蒸氣，如果使用普通的鉑電阻非常不安全，極易引起環(huán)境氣體爆炸。因此，在這些場(chǎng)合必須使用隔爆熱電偶作溫度傳感器，本廠生 產(chǎn)的隔爆鉑電阻產(chǎn)品適用在d II BT4~d II CT6 溫度組別區(qū)間內(nèi)具有爆炸性氣體危險(xiǎn)的場(chǎng)所內(nèi)。本廠生產(chǎn)的隔爆熱電偶采用引進(jìn)元件作感溫元件，其技術(shù)性能符合 ZBY301-85工業(yè)鉑電技術(shù) 條件和分度表。同時(shí)產(chǎn)品符合爆炸性環(huán)境用防爆電氣設(shè)備通用要求 GB3836.1-83 、 GB3836.2-83 標(biāo)準(zhǔn)。智能探針式流量計(jì) 薄膜鉑熱電阻 隔爆鉑電阻
詳細(xì)地址:http://www.fenxiyb.com/wendu/212.html
普通型熱電阻/鎧裝熱電阻 /端面熱電阻 /隔爆型熱電阻 / 金屬熱電阻/
精通型熱電阻/陶瓷鉑電阻 云母鉑電阻Pt10、Pt100、Pt1000；Cu50和Cu100
WZP-260插座式熱電阻 WZP-203S/WZP-205S微型熱電阻
PT100日本林電工;薄膜鉑熱電阻引腳已做絕緣鍍銀高溫導(dǎo)線。
數(shù)量少于20PCS 單價(jià)為 45元/PCS
數(shù)量20PCS以上 單價(jià)為 35元/PCS
| 溫度 | a | b | c |
| T＜0 | 3.90802×10-3 | 5.80195×10-7 | 4.27351×10-12 |
| T≥0 | 3.90802×10-3 | 5.80195×10-7 | 0 |
| 級(jí) 別 | 零度時(shí)阻值誤差（%） | 溫 度 誤 差（℃） | 溫度系數(shù)TCR誤差(ohm/ohm/℃) |
| 1/3DIN | ±0.04 | ±(0.10+0.0017|T|) | 0.003851±0.000004 |
| A | ±0.06 | ±(0.15+0.002|T|) | 0.003851±0.000005 |
| B | ±0.12 | ±(0.30+0.005|T|) | 0.003851±0.000012 |
| 2B | ±0.25 | ±(0.60+0.01|T|) | 0.003851±0.000024 |
| 型號(hào) | 熱響應(yīng)時(shí)間T0.9(秒) | ||
| 空氣 | 水 | ||
| V=1.0m/s | V=3.0m/s | ||
| CRZ-1632 | 10 | 7 | 0.3 |
| CRZ-2005 | 16 | 11 | 0.3 |
| 型 號(hào) | 自熱系數(shù)(mW/℃) | ||
| 空氣 | 靜水 | ||
| V=1.0m/s | 靜止 | ||
| CRZ-1632-100 | 2 | 1 | 12 |
| CRZ-2005-100 | 4 | 2 | 20 |
| CRZ-2005-1000 | 4 | 2 | 20 |
| 標(biāo)稱阻值（Ω） | 100 | 500 | 1000 |
| TCR（10-6/K） | 3851 | ||
| 溫 度（℃） | 電阻值（Ω） | ||
| -50 | 80．31 | 401．53 | 803．07 |
| 0 | 100．00 | 500．00 | 1000．00 |
| 50 | 119．40 | 596．98 | 1193．95 |
| 100 | 138．51 | 692．50 | 1385．00 |
| 150 | 157．33 | 786．57 | 1573．15 |
| 200 | 175．86 | 879．20 | 1758．40 |
| 250 | 194．10 | 970．37 | 1940．74 |
| 300 | 212．05 | 1060．09 | 2120．19 |
| 350 | 229．72 | 1148．37 | 2296．73 |
| 400 | 247．09 | 1235．19 | 2470．38 |
| 450 | 264．18 | 1320．56 | 2641．12 |
| 500 | 280．98 | 1404．48 | 2808．96 |
| 550 | 297．49 | 1486．95 | 2973．90 |
| 600 | 313．71 | 1567．97 | 3135．94 |
| 650 | 329．64 | 1647．54 | 3295．08 |
日本林電工CRZ-2005-1000-A PT1000薄膜鉑熱電阻精度±0.15℃有假一罰十
性能和參數(shù)
| 溫度 | a | b | c |
| T＜0 | 3.90802×10-3 | 5.80195×10-7 | 4.27351×10-12 |
| T≥0 | 3.90802×10-3 | 5.80195×10-7 | 0 |
WZPK475U鎧裝薄膜鉑熱電阻，WZPK-475U,
 特點(diǎn) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ●熱響應(yīng)時(shí)間少，減小動(dòng)態(tài)誤差； ●直徑小、長(zhǎng)度不受限制； ●測(cè)量精確度高； ●進(jìn)口薄膜電阻元件，性能穩(wěn)定。 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 工作原理 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 鎧裝熱電阻是利用物質(zhì)在溫度變化時(shí)，其電阻也隨著發(fā)生變化的特征來(lái)測(cè)量溫度的。當(dāng)阻值變化時(shí)，工作儀表便顯示出電阻所對(duì)應(yīng)的溫度值。 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 主要技術(shù)參數(shù) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IEC751 IEC1515 JB/T8623－1997 JB/T8622－1997 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ●鎧裝熱電阻保護(hù)帶直徑及材料 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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| ●測(cè)溫范圍及允差 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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| 注：t為感溫元件實(shí)測(cè)溫度絕對(duì)值 ●常溫絕緣電阻 熱電阻在環(huán)境溫度為15～35℃，相對(duì)濕度不大于80%，試驗(yàn)電壓為10～100V（直流）電極與外套管之間的絕緣電阻≥100MΩ。 ● 熱響應(yīng)時(shí)間 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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| 型號(hào)及規(guī)格 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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| 選型須知 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1）型號(hào) 2）分度號(hào) 3）精度等級(jí) 4）安裝固定形式 5）長(zhǎng)度或插入長(zhǎng)度 例A：鎧裝熱電阻，Pt100型，I級(jí)，固定螺紋M16×1.5，長(zhǎng)度450mm，插入長(zhǎng)度300mm。HR-WZPK-220，Pt100，L=450×300，I級(jí)，M16×1.5。 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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防噴式
扁接插式
圓接插式
帶補(bǔ)償導(dǎo)線式 
WZPK123U鎧裝薄膜鉑熱電阻，WZPK-123U，
1． 測(cè)溫范圍、允差
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2.熱響應(yīng)時(shí)間
在溫度出現(xiàn)階躍變化時(shí),熱電阻的電阻值變化至相當(dāng)于該階躍變化的50%，所需要的時(shí)間稱為熱響應(yīng)時(shí)間，用t0.5表示。
3.自熱影響
鉑電阻允許通過(guò)電流1mA，最大測(cè)量電流為5mA，由此產(chǎn)生的升溫不大于0.3℃。
4.電阻溫度系數(shù)（α）與標(biāo)稱值的偏差
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| | | | |
5.絕緣電阻
當(dāng)周圍空氣溫度15-35℃和相對(duì)濕度小于80%時(shí)熱電阻絕緣電阻不小于100MΩ。
薄膜鉑電阻元件
、 概述
CRZ系列薄膜鉑熱電阻元件是把金屬鉑研制成粉漿，采用的激光噴濺薄膜技術(shù)及光刻法和干燥蝕刻法把附著在陶瓷基片上形成膜，引線經(jīng)過(guò)激光調(diào)阻制成，自動(dòng)的生產(chǎn)程序了產(chǎn)品符合IEC標(biāo)準(zhǔn)。
二、 技術(shù)特點(diǎn)
1． 薄膜鉑熱電阻元件用陶瓷和鉑制成，因而在高溫下能夠保持優(yōu)良的穩(wěn)定性，適合在-50～400℃的溫度下使用。
2． 鉑薄膜通過(guò)激光噴濺在陶瓷表層，因而它具有良好的防震和防沖擊性能。
3． 薄膜表面蓋以陶瓷，因而元件能夠承受高壓，并具有良好的絕緣性。
4． 引線材料為鎳鍍金和純鈀兩種。
5． 規(guī)格：
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| | | | | | | |
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6． 精度：
| 等級(jí) | α | 0℃時(shí)的電阻值（Ω） | 允許偏差（Ω） |
| A | 0.003851 | 100.00 | ±0.150+0.002t |
| B | 0.003851 | 100.00 | ±0.30+0.005t |
WZPK103U鎧裝薄膜鉑熱電阻，WZPK-103U,
1． 測(cè)溫范圍、允差
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2.熱響應(yīng)時(shí)間
在溫度出現(xiàn)階躍變化時(shí),熱電阻的電阻值變化至相當(dāng)于該階躍變化的50%，所需要的時(shí)間稱為熱響應(yīng)時(shí)間，用t0.5表示。
3.自熱影響
鉑電阻允許通過(guò)電流1mA，最大測(cè)量電流為5mA，由此產(chǎn)生的升溫不大于0.3℃。
4.電阻溫度系數(shù)（α）與標(biāo)稱值的偏差
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5.絕緣電阻
當(dāng)周圍空氣溫度15-35℃和相對(duì)濕度小于80%時(shí)熱電阻絕緣電阻不小于100MΩ。
薄膜鉑電阻元件
、 概述
CRZ系列薄膜鉑熱電阻元件是把金屬鉑研制成粉漿，采用的激光噴濺薄膜技術(shù)及光刻法和干燥蝕刻法把附著在陶瓷基片上形成膜，引線經(jīng)過(guò)激光調(diào)阻制成，自動(dòng)的生產(chǎn)程序了產(chǎn)品符合IEC標(biāo)準(zhǔn)。
二、 技術(shù)特點(diǎn)
1． 薄膜鉑熱電阻元件用陶瓷和鉑制成，因而在高溫下能夠保持優(yōu)良的穩(wěn)定性，適合在-50～400℃的溫度下使用。
2． 鉑薄膜通過(guò)激光噴濺在陶瓷表層，因而它具有良好的防震和防沖擊性能。
3． 薄膜表面蓋以陶瓷，因而元件能夠承受高壓，并具有良好的絕緣性。
4． 引線材料為鎳鍍金和純鈀兩種。
5． 規(guī)格：
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6． 精度：
| 等級(jí) | α | 0℃時(shí)的電阻值（Ω） | 允許偏差（Ω） |
| A | 0.003851 | 100.00 | ±0.150+0.002t |
| B | 0.003851 | 100.00 | ±0.30+0.005t |
WZPK335U鎧裝薄膜鉑熱電阻，WZPK-335U,
1． 測(cè)溫范圍、允差
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2.熱響應(yīng)時(shí)間
在溫度出現(xiàn)階躍變化時(shí),熱電阻的電阻值變化至相當(dāng)于該階躍變化的50%，所需要的時(shí)間稱為熱響應(yīng)時(shí)間，用t0.5表示。
3.自熱影響
鉑電阻允許通過(guò)電流1mA，最大測(cè)量電流為5mA，由此產(chǎn)生的升溫不大于0.3℃。
4.電阻溫度系數(shù)（α）與標(biāo)稱值的偏差
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5.絕緣電阻
當(dāng)周圍空氣溫度15-35℃和相對(duì)濕度小于80%時(shí)熱電阻絕緣電阻不小于100MΩ。
薄膜鉑電阻元件
、 概述
CRZ系列薄膜鉑熱電阻元件是把金屬鉑研制成粉漿，采用的激光噴濺薄膜技術(shù)及光刻法和干燥蝕刻法把附著在陶瓷基片上形成膜，引線經(jīng)過(guò)激光調(diào)阻制成，自動(dòng)的生產(chǎn)程序了產(chǎn)品符合IEC標(biāo)準(zhǔn)。
二、 技術(shù)特點(diǎn)
1． 薄膜鉑熱電阻元件用陶瓷和鉑制成，因而在高溫下能夠保持優(yōu)良的穩(wěn)定性，適合在-50～400℃的溫度下使用。
2． 鉑薄膜通過(guò)激光噴濺在陶瓷表層，因而它具有良好的防震和防沖擊性能。
3． 薄膜表面蓋以陶瓷，因而元件能夠承受高壓，并具有良好的絕緣性。
4． 引線材料為鎳鍍金和純鈀兩種。
5． 規(guī)格：
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6． 精度：
| 等級(jí) | α | 0℃時(shí)的電阻值（Ω） | 允許偏差（Ω） |
| A | 0.003851 | 100.00 | ±0.150+0.002t |
| B | 0.003851 | 100.00 | ±0.30+0.005t |
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