地址: | 山東省淄博市張店區(qū)新村西路2號(hào) |
工業(yè)用薄膜鉑熱電阻作為新代的溫度測(cè)量和調(diào)節(jié)傳感器,通常用來(lái)和顯示儀表等配套,以直接測(cè)量各種生產(chǎn)過(guò)程中-79℃~600℃范圍內(nèi)液體,蒸汽和氣體介質(zhì)及固定表面等溫度。
熱電阻類別 | 分度號(hào) | 精度等級(jí) | 測(cè)溫范圍℃ | 允許偏差△t ℃ |
WZP型薄膜鉑熱電阻 | Pt100 | B級(jí) | -79~600 | ±(0.3 +0.005︱t︱) |
型 號(hào) | 規(guī) 格 | 接線盒形式 |
WZP-1312U | 無(wú)固定裝置式 | 防水式 |
WZP-2312U | 固定螺紋式 | 防水式 |
WZP-3312U | 活動(dòng)法蘭式 | 防水式 |
WZP-4312U | 固定法蘭式 | 防水式 |
WZP-6312U | 固定螺紋錐形保護(hù)管式 | 防水式 |
WZP-270U | 插座式端子 | |
裝薄膜鉑熱電阻 WZPK-205U WZPK2-205U
安裝固定裝置標(biāo)準(zhǔn)尺(螺紋式) | 鎧裝薄膜鉑熱電阻外徑(d) | |||
φ6 | φ5 | φ4 | φ3 | |
M | M16×1.5 | M12×1.5 | ||
S | 22 | 19 |
安裝固定裝置標(biāo)準(zhǔn)尺(法蘭式) | 鎧裝薄膜鉑熱電阻外徑(d) | |||
φ6 | φ5 | φ4 | φ3 | |
D | φ60 | φ50 | ||
D0 | φ42 | φ36 | ||
D1 | φ24 | φ20 | ||
d0 | φ9 | φ7 | ||
S | 22 | 19 |
型號(hào) | 分度號(hào) | 測(cè)溫范圍℃ | 精度等級(jí) | 熱響應(yīng)時(shí)間T0.5U | 直徑mm | 長(zhǎng)度Lmm | 安裝固定裝置 |
WZPK-103U | Pt100 (Ro= 100Ω | -79~420 | B級(jí) | ≤3 | φ3 | 100 150 200 250 300 400 500 750 1000 | 無(wú)固定裝置 |
WZPK-104U | ≤5 | φ4 | |||||
WZPK-105U | ≤8 | φ5 | |||||
WZPK-106U | ≤12 | φ6 | |||||
WZPK-203U | ≤3 | φ3 | 固定卡套螺栓 | ||||
WZPK-204U | ≤5 | φ4 | |||||
WZPK-205U | ≤8 | φ5 | |||||
WZPK-206U | ≤12 | φ6 | |||||
WZPK-303U | ≤3 | φ3 | 可動(dòng)卡套螺栓 | ||||
WZPK-304U | ≤5 | φ4 | |||||
WZPK-305U | ≤8 | φ5 | |||||
WZPK-306U | ≤12 | φ6 | |||||
WZPK-403U | ≤3 | φ3 | 固定卡套法蘭 | ||||
WZPK-404U | ≤5 | φ4 | |||||
WZPK-405U | ≤8 | φ5 | |||||
WZPK-406U | ≤12 | φ6 | |||||
WZPK-503U | ≤3 | φ3 | 可運(yùn)卡套法蘭 | ||||
WZPK-504U | ≤5 | φ4 | |||||
WZPK-505U | ≤8 | φ5 | |||||
WZPK-506U | ≤12 | φ6 |
1. 測(cè)溫范圍、允差
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2.熱響應(yīng)時(shí)間
在溫度出現(xiàn)階躍變化時(shí),熱電阻的電阻值變化至相當(dāng)于該階躍變化的50%,所需要的時(shí)間稱為熱響應(yīng)時(shí)間,用t0.5表示。
3.自熱影響
鉑電阻允許通過(guò)電流1mA,最大測(cè)量電流為5mA,由此產(chǎn)生的升溫不大于0.3℃。
4.電阻溫度系數(shù)(α)與標(biāo)稱值的偏差
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5.絕緣電阻
當(dāng)周圍空氣溫度15-35℃和相對(duì)濕度小于80%時(shí)熱電阻絕緣電阻不小于100MΩ。
薄膜鉑電阻元件
、 概述
CRZ系列薄膜鉑熱電阻元件是把金屬鉑研制成粉漿,采用的激光噴濺薄膜技術(shù)及光刻法和干燥蝕刻法把附著在陶瓷基片上形成膜,引線經(jīng)過(guò)激光調(diào)阻制成,自動(dòng)的生產(chǎn)程序了產(chǎn)品符合IEC標(biāo)準(zhǔn)。
二、 技術(shù)特點(diǎn)
1. 薄膜鉑熱電阻元件用陶瓷和鉑制成,因而在高溫下能夠保持優(yōu)良的穩(wěn)定性,適合在-50~400℃的溫度下使用。
2. 鉑薄膜通過(guò)激光噴濺在陶瓷表層,因而它具有良好的防震和防沖擊性能。
3. 薄膜表面蓋以陶瓷,因而元件能夠承受高壓,并具有良好的絕緣性。
4. 引線材料為鎳鍍金和純鈀兩種。
5. 規(guī)格:
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6. 精度:
等級(jí) | α | 0℃時(shí)的電阻值(Ω) | 允許偏差(Ω) |
A | 0.003851 | 100.00 | ±0.150+0.002t |
B | 0.003851 | 100.00 | ±0.30+0.005t |
WZPK2-504U鎧裝薄膜鉑熱電阻
安裝固定裝置標(biāo)準(zhǔn)尺(螺紋式) | 鎧裝薄膜鉑熱電阻外徑(d) | |||
φ6 | φ5 | φ4 | φ3 | |
M | M16×1.5 | M12×1.5 | ||
S | 22 | 19 |
安裝固定裝置標(biāo)準(zhǔn)尺(法蘭式) | 鎧裝薄膜鉑熱電阻外徑(d) | |||
φ6 | φ5 | φ4 | φ3 | |
D | φ60 | φ50 | ||
D0 | φ42 | φ36 | ||
D1 | φ24 | φ20 | ||
d0 | φ9 | φ7 | ||
S | 22 | 19 |
型號(hào) | 分度號(hào) | 測(cè)溫范圍℃ | 精度等級(jí) | 熱響應(yīng)時(shí)間T0.5U | 直徑mm | 長(zhǎng)度Lmm | 安裝固定裝置 |
WZPK-103U | Pt100 (Ro= 100Ω | -79~420 | B級(jí) | ≤3 | φ3 | 100 150 200 250 300 400 500 750 1000 | 無(wú)固定裝置 |
WZPK-104U | ≤5 | φ4 | |||||
WZPK-105U | ≤8 | φ5 | |||||
WZPK-106U | ≤12 | φ6 | |||||
WZPK-203U | ≤3 | φ3 | 固定卡套螺栓 | ||||
WZPK-204U | ≤5 | φ4 | |||||
WZPK-205U | ≤8 | φ5 | |||||
WZPK-206U | ≤12 | φ6 | |||||
WZPK-303U | ≤3 | φ3 | 可動(dòng)卡套螺栓 | ||||
WZPK-304U | ≤5 | φ4 | |||||
WZPK-305U | ≤8 | φ5 | |||||
WZPK-306U | ≤12 | φ6 | |||||
WZPK-403U | ≤3 | φ3 | 固定卡套法蘭 | ||||
WZPK-404U | ≤5 | φ4 | |||||
WZPK-405U | ≤8 | φ5 | |||||
WZPK-406U | ≤12 | φ6 | |||||
WZPK-503U | ≤3 | φ3 | 可運(yùn)卡套法蘭 | ||||
WZPK-504U | ≤5 | φ4 | |||||
WZPK-505U | ≤8 | φ5 | |||||
WZPK-506U | ≤12 | φ6 |
CRZ鉑金薄膜鉑熱電阻芯片是一個(gè)劃時(shí)代溫度傳感器發(fā)展的產(chǎn)物。采用進(jìn)高科技方法,像激光噴鍍,顯微照相和平版印刷光刻技術(shù)。而電阻值則以數(shù)字修整方式作出微調(diào),因而能提供最精確的電阻值。1: 薄膜鉑熱電阻芯片技術(shù)性能描述1.1 產(chǎn)品性能符合IEC751-1995和JIS1604有關(guān)標(biāo)準(zhǔn),1.2 溫度系數(shù) R100/R0=1.38511.3 經(jīng)過(guò)嚴(yán)格質(zhì)撿并注明每只元件在攝氏0 ℃時(shí)的阻值。1.4 薄膜鉑熱元件用陶瓷和鉑特制而成,在高溫下能夠保持優(yōu)良的穩(wěn)定性,適合在 -50 ℃ ∽ 500 ℃ 的溫度下使用.1.5 鉑薄膜通過(guò)激光噴濺在陶瓷表層,因而薄膜鉑熱電阻元件具有良好的防振動(dòng)和防沖擊性能。1.6 薄膜表面覆蓋以陶瓷,因此元件能夠承受高電壓并有良好的絕緣性。1.7 鉑熱電阻芯片除了提供 Pt100Ω的外,尚有Pt500和 Pt1000Ω的元件。1.8 精度:除了提供A級(jí)和B 級(jí)外,尚有更精確的1/3B級(jí)供用戶選用。2: CRZ系列產(chǎn)品規(guī)格2.1 溫度使用范圍: -50 ℃ ∽ 500 ℃ .2.2 精度: A級(jí),B級(jí),尚有更精確的1/3B級(jí)。2.3 規(guī)定電流(mA)2mA(最大)2.4 引線材料: 鈀金合金。 型號(hào) 分度號(hào) 規(guī)定電流 精度 尺寸(寬*長(zhǎng)*厚)mmCRZ-1632-100 Pt100 1mA A,B 1.6X3.2X1.0CRZ-2005-100 Pt100 1mA 2.0X5.0X1.0CRZ-2005-500 Pt500 0.5mA 2.0X5.0X1.0CRZ-2005-1000 Pt1000 0.5mA 2.0X5.0X1.04:容限與物理特性精度 公差 公差阻值(0℃) 熱電阻系數(shù)(α)(Ohm/Ohm/deg.C)1/3B* +/-(0.1+0.0017t) +/-0.04 Ohm 0.003851+/-0.000004A +/-(0.15+0.002t) +/-0.06 Ohm 0.003851+/-0.000005B +/-(0.3+0.005t) +/-0.12 Ohm 0.003851+/-0.0000122B +/-(0.6+0.01t) +/-0.25 Ohm 0.003851+/-0.0000245: 穩(wěn)定性描連續(xù)加溫1000小時(shí)(400℃),CRZ-1632的誤差范圍(0℃)為0.008 Ohm(0.02℃)以內(nèi)。6: 自動(dòng)加溫由於電流流經(jīng)電阻元件會(huì)是其加溫,故此規(guī)定電流《1mA7: 應(yīng)用范圍7.1 CRZ 膜片鉑熱電阻芯片廣泛應(yīng)用于世界各地儀器儀表制造業(yè),用于制造各種溫度傳感器。7.2 特別是對(duì)溫度測(cè)量精度要求比較高的科研領(lǐng)域和工業(yè)領(lǐng)域更適合。7.3 廣泛應(yīng)用于世界各地戶型和熱電聯(lián)產(chǎn)熱量表配對(duì)溫度傳感器的制造。7.4 應(yīng)用于軸瓦,缸體,油,水,汽管,中央空調(diào),熱水器等狹小空間工業(yè)設(shè)備測(cè)溫和控制。7.5 其它測(cè)溫控制領(lǐng)域。(PH值溫度補(bǔ)償?shù)?
1. 測(cè)溫范圍、允差
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2.熱響應(yīng)時(shí)間
在溫度出現(xiàn)階躍變化時(shí),熱電阻的電阻值變化至相當(dāng)于該階躍變化的50%,所需要的時(shí)間稱為熱響應(yīng)時(shí)間,用t0.5表示。
3.自熱影響
鉑電阻允許通過(guò)電流1mA,最大測(cè)量電流為5mA,由此產(chǎn)生的升溫不大于0.3℃。
4.電阻溫度系數(shù)(α)與標(biāo)稱值的偏差
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5.絕緣電阻
當(dāng)周圍空氣溫度15-35℃和相對(duì)濕度小于80%時(shí)熱電阻絕緣電阻不小于100MΩ。
薄膜鉑電阻元件
、 概述
CRZ系列薄膜鉑熱電阻元件是把金屬鉑研制成粉漿,采用的激光噴濺薄膜技術(shù)及光刻法和干燥蝕刻法把附著在陶瓷基片上形成膜,引線經(jīng)過(guò)激光調(diào)阻制成,自動(dòng)的生產(chǎn)程序了產(chǎn)品符合IEC標(biāo)準(zhǔn)。
二、 技術(shù)特點(diǎn)
1. 薄膜鉑熱電阻元件用陶瓷和鉑制成,因而在高溫下能夠保持優(yōu)良的穩(wěn)定性,適合在-50~400℃的溫度下使用。
2. 鉑薄膜通過(guò)激光噴濺在陶瓷表層,因而它具有良好的防震和防沖擊性能。
3. 薄膜表面蓋以陶瓷,因而元件能夠承受高壓,并具有良好的絕緣性。
4. 引線材料為鎳鍍金和純鈀兩種。
5. 規(guī)格:
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6. 精度:
等級(jí) | α | 0℃時(shí)的電阻值(Ω) | 允許偏差(Ω) |
A | 0.003851 | 100.00 | ±0.150+0.002t |
B | 0.003851 | 100.00 | ±0.30+0.005t |
1. 測(cè)溫范圍、允差
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2.熱響應(yīng)時(shí)間
在溫度出現(xiàn)階躍變化時(shí),熱電阻的電阻值變化至相當(dāng)于該階躍變化的50%,所需要的時(shí)間稱為熱響應(yīng)時(shí)間,用t0.5表示。
3.自熱影響
鉑電阻允許通過(guò)電流1mA,最大測(cè)量電流為5mA,由此產(chǎn)生的升溫不大于0.3℃。
4.電阻溫度系數(shù)(α)與標(biāo)稱值的偏差
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5.絕緣電阻
當(dāng)周圍空氣溫度15-35℃和相對(duì)濕度小于80%時(shí)熱電阻絕緣電阻不小于100MΩ。
薄膜鉑電阻元件
、 概述
CRZ系列薄膜鉑熱電阻元件是把金屬鉑研制成粉漿,采用的激光噴濺薄膜技術(shù)及光刻法和干燥蝕刻法把附著在陶瓷基片上形成膜,引線經(jīng)過(guò)激光調(diào)阻制成,自動(dòng)的生產(chǎn)程序了產(chǎn)品符合IEC標(biāo)準(zhǔn)。
二、 技術(shù)特點(diǎn)
1. 薄膜鉑熱電阻元件用陶瓷和鉑制成,因而在高溫下能夠保持優(yōu)良的穩(wěn)定性,適合在-50~400℃的溫度下使用。
2. 鉑薄膜通過(guò)激光噴濺在陶瓷表層,因而它具有良好的防震和防沖擊性能。
3. 薄膜表面蓋以陶瓷,因而元件能夠承受高壓,并具有良好的絕緣性。
4. 引線材料為鎳鍍金和純鈀兩種。
5. 規(guī)格:
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6. 精度:
等級(jí) | α | 0℃時(shí)的電阻值(Ω) | 允許偏差(Ω) |
A | 0.003851 | 100.00 | ±0.150+0.002t |
B | 0.003851 | 100.00 | ±0.30+0.005t |