晶體管的極限參數(shù)
晶體管所能承受的電壓、功率耗散以及所通過的電流都是有一定限度的,當(dāng)其超過額定值時(shí),輕則影響晶體管的工作性能,嚴(yán)重時(shí)將使其損壞。以下介紹晶體管的主要極限參數(shù)。1.集電極最大允許耗散功率PcmPcm是指晶體管因溫度升高引起參數(shù)的變化不超過規(guī)定值時(shí),集電極所消耗的最大功率。 晶體管在正常工作時(shí),集電結(jié)加的是反向偏置電壓,集電結(jié)的反向電阻很高,這樣,集電極電流流過集電結(jié)時(shí)就要產(chǎn)生大量的熱量,結(jié)溫就會(huì)升高,若溫度過高,將導(dǎo)致晶體管不可逆轉(zhuǎn)的損壞。人們根據(jù)晶體管允許結(jié)溫定出最大允許耗散功率。為了降低結(jié)溫,對(duì)于大功率晶體管,人們往往要另設(shè)散熱片,散熱片表面積越大,散熱效果越好,晶體管的Pcm就可以適當(dāng)提高。2.集電極最大允許電流Icm 集電極電流增大,會(huì)導(dǎo)致晶體管的電流放大倍數(shù)β下降,當(dāng)β降至低頻電流放大倍數(shù)βo的額定倍數(shù)(通常規(guī)定為二分之一或三分之一)時(shí),此時(shí)的集電極電流稱為集電極最大允許電流Icm。因此,當(dāng)晶體管的集電極電流達(dá)到Icm時(shí),晶體管雖不致?lián)p壞,但電流放大倍數(shù)已大幅度下降。 3.集電極--發(fā)射極擊穿電壓BVCEOBVCEO是指晶體管基極開路時(shí),加在晶體管集電極與發(fā)射極之間的最大允許電壓。對(duì)于NPN型晶體管而言,集電極接電源的正極,發(fā)射極接電源的負(fù)極;對(duì)于PNP型晶體管而言,集電極接電源的負(fù)極,發(fā)射極接電源的正極。當(dāng)加在晶體管集電極與發(fā)射極之間的電壓大于BVCEO的值時(shí),流過晶體管的電流會(huì)突然增大,導(dǎo)致晶體管性損壞,這種現(xiàn)象稱為擊穿。
產(chǎn)品特點(diǎn):
BJ2988A型晶體管正偏二次擊穿及瞬態(tài)熱阻測試儀可以同時(shí)進(jìn)行瞬態(tài)熱阻及正偏二次擊穿的一次性檢測。兩種參數(shù)放在同一臺(tái)儀器上檢測是為了滿足軍用功率晶體管實(shí)際檢測的需要,是軍用功率晶體管最快速篩選測試(用幾十分鐘的參數(shù)測試取代168小時(shí)滿功率老化)及貫徹國軍標(biāo)所必需的測試儀器。這種參數(shù)測試儀不但解決了測試中的燒管問題,也可直接進(jìn)行正偏二次擊穿功率的檢測。本儀器的配套電源為本廠生產(chǎn)的WD-9型晶體管穩(wěn)壓電源。
BJ2988A 晶體管正偏二次擊穿及瞬態(tài)熱阻測試儀技術(shù)指標(biāo):
(1) 測試功率:0~750W(2) 集電極—發(fā)射極電壓VCE:0~300V±2%(3) 發(fā)射極電流IE:0~5A ±2%(4) M數(shù)字表:0~ —4.00mV / ℃ ±3%(5) △VBE數(shù)字表:0~999 mV ±3%(6) 脈寬τ:1mS~1000S(分七檔) 脈寬擴(kuò)展:τ×1、τ×2、τ×5
圖示儀 晶體管測試儀 晶體管圖示儀 二三極管測試儀 WQ4832
集電極掃描信號(hào) 輸出電壓范圍及電流容量 0~5V 10A 0~10V 5A 0~50V 1A 0~100V 0.5A 0~500V 0.1A 0~5000V 5mA 0~500VAC 0.1A 功耗限制電阻:0~500kΩ 分11檔 基極階梯信號(hào) 階梯電流 0.5μA/級(jí)~100mA/級(jí),分17檔 階梯電壓 0.05V級(jí)~1V/級(jí),分5檔 Y軸偏轉(zhuǎn)系數(shù) 集電極電流 0.5μA/div~1A/div,分20檔 二極管電流 50nA/div~1μA/div,分5檔 X軸偏轉(zhuǎn)系數(shù) 集電極電壓 10mV/div~50V/div,分12檔 一般性能 適應(yīng)電源 AC220V±10% 50Hz±4% 視在功率 約50VA(非測試狀態(tài)) 約80VA最大功率 外形尺寸 320×210×400mm 重量 18kg
晶體管圖示儀 WQ4832