可控硅控制器主要技術(shù)參數(shù)：觸發(fā)輸出：寬脈沖列脈沖寬度：180°-α脈沖峰值：>500mA脈沖列調(diào)制頻率：10KHz移相范圍：0-170°調(diào)節(jié)特性：恒流、恒壓精度1%反饋信號(hào)輸入反饋電壓：直流15V，內(nèi)阻6KΩ。 交流110V，內(nèi)阻50KΩ。反饋電流：75mV分流器，內(nèi)阻1Ω。 交流110mA，內(nèi)阻1Ω。輸入控制信號(hào)：DC 0-10V或電位器外形尺寸：175X143X60mm整機(jī)重量：0.8kg
可控硅控制器適用于單相全波、單相半控橋整流電路和可控硅反并聯(lián)（或雙向可控硅）的單向交流調(diào)壓電路。
晶閘管少子壽命測(cè)試儀主要技術(shù)參數(shù)：
少子壽命測(cè)量范圍：0.1-99us外形尺寸：440X×440×150mm整機(jī)重量：10kg
晶閘管少子壽命測(cè)試儀用于測(cè)試可控硅或PN結(jié)（二極管）的長(zhǎng)基區(qū)少子壽命。數(shù)字顯示測(cè)試結(jié)果，自動(dòng)測(cè)試。
晶閘管通態(tài)壓降測(cè)試儀主要技術(shù)參數(shù)：峰值電流測(cè)量范圍： 100-9000A峰值壓降測(cè)量范圍： 0-7V外形尺寸：600×600×1000mm 整機(jī)重量： 80kg
晶閘管通態(tài)壓降測(cè)試儀使用范圍：◇ 用于測(cè)試普通可控硅、雙向可控 硅、快速可控硅、可控硅模塊的 通態(tài)峰值電流ITM和峰值壓降VTM◇ 用于測(cè)試整流管的正向峰值電流 IFM和峰值壓降VFM。 數(shù)字顯示測(cè)試結(jié)果，自動(dòng)測(cè)試。 通態(tài)峰值電流值測(cè)試前可設(shè)定，并具有良好的測(cè)試重復(fù)性。
晶閘管阻斷電壓測(cè)試儀主要技術(shù)參數(shù)：
正向斷態(tài)和反向阻斷電壓測(cè)量范圍：0-8000V 正向斷態(tài)和反向阻斷電流測(cè)量范圍：0-199mA 保護(hù)電流設(shè)定:0-199mA 外形尺寸：600×600×1000mm整機(jī)重量：80kg
晶閘管阻斷電壓測(cè)試儀用于測(cè)試普通可控硅、快速可控硅、雙向可控硅、可控硅模塊、整流管參數(shù)，數(shù)字顯示測(cè)試結(jié)果。對(duì)被測(cè)器件具有保護(hù)功能。注：保護(hù)電流值大小根據(jù)需要自行設(shè)定。
可控硅控制器主要技術(shù)參數(shù)：觸發(fā)輸出：寬脈沖列脈沖寬度：180°-α脈沖峰值：>500mA脈沖列調(diào)制頻率：10KHz移相范圍：0-170°調(diào)節(jié)特性：恒流、恒壓精度1%反饋信號(hào)輸入反饋電壓：直流15V，內(nèi)阻6KΩ。 交流110V，內(nèi)阻50KΩ。反饋電流：75mV分流器，內(nèi)阻1Ω。 交流110mA，內(nèi)阻1Ω。輸入控制信號(hào)：DC 0-10V或電位器外形尺寸：175X143X60mm整機(jī)重量：0.8kg
可控硅控制器適用于單相全波、單相半控橋整流電路和可控硅反并聯(lián)（或雙向可控硅）的單向交流調(diào)壓電路。
可控硅控制器主要技術(shù)參數(shù)：觸發(fā)輸出：六路寬脈沖列觸發(fā)，脈沖變壓 器輸出。 觸發(fā)電壓峰值≥6V 觸發(fā)電流峰值≥800mA輸入控制信號(hào)：A、B、C三路分別獨(dú)立控 制，直流控制電壓輸入5-24V （最小電流1mA）或繼電器接點(diǎn) 輸入等開(kāi)關(guān)控制。適用電壓: CF6G-3L 三相AC 400V CF6G-3M 三相AC 600V CF6G-3H 三相AC 1500V工作電源：220V±10% 50HZ外形尺寸：CF6G-3L 167×190×60mm CF6G-3M 167×190×60mm CF6G-3H 175×202×60mm整機(jī)重量：1.2kg 可控硅控制器適用各種三相交流無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)電路,特別適合并聯(lián)補(bǔ)償電容器的三相交流無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)裝置，適用于可控硅反并聯(lián)電路。
可控硅控制器主要技術(shù)參數(shù)：
觸發(fā)輸出：六路雙脈沖列脈沖寬度：>1.6ms脈沖峰值：>800mA各項(xiàng)脈沖不均勻度：≤1°移相范圍：0-170°輸入控制電壓：DC 0～10V或電位器輸入控制電流：DC 4～20mA脈沖封鎖信號(hào)：>5V外形尺寸：200X192X60mm整機(jī)重量：1.0kg
可控硅控制器適用于三相橋式半控、三相橋式全控或帶平衡電抗器的雙反星形可控整流電路。也適用于可控硅反并聯(lián)式三相交流調(diào)壓線路（如用于電加熱裝置等）。
可控硅控制器主要技術(shù)參數(shù)：觸發(fā)輸出：六路雙脈沖列脈沖寬度：>1.6ms脈沖峰值：>800mA各項(xiàng)脈沖不均勻度：≤1°移相范圍：0-170°調(diào)節(jié)特性：（電流電壓雙調(diào)節(jié)） 恒流、恒壓精度優(yōu)于1%反饋信號(hào)輸入反饋電壓：直流12V，內(nèi)阻6KΩ。反饋電流：交流互感器100mA,內(nèi)阻1Ω。 直流分流器75mV，內(nèi)阻1KΩ。 電流傳感器直流5V，內(nèi)阻50K。輸入控制信號(hào)：DC 0～-10V或電位器外形尺寸：262X192X60mm整機(jī)重量：1.3kg
可控硅控制器適用于三相橋式半控、三相橋式全控或帶平衡電抗器的雙反星形可控整流電路（如用于電鍍、電解、電氧化、電磁鐵、充電、電機(jī)勵(lì)磁等裝置）。
可控硅控制器主要技術(shù)參數(shù)：
觸發(fā)輸出：六路雙脈沖列脈沖寬度：>1ms脈沖峰值：>800mA移相范圍：0-170°調(diào)節(jié)特性：電流、速度（電壓）雙調(diào)節(jié)調(diào)速精度與范圍測(cè)速發(fā)電機(jī)反饋：±0.5% 1:30電壓反饋：±2% 1:30輸入控制信號(hào)：DC 0～15V或電位器反饋參數(shù)輸入速度（電壓）反饋：直流15V。電流反饋：交流電流互感器 100mA 直流分流器75mV，內(nèi)阻1KΩ。 電流傳感器直流5V，內(nèi)阻50K？刂品绞剑哼B續(xù)工作和點(diǎn)動(dòng)工作控制。外形尺寸：262X192X60mm整機(jī)重量：1.6kg
可控硅控制器適用于采用三相橋式半控、三相橋式全控或三相半波電路的直流電動(dòng)機(jī)調(diào)速裝置和其他三相整流裝置（如用于直流電動(dòng)機(jī)調(diào)速裝置等）。
可控硅控制器主要技術(shù)參數(shù)：
觸發(fā)輸出：六路雙脈沖列脈沖寬度：>6.6ms脈沖峰值：>800mA各項(xiàng)脈沖不均勻度：≤1°移相范圍：0-170°調(diào)節(jié)特性：（電流電壓雙調(diào)節(jié)） 恒流、恒壓精度優(yōu)于1%反饋信號(hào)輸入反饋電壓：直流12V，內(nèi)阻6KΩ。 交流110V，內(nèi)阻55KΩ 。 反饋電流：交流互感器100mA,內(nèi)阻1Ω。 直流分流器75mV，內(nèi)阻1KΩ。 電流傳感器直流5V，內(nèi)阻50K。輸入控制信號(hào)：DC 0～-10V或電位器外形尺寸：262X192X60mm整機(jī)重量：1.3kg
可控硅控制器適用于采用可控硅反并聯(lián)形式的三相交流調(diào)壓電路、電阻或電感性（變壓器）負(fù)載的交流調(diào)壓裝置。（如用于前端采用交流調(diào)壓，后端采用整流電路形式的電鍍、電解、電氧化等裝置）。