萊西相對介損測試儀,智能介質(zhì)損耗測試儀,
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| 型號:RL197040CB100介損測試儀 | 型號:RL197041DTL-C絕緣油介損測量儀 | 型號:RL1970452840高精度全自動介質(zhì)損耗測試儀 |
型號:RL197040CB100介損測試儀臺灣思祿克OTDR光時域反射儀光纖尋障儀可測分光器光纖損耗測試儀S2102
思祿克S2102光時域反射計是針對FTTx網(wǎng)絡(luò)而設(shè)計的一款高性能多功能測試儀器。該產(chǎn)品主要用于測量光纖光纜的長度、傳輸損耗、接頭損耗等光纖物理特性，并能對光纖線路中的事件點、故障點準(zhǔn)確定位。廣泛應(yīng)用于光纖通信系統(tǒng)的工程施工、維護測試及緊急搶修；光纖光纜的研制與生產(chǎn)測試等。
思祿克S2102外觀結(jié)構(gòu)采用業(yè)界最為先進的雙色雙料一體化模具設(shè)計工藝，外觀新穎亮麗、堅固耐用，采用觸摸和按鍵雙重操作方式，操作非常方便；內(nèi)置高級防反射的LCD顯示單元，即便野外環(huán)境下，操作界面也清晰可見；整機具有4路光接口，可同時實現(xiàn)光功率計、VFL、單模及多模測試功能，接口類型可隨意更換，便于清潔光纖端面。該產(chǎn)品具有豐富的外部接口，既可通過以太網(wǎng)接口實現(xiàn)遠程控制，也可通過兩種不同的USB接口，實現(xiàn)外接U盤、打印機及與PC機數(shù)據(jù)通信。測試結(jié)果既可保存在機內(nèi)，也可通過SD接口保存在SD卡中。機內(nèi)配備有大容量的鋰電池，工作時間長達8小時以上，適于長時間野外作業(yè)。
主要特點：
n ≤1m超短事件盲區(qū)，測試光纖跳線輕松自如；
n 45dB大動態(tài)范圍，128k數(shù)據(jù)采樣點；
n 業(yè)界最先進的雙色雙料一體化模具工藝，堅固耐用；
n 高級防反射LCD，野外環(huán)境下顯示界面清晰可見；
n 具有多種測試模式、觸摸屏及快捷健操作；
n 通信光自動監(jiān)測功能；
n 具有以太網(wǎng)遠程控制功能；
n 雙USB接口功能，可外接U盤、打印機及通過SyncActive軟件與PC機通信；
n 支持Bellcore GR196及SR-4731文件格式；
n 電池低電壓告警功能；
n WinCE視窗操作系統(tǒng)，中英文操作界面；
n 內(nèi)置可視紅光故障定位（VFL）及光功率計功能；
n OTDR光輸出頭類型可隨意更換，端面清潔更加方便；
n 內(nèi)置極具人性化的多媒體教學(xué)軟件，快速成為測試專家！
n 應(yīng)用軟件在線升級，無需返回原廠。
l 超短事件盲區(qū)
思祿克S2102具有≤1m的超短事件盲區(qū)，尤其適于對超短的光纖鏈路或光纖跳線的測試。
l 快速曲線分析
思祿克S2102能夠快速準(zhǔn)確地分析出測試曲線中的事件點或故障點及其位置信息，并以事件表的形式列出線路中所有的事件信息，這對線路維護人員非常有用，只需觀察事件表即可對被測線路的狀況一目了然。
l 快速自動測試
思祿克S2102的自動測試功能使得用戶無需了解更多的有關(guān)該儀器操作的細節(jié)，測試步驟變得非常簡單，只需要接入光纖、點擊【測試】按鈕即可，儀器會自動設(shè)置最佳測試條件并最終給出準(zhǔn)確的測試結(jié)果，如測試曲線和事件列表等。
l 特有的PON網(wǎng)絡(luò)測試功能
思祿克S2102是光纖接入網(wǎng)及FTTx的理想的測試儀器，內(nèi)置有獨特的PON網(wǎng)絡(luò)測試功能，能夠透過1:8～1:64的光分路器，憑借其≤1m的超短的事件盲區(qū)及0.05m的高測距分辨率，可以實現(xiàn)對PON網(wǎng)絡(luò)各分支的精確測試。
l 可視故障定位（VFL）功能
思祿克S2102內(nèi)置的可視紅光故障定位（VFL）功能，具有CW / 1Hz / 0.5Hz三種工作模式，可快速發(fā)現(xiàn)短距離光纖鏈路中的斷點或大的損耗點位置，以便維護人員及時采取措施，節(jié)省時間。
l 自動來光監(jiān)測及告警功能
當(dāng)OTDR測試光纖鏈路時，如果光纖中有通信光信號，會造成測試結(jié)果不準(zhǔn)確，甚至?xí)䦟x器內(nèi)部的探測器造成不可恢復(fù)的損壞。思祿克S2102 具有對被測光纖中的通信光信號自動監(jiān)測功能，被測光纖只要接入到思祿克S2102的光接口中，儀器便自動感應(yīng)并監(jiān)測光纖中是否有通信光信號，一旦監(jiān)測到有光信號，將及時提示告警信息，為儀器提供最快最及時的保護。
l 豐富的外部接口
思祿克S2102標(biāo)配有豐富的外部接口，如USB、Min-USB、以太網(wǎng)、耳機及SD接口。因此，可以實現(xiàn)以下功能：
n 外接U盤或SD卡；
n 外接基于USB接口的打印機；
n 與PC機數(shù)據(jù)通信；
n 通過以太網(wǎng)實現(xiàn)遠程控制；
n 外接耳機；
典型應(yīng)用：
思祿克S2102高性能光時域反射計具有手動測試（實時測試、平均測試）、自動測試和盲區(qū)測試3種模式。
手動測試模式：該測試模式適于那些對該儀器比較了解的熟練操作者，因此能夠得到更加準(zhǔn)確的測試結(jié)果。在手動測試模式中，用戶可根據(jù)測試需要選擇實時測試模式或平均測試模式。
實時測試可快速檢測光纖鏈路的動態(tài)變化，應(yīng)用于需要實時監(jiān)測或觀察光纖鏈路的對接過程及效果。
平均測試模式可以盡最大可能地抑制測試曲線中的噪聲，從而得到更加精確的測試結(jié)果。在平均測試模式中，平均次數(shù)越大，則對噪聲的抑制效果越好，但測試時間也相應(yīng)的延長，因此，在實際使用中，可根據(jù)需要靈活設(shè)置平均次數(shù)。
自動測試模式：該模式下，儀器能夠自動設(shè)置最佳測試條件，并給出測試結(jié)果，無需操作者了解復(fù)雜的背景知識和有關(guān)儀器操作的細節(jié)。為了提高自動測試的精度，可以適當(dāng)加大自動測試時的平均次數(shù)，但將延長自動測試的時間。
盲區(qū)測試模式：該模式適用于對超短距離光纖的測試，如測試光纖跳線的長度等，在該模式下，如希望儀器獲得最好的測試結(jié)果，要求被測光纖末端的反射損耗（或稱回波損耗）
大于40dB。
通用技術(shù)規(guī)范：
| 動態(tài)范圍 | 詳見“思祿克S2102 OTDR各標(biāo)準(zhǔn)模塊技術(shù)規(guī)范” |
| 測距準(zhǔn)確度 | ±（1m＋取樣間隔＋0.003％×距離）（不包括折射率置入誤差） |
| 測距分辨率 | 0.05、0.1、0.2、0.5、1、2、4、8、16m |
| 測試量程 | 0.4、0.8、1.6、3.2、6.4、16、32、64、128、256、512km（單模）； 0.4、0.8、1.6、3.2、6.4、16、32（850nm多模） |
| 測試脈寬 | 5、10、30、80、160、320、640、1280、5120、10240、20480ns 5、10、30、80、160、320、640、1280（850nm 多模） |
| 損耗閾值 | 0.01dB |
| 采樣點數(shù) | 128k |
| 線性度 | 0.05dB/dB |
| 損耗分辨率 | 0.001dB |
| 波形存儲容量 | ≥800幅（機內(nèi)），≥65500幅（附送的2G SD卡） |
| 折射率設(shè)置范圍 | 1.00000～2.00000（步長0.00001） |
| 距離單位 | 千米、米、千英尺、英尺 |
| 顯示 | 640×480、6.5英寸TFT彩色LCD（帶觸摸屏） |
| 外部接口 | USB、Min-USB、以太網(wǎng)、耳機、SD |
| 光輸出接口 | FC/SC/ST（可隨意更換） |
| VFL | 650nm±10nm，2mW（典型）；CW/1Hz |
| 光功率計 | 波長范圍：1270nm ～ 1700nm 功率范圍：-60 ～ +3dBm, 測試不確定度：±5%（-10dBm、CW） |
| 電源 | AC/DC適配器：電壓允許范圍：100V～240V（1.5A），頻率允許范圍：50/60Hz 直流：19V±2V（2A） 內(nèi)部鋰電池：14.8V，電池工作時間：8小時（常溫）1 |
| 界面語言 | 可選簡體中文、English、俄文、韓文（可聯(lián)系辦事處以獲得其它語言支持） |
| 環(huán)境適應(yīng)性 | 工作溫度：-10℃～50℃（電池充電：5℃～40℃） 存儲溫度：－40℃～70℃（電池：-20℃～60℃） 相對濕度：5％－95％，無結(jié)露 |
| 外型尺寸 | 295×186×75(mm) |
| 重 量 | 約3kg |
1. 低亮度、不測試。
| 思祿克S2102 OTDR各標(biāo)準(zhǔn)模塊技術(shù)規(guī)范1模塊號 | 工作波長 | 光纖 類型 | 動態(tài)范圍2 (dB) | 事件盲區(qū)3 m |
| 思祿克1101 | 1310nm | 單模 | 45 | 2 |
| 思祿克1102 | 1550nm | 單模 | 43 | 2 |
| 思祿克1103 | 1625nm | 單模 | 38 | 1 |
| 思祿克1104 | 1625nm (內(nèi)置濾波器 | 單模 | 36 | 1 |
| 思祿克1105 | 1650nm | 單模 | 38 | 1 |
| 思祿克1106 | 1650nm (內(nèi)置濾波器 | 單模 | 36 | 1 |
| 思祿克1107 | 1490nm | 單模 | 36 | 1 |
| 思祿克1108 | 1383nm | 單模 | 36 | 1 |
| 思祿克1201 | 850nm | 多模 | 26dB | 2.5 |
| 思祿克1202 | 1300nm | 多模 | 36dB | 2 |
| 思祿克2101 | 1310/1550nm | 單模 | 42 / 40 | 2/2 |
| 思祿克2102 | 1310/1550nm | 單模 | 40 / 38 | 1/1 |
| 思祿克2103 | 1310/1550nm | 單模 | 37 / 35 | 1/1 |
| 思祿克2104 | 1550/1625nm | 單模 | 38 / 38 | 1/1 |
| 思祿克2105 | 1550/1625nm (內(nèi)置濾波器 | 單模 | 37 /37 | 1/1 |
| 思祿克2106 | 1550 /1650nm | 單模 | 38 / 38 | 1/1 |
| 思祿克2107 | 1550 /1650nm (內(nèi)置濾波器 | 單模 | 37/ 37 | 1/1 |
| 思祿克2201 | 850nm/1300nm | 多模 | 26 / 36dB | 2.5/2 |
| 思祿克3101 | 1310/1490/1550nm | 單模 | 39 / 34/ 38 | 1/1/1 |
| 思祿克3102 | 1310/1550nm/1625nm | 單模 | 40 / 38 / 38 | 1/1/1 |
| 思祿克3103 | 1310/1550nm/1625nm(內(nèi)置濾波器 | 單模 | 39/ 37 / 37 | 1/1/1 |
| 思祿克104 | 1310/1550 /1650 nm | 單模 | 40/ 38 / 37 | 1/1/1 |
| 思祿克3105 | 1310/1550/1650nm(內(nèi)置濾波器 | 單模 | 39/ 37 / 37 | 1/1/1 |
| 思祿克4001 | 850/1300/1310/1550nm | 單多模 | 24/34/34/34 | 2/2/1/1 |
| 思祿克4101 | 1310/1490/1550/1625nm | 單模 | 35/32/34/34 | 1/1/1/1 |
| 思祿克102 | 1310/1383/1550/1625nm | 單模 | 35/32/34/34 | 1/1/1/1 |
注：標(biāo)準(zhǔn)模塊必須且只能選一項。
環(huán)境溫度23℃，最大測試脈沖寬度，平均次數(shù)大于300。
l 主機
| 序號 | 說明 | LCD顯示亮度 |
| 思祿克S2102-SS | 高性能多功能光時域反射計主機 | 標(biāo)準(zhǔn) |
l 標(biāo)配附件
| 序號 | 名稱 | 數(shù)量 |
| 1 | 電源線 | 1 |
| 2 | AC/DC電源適配器 | 1 |
| 3 | 產(chǎn)品合格證 | 1 |
| 4 | 用戶手冊 | 1 |
| 5 | 光盤（內(nèi)含模擬分析軟件） | 1 |
| 6 | 儀器專用工程塑料箱（含背帶） | 1 |
| 7 | 儀器專用背帶 | 1 |
注：OTDR接口類型標(biāo)配為FC/UPC，F(xiàn)C/APC類型可選
絕緣紙介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀
GB/T1409測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻
（包括米波波長在內(nèi)）
下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法
絕緣紙介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀1、范圍
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了在15Hz〜300MHz的頻率范圍內(nèi)測量電容率、介質(zhì)損耗因數(shù)的方法，并由此計算某些數(shù)值，如損耗指數(shù)。本標(biāo)準(zhǔn)中所敘述的某些方法，也能用于其他頻率下測量。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于測量液體、易熔材料以及固體材料。測試結(jié)果與某些物理條件有關(guān)，例如頻率、溫度、濕度，在特殊情況下也與電場強度有關(guān)。
有時在超過1000V的電壓下試驗，則會引起一些與電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)無關(guān)的效應(yīng)，對此不予論述。
絕緣紙介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀2、規(guī)范性引用文件
下列文件中的條款通過本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn)，然而，鼓勵根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達成協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的zui新版本。凡是不注日期的引用文件，其zui新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。
IEC60247:1978 液體絕緣材料相對電容率、介質(zhì)損耗因數(shù)和直流電阻率的測量
絕緣紙介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀3、術(shù)語和定義
下列術(shù)語和定義適用于本標(biāo)準(zhǔn)。
3.1
相對電容率relative permittivity
ε r
電容器的電極之間及電極周圍的空間全部充以絕緣材料時，其電容Cx與同樣電極構(gòu)形的真空電容Co之比；
……………………………（1）
式中；
εr——相對電容率;
Cx——充有絕緣材料時電容器的電極電容；
Co——真空中電容器的電極電容。
在標(biāo)準(zhǔn)大氣壓下，不含二氧化碳的干燥空氣的相對電容率ε r等于1.00053，因此，用這種電極構(gòu)形在空氣中的電容Cx來代替Co測量相對電容率εr時，也有足夠的精確度。
在一個測量系統(tǒng)中，絕緣材料的電容率是在該系統(tǒng)中絕緣材料的相對電容率εr與真空電氣常數(shù)εr的乘積。
在SI制中，絕對電容率用法/米（F/m）表示。而且，在SI單位中，電氣常數(shù)εr，為：
……………………………（2）
在本標(biāo)準(zhǔn)中，用皮法和厘米來計算電容，真空電氣常數(shù)為:ε0=0.088 54 pF/cm
3.2
介質(zhì)損耗角dielectric loss angle
δ
由絕緣材料作為介質(zhì)的電容器上所施加的電壓與由此而產(chǎn)生的電流之間的相位差的余角。
3.3
介質(zhì)損耗因數(shù)1） dielectric dissipation factor
tanδ
損耗角δ的正切。
3.4
[介質(zhì)]損耗指數(shù) [dielectric] loss index
ε＇＇r
該材料的損耗因數(shù)tanδ與相對電容率εr的乘積。
3.5
復(fù)相對電容率 complex relative permittivity
εr
由相對電容率和損耗指數(shù)結(jié)合而得到的：
式中：
εr——復(fù)相對電容率；
ε＇＇r——損耗指數(shù)；
ε＇r、εr——相對電容率；
tanδ——介質(zhì)損耗因數(shù)。
注：有損耗的電容器在任何給定的頻率下能用電容Cs和電阻Rs的串聯(lián)電路表示，或用電容CP和電阻RP（或電導(dǎo)CP）并聯(lián)電路表示。
并聯(lián)等值電路 串聯(lián)等值電路
式中：
Cs——串聯(lián)電容；
Rs——串聯(lián)電阻；
1）有些國家用“損耗角正切”來表示“介質(zhì)損耗因數(shù)”，因為損耗的測量結(jié)果是用損耗角的正切來報告的。
CP——并聯(lián)電容；
RP——并聯(lián)電阻。
雖然以并聯(lián)電路表示一個具有介質(zhì)損耗的絕緣材料通常是合適的，但在單一頻率下，有時也需要以電容Cs和電阻Rs的串聯(lián)電路來表示。
串聯(lián)元件與并聯(lián)元件之間，成立下列關(guān)系：
式（9）、（10）、（11）中：Cs、Rs、CP、RP、tanδ同式（7）、（8）。
無論串聯(lián)表示法還是并聯(lián)表示法，其介質(zhì)損耗因數(shù)tanδ是相等的。
假如測量電路依據(jù)串聯(lián)元件來產(chǎn)生結(jié)果，且tanδ太大而在式（9）中不能被忽略，則在計算電容率前必須先計算并聯(lián)電容。
本標(biāo)準(zhǔn)中的計算和測量是根據(jù)電流（ω=πf）正弦波形作出的。
絕緣紙介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀4、電氣絕緣材料的性能和用途
4.1電介質(zhì)的用途
電介質(zhì)一般被用在兩個不同的方面：
用作電氣回路元件的支撐，并且使元件對地絕緣及元件之間相互絕緣；
用作電容器介質(zhì)。
4.2影響介電性能的因素
下面分別討論頻率、溫度、濕度和電氣強度對介電性能的影響。
4.2.1頻率
因為只有少數(shù)材料如石英玻璃、聚苯乙烯或聚乙烯在很寬的頻率范圍內(nèi)它們的εr和tanδ幾乎是恒定的，且被用作工程電介質(zhì)材料，然而一般的電介質(zhì)材料必須在所使用的頻率下測量其介質(zhì)損耗因數(shù)和電容率。
電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的變化是由于介質(zhì)極化和電導(dǎo)而產(chǎn)生，最重要的變化是極性分子引起的偶極子極化和材料的不均勻性導(dǎo)致的界面極化所引起的。
4.2.2溫度
損耗指數(shù)在一個頻率下可以出現(xiàn)一個最大值，這個頻率值與電介質(zhì)材料的溫度有關(guān)。介質(zhì)損耗因數(shù)和電容率的溫度系數(shù)可以是正的或負的，這取決于在測量溫度下的介質(zhì)損耗指數(shù)最大值位置。
4.2.3濕度
極化的程度隨水分的吸收量或電介質(zhì)材料表面水膜的形成而增加，其結(jié)果使電容率、介質(zhì)損耗因數(shù)和直流電導(dǎo)率增大。因此試驗前和試驗時對環(huán)境濕度進行控制是必不可少的。
注：濕度的顯著影響常常發(fā)生在1MHz以下及微波頻率范圍內(nèi)。
4.2.4電場強度
存在界面極化時，自由離子的數(shù)目隨電場強度增大而增加，其損耗指數(shù)最大值的大小和位置也隨此而變。
在較高的頻率下，只要電介質(zhì)中不出現(xiàn)局部放電，電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)與電場強度無關(guān)。
絕緣紙介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀5、試樣和電極
5.1固體絕緣材料
5.1.1試樣的幾何形狀
測定材料的電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)，zui好采用板狀試樣，也可采用管狀試樣。
在測定電容率需要較高精度時，最大的誤差來自試樣尺寸的誤差，尤其是試樣厚度的誤差，因此厚度應(yīng)足夠大，以滿足測量所需要的精確度。厚度的選取決定于試樣的制備方法和各點間厚度的變化。對1%的精確度來講，1.5mm的厚度就足夠了，但是對于更高精確度，zui好是采用較厚的試樣，例如6mm〜12mm。測量厚度必須使測量點有規(guī)則地分布在整個試樣表面上，且厚度均勻度在±1%內(nèi)。如果材料的密度是已知的，則可用稱量法測定厚度。選取試樣的面積時應(yīng)能提供滿足精度要求的試樣電容。測量10pF的電容時，使用有良好屏蔽保護的儀器。由于現(xiàn)有儀器的極限分辨能力約1pF，因此試樣應(yīng)薄些，直徑為10cm或更大些。
需要測低損耗因數(shù)值時，很重要的一點是導(dǎo)線串聯(lián)電阻引人的損耗要盡可能地小，即被測電容和該電阻的乘積要盡可能小。同樣，被測電容對總電容的比值要盡可能地大。第一點表示導(dǎo)線電阻要盡可能低及試樣電容要小,第二點表示接有試樣橋臂的總電容要盡可能小，且試樣電容要大。因此試樣電容zui好取值為20pF，在測量回路中，與試樣并聯(lián)的電容不應(yīng)大于約5pF，
5.1.2電極系統(tǒng)
5.1.2.1加到試樣上的電極
電極可選用5.1.3中任意一種。如果不用保護環(huán)，而且試樣上下的兩個電極難以對齊時，其中一個電極應(yīng)比另一個電極大些。已經(jīng)加有電極的試樣應(yīng)放置在兩個金屬電極之間，這兩個金屬電極要比試樣上的電極稍小些。對于平板形和圓柱形這兩種不同電極結(jié)構(gòu)的電容計算公式以及邊緣電容近似計算的經(jīng)驗公式由表1給出。
對于介質(zhì)損耗因數(shù)的測量，這種類型的電極在高頻下不能滿足要求，除非試樣的表面和金屬板都非常平整。圖1所示的電極系統(tǒng)也要求試樣厚度均勻。.
5.1.2.2試樣上不加電極
表面電導(dǎo)率很低的試樣可以不加電極而將試樣插入電極系統(tǒng)中測量，在這個電極系統(tǒng)中，試樣的一側(cè)或兩側(cè)有一個充滿空氣或液體的間隙。
平板電極或圓柱形電極結(jié)構(gòu)的電容計算公式由表3給出。
下面兩種型式的電極裝置特別合適.
5.1.2.2.1空氣填充測微計電極
當(dāng)試樣插入和不插人時，電容都能調(diào)節(jié)到同一個值，不需進行測量系統(tǒng)的電氣校正就能測定電容率。電極系統(tǒng)中可包括保護電極。
5.1.2.2.2流體排出法
在電容率近似等于試樣的電容率，而介質(zhì)損耗因數(shù)可以忽略的一種液體內(nèi)進行測量，這種測量與試樣厚度測量的精度關(guān)系不大。當(dāng)相繼采用兩種流體時，試樣厚度和電極系統(tǒng)的尺寸可以從計算公式中消去。
試樣為與試驗池電極直徑相同的圓片，或?qū)y微計電極來說，試樣可以比電極小到足以使邊緣效應(yīng)忽略不計。在測微計電極中，為了忽略邊緣效應(yīng)，試樣直徑約比測微計電極直徑小兩倍的試樣厚度。
5.1.2.3邊緣效應(yīng)
為了避免邊緣效應(yīng)引起電容率的測量誤差，電極系統(tǒng)可加上保護電極。保護電極的寬度應(yīng)至少為兩倍的試樣厚度，保護電極和主電極之間的間隙應(yīng)比試樣厚度小。假如不能用保護環(huán)，通常需對邊緣電容進行修正，表1給出了近似計算公式。這些公式是經(jīng)驗公式，只適用于規(guī)定的幾種特定的試樣形狀。
此外，在一個合適的頻率和溫度下，邊緣電容可采用有保護環(huán)和無保護環(huán)的（比較）測量來獲得，用所得到的邊緣電容修正其他頻率和溫度下的電容也可滿足精度要求。
5.1.3構(gòu)成電極的材料
5.1.3.1金屬箔電極
用極少量的硅脂或其他合適的低損耗粘合劑將金屬箔貼在試樣上。金屬箔可以是純錫或鉛，也可以是這些金屬的合金，其厚度最大為100μm，也可使用厚度小于10μm的鋁箔。但是，鋁箔在較高溫度下易形成一層電絕緣的氧化膜，這層氧化膜會影響測量結(jié)果，此時可使用金箔。
5.1.3.2燒熔金屬電極
燒熔金屬電極適用于玻璃、云母和陶瓷等材料，銀是普遍使用的，但是在高溫或高濕下，zui好采用金。
5.1.3.3噴鍍金屬電極
鋅或銅電極可以噴鍍在試樣上，它們能直接在粗糙的表面上成膜。這種電極還能噴在布上，因為它們不穿透非常小的孔眼。
5.1.3.4陰極蒸發(fā)或高真空蒸發(fā)金屬電極
假如處理結(jié)果既不改變也不破壞絕緣材料的性能，而且材料承受高真空時也不過度逸出氣體，則本方法是可以采用的。這一類電極的邊緣應(yīng)界限分明。
5.1.3.5汞電極和其他液體金屬電極
把試樣夾在兩塊互相配合好的凹模之間，凹模中充有液體金屬，該液體金屬必須是純凈的。汞電極不能用于高溫，即使在室溫下用時，也應(yīng)采取措施，這是因為它的蒸氣是有毒的。
伍德合金和其他低熔點合金能代替汞。但是這些合金通常含有鎘，鎘象汞一樣，也是毒性元素。這些合金只有在良好抽風(fēng)的房間或在抽風(fēng)柜中才能用于100℃以上，且操作人員應(yīng)知道可能產(chǎn)生的健康危害。
5.1.3.6導(dǎo)電漆
無論是氣干或低溫烘干的高電導(dǎo)率的銀漆都可用作電極材料。因為此種電極是多孔的，可透過濕氣，能使試樣的條件處理在涂上電極后進行，對研究濕度的影響時特別有用。此種電極的缺點是試樣涂上銀漆后不能馬上進行試驗，通常要求12h以上的氣干或低溫烘干時間，以便去除所有的微量溶劑，否則，溶劑可使電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)增加。同時應(yīng)注意漆中的溶劑對試樣應(yīng)沒有持久的影響。
要使用刷漆法做到邊緣界限分明的電極較困難，但使用壓板或壓敏材料遮框噴漆可克服此局限。但在極高的頻率下，因銀漆電極的電導(dǎo)率會非常低，此時則不能使用。
5.1.3.7石墨
一般不推薦使用石墨，但是有時候也可采用，特別是在較低的頻率下。石墨的電阻會引起損耗的顯著增大，若采用石墨懸浮液制成電極，則石墨還會穿透試樣。
5.1.4電極的選擇
5.1.4.1板狀試樣
考慮下面兩點很重要：
a）不加電極，測量時快而方便，并可避免由于試樣和電極間的不良接觸而引起的誤差。
b）若試樣上是加電極的，由測量試樣厚度h時的相對誤差△h/h所引起的相對電容率的相對誤差△εr/εr可由下式得到：
……………………………（12）
式中：
△εr——相對電容率的偏差；
εr——相對電容率；
h——試樣厚度；
Ah——試樣厚度的偏差。
若試樣上加電極，且試樣放在有固定距離S>h的兩個電極之間，這時
……………………………（13）
式中：
△εr、εr、h同式（12）。
εr——試樣浸入所用流體的相對電容率，對于在空氣中的測量則εr等于1。
對于相對電容率為10以上的無孔材料，可采用沉積金屬電極。對于這些材料，電極應(yīng)覆蓋在試樣的整個表面上，并且不用保護電極。對于相對電容率在3〜10之間的材料，能給出最高精度的電極是金屬箔、汞或沉積金屬，選擇這些電極時要注意適合材料的性能。若厚度的測量能達到足夠精度時，試樣上不加電極的方法方便而更可取。假如有一種合適的流體，它的相對電容率已知或者能很準(zhǔn)確地測出，則采用流體排出法是zui好的。
5.1.4.2管狀試樣
對管狀試樣而言，最合適的電極系統(tǒng)將取決于它的電容率、管壁厚度、直徑和所要求的測量精度。一般情況下，電極系統(tǒng)應(yīng)為一個內(nèi)電極和一個稍為窄一些的外電極和外電極兩端的保護電極組成，外電極和保護電極之間的間隙應(yīng)比管壁厚度小。對小直徑和中等直徑的管狀試樣，外表面可加三條箔帶或沉積金屬帶，中間一條用作為外電極（測量電極），兩端各有一條用作保護電極。內(nèi)電極可用汞，沉積金屬膜或配合較好的金屬芯軸。
高電容率的管狀試樣，其內(nèi)電極和外電極可以伸展到管狀試樣的全部長度上，可以不用保護電極。
大直徑的管狀或圓筒形試樣，其電極系統(tǒng)可以是圓形或矩形的搭接，并且只對管的部分圓周進行試驗。這種試樣可按板狀試樣對待，金屬箔、沉積金屬膜或配合較好的金屬芯軸內(nèi)電極與金屬箔或沉積金屬膜的外電極和保護電極一起使用。如采用金屬箔做內(nèi)電極，為了保證電極和試樣之間的良好接觸，需在管內(nèi)采用一個彈性的可膨脹的夾具。
對于非常準(zhǔn)確的測量，在厚度的測量能達到足夠的精度時，可采用試樣上不加電極的系統(tǒng)。對于相對電容率εr不超過10的管狀試樣，最方便的電極是用金屬箔、汞或沉積金屬膜。相對電容率在10以上的管狀試樣，應(yīng)采用沉積金屬膜電極；瓷管上可采用燒熔金屬電極。電極可像帶材一樣包覆在管狀試樣的全部圓周或部分圓周上。
5.2液體絕緣材料
5.2.1試驗池的設(shè)計
對于低介質(zhì)損耗因數(shù)的待測液體，電極系統(tǒng)最重要的特點是：容易清洗、再裝配（必要時）和灌注液體時不移動電極的相對位置。此外還應(yīng)注意：液體需要量少，電極材料不影響液體，液體也不影響電極材料，溫度易于控制，端點和接線能適當(dāng)?shù)仄帘；支撐電極的絕緣支架應(yīng)不浸沉在液體中，還有，試驗池不應(yīng)含有太短的爬電距離和尖銳的邊緣，否則能影響測量精度。
滿足上述要求的試驗池見圖2〜圖4。電極是不銹鋼的，用硼硅酸鹽玻璃或石英玻璃作絕緣，圖2和圖3所示的試驗池也可用作電阻率的測定，1EC 60247:1978對此已詳細敘述。
由于有些液體如氯化物，其介質(zhì)損耗因數(shù)與電極材料有明顯的關(guān)系，不銹鋼電極不總是最合適的。有時，用鋁和杜拉鋁制成的電極能得到比較穩(wěn)定的結(jié)果。
5.2.2試驗池的準(zhǔn)備
應(yīng)用一種或幾種合適的溶劑來清洗試驗池，或用不含有不穩(wěn)定化合物的溶劑多次清洗？梢酝ㄟ^化學(xué)試驗方法檢查其純度，或通過一個已知的低電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的液體試樣測量的結(jié)果來確定。3試驗池試驗幾種類型的絕緣液體時，若單獨使用溶劑不能去除污物，可用一種柔和的擦凈劑和水來清潔試驗池的表面。若使用一系列溶劑清洗時則最后要用最大沸點低于100°C的分析級的石油醚來再次清洗，或者用任一種對一個已知低電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的液體測量能給出正確值的溶劑來清洗，并且這種溶劑在化學(xué)性質(zhì)上與被試液體應(yīng)是相似的。推薦使用下述方法進行清洗。
試驗池應(yīng)全部拆開，徹底地清洗各部件，用瑢劑回流的方法或放在未使用溶劑中攪動反復(fù)洗滌方法均可去除各部件上的溶劑并放在清潔的烘箱中，在110℃左右的溫度下烘干30min。
待試驗池的各部件冷卻到室溫，再重新裝配起來。池內(nèi)應(yīng)注人一些待試的液體，停幾分鐘后，倒出此液體再重新倒人待試液體，此時絕緣支架不應(yīng)被液體弄濕。
在上述各步驟中，各部件可用干凈的鉤針或鉗子巧妙地處理，以使試驗池有效的內(nèi)表面不與手接觸。
注1:在同種質(zhì)量油的常規(guī)試驗中，上面所說的淸洗步驟可以代之為在每一次試驗后用沒有殘留紙屑的干紙簡單地擦擦試驗池。
注2:采用溶劑時，有些溶劑特別是苯、四氧化碳、甲苯、二甲苯是有毒的，所以要注意防火及毒性對人體的影響，此外，氧化物溶劑受光作用會分解。
5.2.3試驗池的校正
當(dāng)需要高精度測定液體電介質(zhì)的相對電容率時，應(yīng)首先用一種已知相對電容率的校正液體（如苯）來測定“電極常數(shù)＇。
“電極常數(shù)”C。的確定按式（14）:
……………………………（14）
式中：
Cc——電極常數(shù)；
Co——空氣中電極裝置的電容；
Cn——充有校正液體時電極裝置的電容；
εn——校正液體的相對電容率。
從C。和Cc的差值可求得校正電容Cg
并按照公式
來計算液體未知相對電容率εx。
式中：
Cg——校正電容；
Co——空氣中電極裝置的電容；
Cc——電極常數(shù)|
Cx——電極裝置充有被試液體時的電容；
εx——液體的相對電容率。
假如Co、Cn和Cx值是在εn是已知的某一相同溫度下測定的，則可求得最高精度的εx值。
采用上述方法測定液體電介質(zhì)的相對電容率時，可保證其測得結(jié)果有足夠的精度，因為它消除了由于寄生電容或電極間隙數(shù)值的不準(zhǔn)確測量所引起的誤差。
絕緣紙介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀6、測置方法的選擇
測量電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的方法可分成兩種：零點指示法和諧振法。
6.1零點指示法適用于頻率不超過50MHz時的測量。測量電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)可用替代法；也就是在接入試樣和不接試樣兩種狀態(tài)下，調(diào)節(jié)回路的一個臂使電橋平衡。通；芈凡捎梦髁蛛姌、變壓器電橋（也就是互感耦合比例臂電橋）和并聯(lián)T型網(wǎng)絡(luò)。變壓器電橋的優(yōu)點：采用保護電極不需任何外加附件或過多操作，就可采用保護電極；它沒有其他網(wǎng)絡(luò)的缺點。
6.2諧振法適用于10kHz〜幾百MHz的頻率范圍內(nèi)的測量。該方法為替代法測量，常用的是變電抗法。但該方法不適合采用保護電極。
注：典型的電橋和電路示例見附錄。附錄中所舉的例子自然是不全面的，敘述電橋和測量方法報導(dǎo)見有關(guān)文獻和該種儀器的原理說明書。
絕緣紙介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀7、試驗步驟
7.1試樣的制備
試樣應(yīng)從固體材料上截取，為了滿足要求，應(yīng)按相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)方法的要求來制備。
應(yīng)精確地測量厚度，使偏差在±（0.2%土0.005mm）以內(nèi)，測量點應(yīng)均勻地分布在試樣表面。必要時，應(yīng)測其有效面積。
7.2條件處理
條件處理應(yīng)按相關(guān)規(guī)范規(guī)定進行。
7.3測量
電氣測量按本標(biāo)準(zhǔn)或所使用的儀器（電橋）制造商推薦的標(biāo)準(zhǔn)及相應(yīng)的方法進行。
在1MHz或更高頻率下，必須減小接線的電感對測量結(jié)果的影響。此時，可采用同軸接線系統(tǒng)（見圖1所示），當(dāng)用變電抗法測量時，應(yīng)提供一個固定微調(diào)電容器。
絕緣紙介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀8、結(jié)果
8.1相對電容率εr
試樣加有保護電極時其相對電容率εr可按公式（1）計算，沒有保護電極時試樣的被測電容C＇x包括了一個微小的邊緣電容Ce，其相對電容率為：
……………………………（17）
式中：
εr——相對電容率；
C＇x——沒有保護電極時試樣的電容；
Ce——邊緣電容;
Co——法向極間電容；
Co和Ce能從表1計算得來。
必要時應(yīng)對試樣的對地電容、開關(guān)觸頭之間的電容及等值串聯(lián)和并聯(lián)電容之間的差值進行校正。
測微計電極間或不接觸電極間被測試樣的相對電容率可按表2、表3中相應(yīng)的公式計算得來。
8.2介質(zhì)損耗因數(shù)tanδ
介質(zhì)損耗因數(shù)tanδ按照所用的測量裝置給定的公式，根據(jù)測出的數(shù)值來計算。
8.3精度要求
在第5章和附錄A中所規(guī)定的精度是：電容率精度為±1%，介質(zhì)損耗因數(shù)的精度為±（5%±0.0005）。這些精度至少取決于三個因素：即電容和介質(zhì)損耗因數(shù)的實測精度；所用電極裝置引起的這些量的校正精度；極間法向真空電容的計算精度（見表1）。
在較低頻率下，電容的測量精度能達±（0.1%土0.02pF），介質(zhì)損耗因數(shù)的測量精度能達±（2%±0.00005）。在較高頻率下，其誤差增大，電容的測量精度為±（0.5%±0，1PF），介質(zhì)損耗因數(shù)的測量精度為±（2%±0.0002）。
對于帶有保護電極的試樣，其測量精度只考慮極間法向真空電容時有計算誤差。但由被保護電極和保護電極之間的間隙太寬而引起的誤差通常大到百分之零點幾，而校正只能計算到其本身值的百分乏幾。如果試樣厚度的測量能精確到±0.005mm，則對平均厚度為1.6mm的試樣，其厚度測量誤差能達到百分之零點幾。圓形試樣的直徑能測定到±0.1%的精度，但它是以平方的形式引人誤差的，綜合這些因素，極間法向真空電容的測量誤差為±0.5%。
對表面加有電極的試樣的電容，若采用測微計電極測量時，只要試樣直徑比測微計電極足夠小，則只需要進行極間法向電容的修正。采用其他的一些方法來測量兩電極試樣時，邊緣電容和對地電容的計算將帶來一些誤差，因為它們的誤差都可達到試樣電容的2%〜40%。根據(jù)目前有關(guān)這些電容資料，計算邊緣電容的誤差為10%，計算對地電容的誤差為因此帶來總的誤差是百分之幾十到百分之幾。當(dāng)電極不接地時，對地電容誤差可大大減小。
采用測微計電極時，數(shù)量級是0.03的介質(zhì)損耗因數(shù)可測到真值的±0.0003，數(shù)量級0.0002的介質(zhì)損耗因數(shù)可測到真值的±0.00005介質(zhì)損耗因數(shù)的范圍通常是0.0001〜0.1，但也可擴展到0.1以上。頻率在10MHz和20MHz之間時，有可能檢測出0.00002的介質(zhì)損耗因數(shù)。1〜5的相對電容率可測到其真值的±2%，該精度不僅受到計算極間法向真空電容測量精度的限制，也受到測微計電極系統(tǒng)誤差的限制。
絕緣紙介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀9、試驗報告
試驗報告中應(yīng)給出下列相關(guān)內(nèi)容：
絕緣材料的型號名稱及種類、供貨形式、取樣方法、試樣的形狀及尺寸和取樣日期（并注明試樣厚度和試樣在與電極接觸的表面進行處理的情況）；
試樣條件處理的方法和處理時間；
電極裝置類型，若有加在試樣上的電極應(yīng)注明其類型；
測量儀器；
試驗時的溫度和相對濕度以及試樣的溫度；
施加的電壓；
施加的頻率；
相對電容率εr（平均值）；
介質(zhì)損耗因數(shù)tanδ（平均值）；
試驗日期；
相對電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)值以及由它們計算得到的值如損耗指數(shù)和損耗角，必要時，應(yīng)給出與溫度和頻率的關(guān)系。
表1 真空電容的計算和邊緣校正
| （1） | 極間法向電容 （單位：皮法和厘米） （2） | 邊緣電容的校正 （單位：皮法和厘米） （3） |
| 1.有保護環(huán)的圓盤狀電極 | ||
|
|
|
|
| 2.沒有保護環(huán)的圓盤狀電極 | ||
| a）電極直徑=試樣直徑
|
|
|
| b）上下電極相等，但比試樣小
|
其中：ε1 是試樣相對電容率的近似值，并且a≤h | |
表1（續(xù)）
| （1） | 極間法向電容 （單位：皮法和厘米） （2） | 邊緣電容的校正 （單位：皮法和厘米） （3） |
| c）電極直徑=試樣直徑
|
|
其中：ε1 是試樣相對電容率的近似值，并且a≤h |
| 3.有保護環(huán)的圓柱形電極 | ||
|
|
|
|
| 4.沒有保護環(huán)的圓柱形電極 | ||
|
|
|
其中：ε1 是試樣相對電容率的近似值 |
試樣的相對電容率：
其中：
C＇x——電極之間被測的電容；
In——自然對數(shù)；
Ig——常用對數(shù)。
表2 試樣電容的計算——接觸式測微計電極
| 試樣電容 | 注 | 符號定義’ |
| 1.并聯(lián)一個標(biāo)準(zhǔn)電容器來替代試樣電容 | CP——試樣的并聯(lián)電容 △C——取去試樣后，為恢復(fù)平衡時的標(biāo)準(zhǔn)電容器的電容增量 Cr——在距離為r時，測微計電極的標(biāo)定電容 Cs——取去試樣后，恢復(fù)平衡，測微計電極間距為s時的標(biāo)定電容Cor，Coh——測微計電極之間試樣所占據(jù)的，間距分別為r或h的空氣電容？捎帽1中的公式1來計算r——試樣與所加電極的厚度 h——試樣厚度 相對電容率: | |
| CP=△C+Cor | 試樣直徑至少比測微計電極的直徑小2r。在計算電容率時必須采用試樣的真實厚度h和面積A。 | |
| 2.取去試樣后減少測微計電極間的距離來替代試樣電容 | ||
| CP=Cs-Cr+Cor | 試樣直徑至少比測微計電極的直徑小2r。在計算電容率時必須采用試樣的真實厚度h和面積A。 | |
| 3.并聯(lián)一個標(biāo)準(zhǔn)電容器來替代試樣電容 當(dāng)試樣與電極的直徑同樣大小時，僅存在一個微小的誤差（因電極邊緣電場畸變引起0.2%〜0.5%的誤差），因而可以避免空氣電容的兩次計算。 | ||
| CP=△C+Coh | 試樣直徑等于測微計電極直徑，施于試樣上的電極的厚度為零。 | |
表3電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的計算——不接觸電極
| 相對電容率 （1） | 介質(zhì)損耗因數(shù) （2） | 符號意義 （3） |
| 1.測微計電極（在空氣中） |
| |
|
若ho 調(diào)到一個新值h＇o，而△C=0時
| tanδx= tanδc +M·εr·△tanδ
| △C——試樣插人時電容的改變量（電容增加時為+號） C1——裝有試樣時的電容 C1——僅有流體時的電容，其值為εr•Co Co——所考慮的區(qū)域上的真空電容，其值為εo•A/h0 A——試樣一個面的面積，用 厘米2表示（試驗的面積大于等于電極面積時） ε1——在試驗溫度下的流體相對電容率（對空氣而言εr ＝1. 00) ε0——電氣常數(shù)用皮法/厘米表示 △tanδ——試樣插入時，損耗因數(shù)的增加量 tanδc——裝有試樣時的損耗因數(shù) tanδx試樣的損耗因數(shù)的計算值 d0——內(nèi)電極的外直徑 d1——試樣的內(nèi)直徑 d2試樣的外直徑 d3——外電極的內(nèi)直徑 h0——平行平板間距 h——試樣的平均厚度 M——h0 /h—1 lg――常用對數(shù) 注；在二流體法的公式中，腳注1和2分別表示第一種和第二種流體。 |
| 2. 平板電極——流體排出法 | ||
|
| tanδx= tanδc +M·εr·△tanδ
| |
| 當(dāng)試樣的損耗因數(shù)小于1時，可以用下列公式: | ||
|
|
| |
| 3. 圓柱形電極——流體排出法（用于tanδ小于0.1時） | ||
|
|
| |
| 4. 二流體法——平板電極（用于tanδx小于0. 1時） | ||
|
|
| |
| 1——測微計頭； | 6——微調(diào)電容器； |
| 2——連接可調(diào)電極（B)的金屬波紋管； | 7——接檢測器； |
| 3——放試樣的空間（試樣電容器M1； | 8——接到電路上； |
| 4——固定電極（A）； | 9——可調(diào)電極（B）。 |
| 5——測微計頭； |
|
圖1 用于固體介質(zhì)測量的測微計——電容器裝置
單位為毫米
| 1——內(nèi)電極； | 1——把柄； |
| 2——外電極； | 5——棚硅酸鹽或石英墊圈； |
| 3——保護環(huán)； | 6——硼硅酸鹽或石英墊圈。 |
圖2 液體測量的三電極試驗池示例
注滿試驗池所需的液體量大約15mL
1——溫度計插孔；
2——絕緣子；
3——過剩液體溢流的兩個出口。
圖3 測量液體的兩電極試驗池示例
1——溫度計插孔；
2——1mm厚的金屬板；
3——石英玻璃；
4——1mm或2mm的間隙；
5——溫度計插孔
圖4 液體測量的平板兩電極試驗池
POB-590多功能損耗測試儀
產(chǎn)品簡述：
產(chǎn)品概述：下一代的多功能測試儀：更強大的功能，更出色的性能
All-in-one unit：集成五種測試設(shè)備`損耗測試儀`光功率計`光回損儀ORL`可視性故障定位儀VFL`多模和單模光源主要功能：主要特征：性能指標(biāo)：功率計 POB-590 POB-590A探測器 IngaAs IngaAs 測試范圍 10 ~ -70 26 ~ -55不確定度（dBm） ±5%（±0.1nW） ±5%（±3nW）波長范圍（nm） 800~1650 800~1650顯示分辨率（dB） 0.01 0.01校準(zhǔn)波長 4 4自動補償 Yes Yes光源 標(biāo)準(zhǔn) -A -M發(fā)射器類型 FP LD DFB LD LD波長（nm） 1310±201550±20 1310±101550±10 830-8601300±20最小輸出功率（dBm） 0/0 2/2 -5/-5光譜寬度（nm） ≤4/≤4 ≤1/≤1 ≤5/≤5穩(wěn)定性（15min）（dB） ±0.02 ±0.01 ±0.05
ORL測試 標(biāo)準(zhǔn) -A VFL ORL測試范圍（dB） 65/60 65/65 發(fā)射器類型 LaserORL測試精度（dB） ±0.5 ±0.1 波長 650分辨率（dB） 0.01 0.01 輸出功率（dBm） 5
JS-9000DFKT-抗干擾介質(zhì)損耗測試儀-損耗測試儀-損耗測試儀
| JS-9000D抗干擾介質(zhì)損耗測試儀 | ||||||||||||||||||||||||
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| 本目錄是上海菲柯特電氣科技有限公司為您精選的JS-9000D抗干擾介質(zhì)損耗測試儀產(chǎn)品，歡迎您來電咨詢該產(chǎn)品的詳細信息！JS-9000D抗干擾介質(zhì)損耗測試儀的種類有很多，不同的應(yīng)用也會有細微的差別，本公司為您提供的解決方案。 1.JS-9000D抗干擾介質(zhì)損耗測試儀概述 自動介質(zhì)損耗儀是一種新穎的測量介質(zhì)損耗角正切（tgδ）和電容值（Cx）的自動化儀表？梢栽诠ゎl高電壓下，現(xiàn)場測量各種絕緣材料、絕緣套管、電力電纜、電容器、互感器、電容式電壓互感器（CVT）、變壓器、發(fā)電機等高壓設(shè)備的介質(zhì)損耗角正切（tgδ）和電容值（Cx）。與西林電容電橋相比，具有操作簡單、自動測量、讀數(shù)直觀、無需換算、精度高、抗干擾能力強等優(yōu)點。儀器內(nèi)部標(biāo)準(zhǔn)電容器和升電壓裝置，在“內(nèi)接”方式下使用，無需其它外接設(shè)備，便于攜帶。 ● JS-9000D抗干擾介質(zhì)損耗測試儀具有多種測量方式，可選擇正/反接線、內(nèi)/外標(biāo)準(zhǔn)電容器、CVT和內(nèi)/外試驗電壓進行測量。正接線可測量高壓介損。 ● JS-9000D抗干擾介質(zhì)損耗測試儀測量電容式電壓互感器（CVT）時，無需其它外接設(shè)備。 ●JS-9000D抗干擾介質(zhì)損耗測試儀 內(nèi)置SF6標(biāo)準(zhǔn)電容器，tgδ<0.005%,受空氣濕度影響小。 ● JS-9000D抗干擾介質(zhì)損耗測試儀抗干擾效果好；能地消除強烈的電場干擾對測量的影響，適用于500kv極其以下電站的強干擾現(xiàn)場試驗。 ●JS-9000D抗干擾介質(zhì)損耗測試儀 高壓短路和突然斷電時，儀器能迅速切斷高壓，并發(fā)出警告信息。 ● JS-9000D抗干擾介質(zhì)損耗測試儀測量重復(fù)性好，電壓線性好（測量度不受電壓影響） ● JS-9000D抗干擾介質(zhì)損耗測試儀一體化結(jié)構(gòu)，重量適中，便于攜帶。 ● 大屏幕帶背光中文液晶顯示器信息提示操作，使用方便。 ● JS-9000D抗干擾介質(zhì)損耗測試儀儀器自帶打印機，及時保存測試數(shù)據(jù)。 ● JS-9000D抗干擾介質(zhì)損耗測試儀高壓電纜連接至試品，保障安全；儀器未接地報警，安全措施完備。 2.JS-9000D抗干擾介質(zhì)損耗測試儀技術(shù)指標(biāo) 2.1額定工作條件 2.1.1環(huán)境溫度：0~40℃（當(dāng)溫度超出20℃±5℃時，每變化10℃儀器基本誤差的改變量不超過基本誤差限的1/2。） 2.1.2相對濕度：30%~85% 2.1.3供電電源：電壓：220V±22V,頻率：50±1Hz 2.2JS-9000D抗干擾介質(zhì)損耗測試儀外型尺寸：a×b×h,mm:450×330×380 2.3JS-9000D抗干擾介質(zhì)損耗測試儀儀器重量：不大于18kg 2.4電子電路功耗：不大于40VA 2.5JS-9000D抗干擾介質(zhì)損耗測試儀測量范圍： 2.5.1介質(zhì)損耗（tgδ）:0~1 分辨率0.0001 2.5.2電容量（Cx）: 最小分辨率0.01PF 2.5.2.1內(nèi)接方式 試驗電壓 試品電容量 5KV 7.5KV 10KV 3PF~40000PF 1.5KV 2.25KV 3K 10PF~0.35μF 0.5kv 0.75kv 1kv 30PF~1.5μF 2.5.2.2外接方式 “外接升壓器”方式試驗電壓10KV “外接Cn”方式（外接高壓、外接標(biāo)準(zhǔn)電容器）試驗電壓由標(biāo)準(zhǔn)電容器和被試品決定（Umax=Imax/ωC） 標(biāo)準(zhǔn)回路最大電流50mA（In=UωCn） 被試回路最大電流2A（Ix=UωCx） 2.6JS-9000D抗干擾介質(zhì)損耗測試儀基本測量誤差 產(chǎn)品在環(huán)境溫度20℃±5℃、相對濕度30%~85%的條件下，應(yīng)符合表1之規(guī)定。 表1
2.7JS-9000D抗干擾介質(zhì)損耗測試儀內(nèi)部升壓器輸出能力 輸出電壓 額定輸出電流 5kv 7.5kv 10kv 100mA 1.5kv 2.25kv 3kv 300mA 0.5kv 0.75kv 1kv 500mA |
ST5654-1A絕緣油介質(zhì)損耗測試儀
主要技術(shù)參數(shù)
輸入電源： 180V~270VAC，50Hz/60Hz，100W
工作環(huán)境： 溫度范圍：-10℃~40℃ ，相對濕度<90%
變壓器容量損耗測試儀
SB2204/3 智能化介質(zhì)損耗測試儀
額定工作條件：溫度0～40℃，相對濕度：30%～85%，供電電源220V±22V 50±1Hz
| 測量內(nèi)容 | tgδ范圍 | 電容量范圍(Cx) | 試品類型 | 基本誤差 |
| 介質(zhì)損 耗因數(shù) tgδ | 0～0.5 | 50pF～60000pF | 非接地 | ±(1%讀數(shù)+0.0005) |
| 接地 | ±(1%讀數(shù)+0.0010) | |||
| 10pF～50pF或 60000pF以上 | 非接地 | ±(1%讀數(shù)+0.0010) | ||
| 接地 | ±(2%讀數(shù)+0.002) | |||
| 3pF～10pF | 非接地 與接地 | |||
| 電容量 | 50pF以上 | ±(1%讀數(shù)+1pF) | ||
| 50pF以下 | ±(1%讀數(shù)+2pF) |
聯(lián)系我們：http://www.1718sh.com 電話：021-51575232 51575252 傳真：021-51575133 地址：上海市中山西路2281號徐匯晶典大廈15樓
FP-2000全自動油介質(zhì)損耗測試儀
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