XF1407-YG606E紡織品阻測(cè)試儀 紡織品導(dǎo)性能檢測(cè)儀
DRL-III,DRL-III-C導(dǎo)熱系數(shù)測(cè)試儀（熱流法）,熱阻測(cè)試儀
DRL-III導(dǎo)熱系數(shù)測(cè)試儀（熱流法）,熱阻測(cè)試儀
、概論： 主要用于測(cè)試薄的熱導(dǎo)體、固體電絕緣材料、導(dǎo)熱硅脂、樹脂、橡膠、氧化鈹瓷、氧化鋁瓷等材料的熱阻以及固體界面處的接觸熱阻和材料的導(dǎo)熱系數(shù)。檢測(cè)材料為固態(tài)片狀，加圍框可檢測(cè)粉狀態(tài)材料及膏狀材料。 儀器參考標(biāo)準(zhǔn)：MIL-I-49456A（絕緣片材、導(dǎo)熱樹脂、熱導(dǎo)玻纖增強(qiáng)）；GB 5598（氧化鈹瓷導(dǎo)熱系數(shù)測(cè)定方法）；ASTM D5470-2012（薄的熱導(dǎo)性固體電絕緣材料傳熱性能的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)）等。
DRL-III熱流法導(dǎo)熱系數(shù)儀全部按到ASTM D5470-2012標(biāo)準(zhǔn)要求設(shè)計(jì)、制造。該產(chǎn)品我公司已積累了十多年生產(chǎn)制造、用戶實(shí)踐的經(jīng)驗(yàn)，使產(chǎn)品性能不斷完善與成熟。采用伺服電機(jī)控制精準(zhǔn)自動(dòng)加壓，自動(dòng)測(cè)厚裝置，并連計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)控制。儀器采用6點(diǎn)溫度梯度檢測(cè)，提高了測(cè)試精度。 測(cè)試頭內(nèi)測(cè)試桿周圍增加了防護(hù)熱裝置（對(duì)試樣進(jìn)行熱防護(hù)），減小了環(huán)境溫度對(duì)測(cè)試的影響。可檢測(cè)不同壓力下熱阻曲線，采用優(yōu)化的數(shù)學(xué)模型，可測(cè)量材料導(dǎo)熱系數(shù)和熱阻以及界面處接觸熱阻等多個(gè)參數(shù)。采用新技術(shù)冷端溫度自動(dòng)補(bǔ)償 ,不再需加冰水補(bǔ)償裝置。采用新技術(shù)冷端溫度自動(dòng)補(bǔ)償 ,不再需加冰水補(bǔ)償裝置。
用戶可根據(jù)占地實(shí)際選用標(biāo)準(zhǔn)型及小型機(jī)型（同性能），節(jié)約實(shí)驗(yàn)室空間。 廣泛應(yīng)用在高等院校，科研單位，質(zhì)檢部門和生產(chǎn)廠的材料導(dǎo)熱分析檢測(cè)。
二、主要技術(shù)參數(shù)： 1、試樣大小：Φ30mm或20x20mm（標(biāo)準(zhǔn)配置）,其它尺寸可定制。 2、試樣厚度： 0.001～50mm（標(biāo)準(zhǔn)配置)，典型厚度：0.02～20mm。 3、熱控溫范圍：室溫～100℃（標(biāo)準(zhǔn)配置），室溫～299.99℃,控溫精度0.01℃。 4、冷控溫范圍：0～99.00℃,控溫精度0.01℃（配有高精度，大容量低溫水槽）。 5、導(dǎo)熱系數(shù)測(cè)試范圍：0.01～50W/m.k, 1～300W/m.k,電腦軟件自動(dòng)切換量程。 6、熱阻測(cè)試范圍：0.05～0.000005m2.K/W。 7、壓力測(cè)量范圍：0～1000N,采用伺服電機(jī)控制，可精準(zhǔn)設(shè)置保壓的壓力值，控制精度1N。 8、測(cè)厚測(cè)量范圍：0～50.00mm，精度0.1um。自動(dòng)測(cè)厚。
9、試樣數(shù)量 ： 1塊（薄膜多片）。 10、測(cè)試精度：優(yōu)于3%。 11、實(shí)驗(yàn)方式：試樣不同壓力下熱阻測(cè)試、材料導(dǎo)熱系數(shù)測(cè)試、接觸熱阻測(cè)試、老化可靠性測(cè)試,材料壓縮性能測(cè)試、試樣間接觸熱阻測(cè)試。
12、計(jì)算機(jī)全自動(dòng)測(cè)試，并實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)打印輸出。
13、電源： 220V/50Hz；500W。
三、典型測(cè)試材料：
1、金屬材料、不銹鋼。
2、導(dǎo)熱硅脂。
3、導(dǎo)熱硅膠墊。
4、導(dǎo)熱工程塑料。
5、導(dǎo)熱膠帶(樣品很薄很黏，難以制作規(guī)則的單個(gè)樣品，邊用透明塑料另外邊用紙固定) 。
6、鋁基板、覆銅板 。
7、石英玻璃、復(fù)合陶瓷。
8、泡沫銅、石墨紙、石墨片等新型材料。
四、成套性
1、主機(jī)臺(tái),
2、分析軟件套（中、英文版）
3、HX-1005精密低溫恒溫水槽臺(tái)（控溫精度0.01℃）
4、聯(lián)想電腦臺(tái)（用戶可自選）
5、標(biāo)樣二塊
6、隨機(jī)配件套（脂、膏狀、粉狀測(cè)試盒,取樣方便的片狀成型沖壓模具各套)。
五、外形尺寸、重量
1、主機(jī)： 標(biāo)準(zhǔn)落地機(jī)型：（長(zhǎng)×寬×高） 550×450×1550mm, 凈重： 100Kg
小型臺(tái)式機(jī)型：（長(zhǎng)×寬×高 500×400×780mm, 凈重： 60Kg
2、精密低溫恒溫水槽： （長(zhǎng)×寬×高） 300×350×530mm , 凈重： 35Kg
六、技術(shù)服務(wù)
1、免費(fèi)保修壹年，長(zhǎng)期提供技術(shù)服務(wù)，軟件終生免費(fèi)提供升。
2、全國(guó)各地免費(fèi)上門安裝調(diào)試。國(guó)內(nèi)各地常年有本公司流動(dòng)技術(shù)人員，可提供技術(shù)服務(wù)。
典型用戶清華大學(xué)材料學(xué)院、化工學(xué)院國(guó)防科學(xué)技術(shù)大學(xué)（湖南長(zhǎng)沙）北京化工大學(xué)2臺(tái)哈爾濱工業(yè)大學(xué)2臺(tái)華中科技大學(xué)材料學(xué)院5臺(tái)華東理工大學(xué) 3臺(tái)中國(guó)科學(xué)院寧波材料研究所3臺(tái)中國(guó)科學(xué)院北京熱物理所華南協(xié)同創(chuàng)新研究院（東莞）深圳鈞泰豐新材料有限公司深圳市中升薄膜材料有限公司中山匯能有機(jī)硅有限公司格力電器股份限公司（珠海、鄭州、重慶、合肥工廠）肇慶皓明有機(jī)硅公司臺(tái)州錢江新能源研究院有限公司圣戈班研發(fā)（上海）有限公司（外資）上海天祥質(zhì)量技術(shù)服務(wù)有限公司重慶市都寶電子制造有限公司/恰寶電子制造有限公司（昆山）各臺(tái)南車電力機(jī)車（湖南株洲）2臺(tái)
JC502-WG—Ⅱ污垢阻測(cè)試儀
JC502-WG—Ⅱ污垢阻測(cè)試儀
熱阻測(cè)試儀
型號(hào) Phase11熱阻測(cè)試儀產(chǎn)自美國(guó) Analysis Tech(Anatech)公司，符合美軍標(biāo)和JEDEC標(biāo)準(zhǔn). Analysis Tech Inc.成立于 1983年，坐落于波士頓北部，是電子封裝器件可靠性測(cè)試的國(guó)際設(shè)計(jì)，制造公司。創(chuàng)始人John W.Sofia 是美國(guó)麻省理工的博士，并且是提出焊點(diǎn)可靠性,熱阻分析和熱導(dǎo)率理論的專家. 發(fā)表了很多關(guān)于熱阻測(cè)試于分析，熱導(dǎo)率及焊點(diǎn)可靠性方面的論文. Analysis Tech Inc.在美國(guó)有獨(dú)立的實(shí)驗(yàn)室提供技術(shù)支持. 在全世界熱阻測(cè)試儀這套設(shè)備有幾百家知名客戶. 主要用于測(cè)試二極管，三極管，線形調(diào)壓器，可控硅，LED，MOSFET，MESFET ,IGBT，IC等分立功率器件的熱阻測(cè)試及分析。
二、Phase11的功能：
PHASE11 可以測(cè)試Rja，Rjc，Rjb Rjl 的熱阻（測(cè)試原理符合JEDEC51-1 定義的動(dòng)態(tài)及靜態(tài)測(cè)試方法）Phase11 測(cè)試來的數(shù)據(jù)，將產(chǎn)生上圖。左上角的數(shù)字說明這個(gè)器件有四個(gè)層次（為了可以清楚的了解不同層次，可以將這個(gè)圖轉(zhuǎn)換成圖三）。其中第一個(gè)是芯片下的粘接層的阻抗值，后面Tau是完成的測(cè)試時(shí)間，四個(gè)層次的阻抗值之和就是這個(gè)器件的熱阻值。并且每一個(gè)拐點(diǎn)都表明熱進(jìn)入了一個(gè)新的層次。每個(gè)層次的數(shù)據(jù)將表明這個(gè)器件不同層向外散熱的好壞，對(duì)不同廠家同類產(chǎn)品而言，可以讓 讓讓 讓我們選擇熱阻值非常好的廠家；同時(shí)它也可以檢測(cè)同一廠家，同類產(chǎn)品，不同批次質(zhì)量的差異，從而評(píng)測(cè)出該廠家生產(chǎn)工藝的穩(wěn)定性。
1） 瞬態(tài)阻抗(Thermal Impedance)測(cè)試，可以得到從開始加熱到結(jié)溫達(dá)到穩(wěn)定這一過程中的瞬態(tài)阻抗數(shù)據(jù)。見上圖
2） 穩(wěn)態(tài)熱阻(Thermal Resistance)各項(xiàng)參數(shù)的測(cè)試，其包括：Rja,Rjb,Rjc,Rjl, 當(dāng)器件在給一定的工作電流后。熱量不斷地向外擴(kuò)散，最后達(dá)到了熱平衡，這時(shí)得到的結(jié)果是穩(wěn)態(tài)熱阻值。在沒有達(dá)到熱平衡之前測(cè)試到的是熱阻抗。 可以得到用不同占空比方波測(cè)試時(shí)的阻抗與熱阻值。
3） 內(nèi)部封裝結(jié)構(gòu)與其散熱能力的相關(guān)性分析(Structure Function)，可以通過將類似的圖一轉(zhuǎn)換成下面所示的曲線分析圖（熱容與熱阻關(guān)系圖），這樣更能體現(xiàn)不同結(jié)構(gòu)下熱阻，以 LED 為例從圖中可以看出LED 器件散熱能力的瓶頸所在，對(duì)LED封裝工藝的改進(jìn)和封裝材料的選擇有很大幫助。下圖為兩種不同封裝結(jié)構(gòu)的 LED 樣品的分析圖。
不只 LED 器件可以得到這個(gè)分析圖，而且其他的器件也可以得到這個(gè)圖。并且也可以得到這種分析。從圖中可以看出黑色曲線的 LED熱阻低于綠色曲線的 LED熱阻，這也從客戶那里得到確認(rèn)，黑色曲線的 LED在芯片粘接與散熱方面的工藝得到很大改進(jìn)。
5） 裝片質(zhì)量的分析(Die Attachment Quality Evaluation).
主要測(cè)試器件的粘接處的熱阻抗值，如果有粘接層有氣孔，那么傳熱就要受阻，這樣將導(dǎo)致芯片的溫度上升，因此這個(gè)功能能夠衡量粘接工藝的穩(wěn)定性。
6.多晶片器件的測(cè)試。
以兩個(gè)晶片為例：先給其中的晶片 1加電使其節(jié)溫升高然后測(cè)試出熱阻 R11 和功率Q1 同時(shí)給另一晶片 2供感應(yīng)電流然后測(cè)出感應(yīng)熱阻 R21.再給晶片 2加電使其節(jié)溫升高然后測(cè)試出熱阻R22節(jié)溫和功率 Q2, 同時(shí)給另一晶片 1供感應(yīng)電流然后測(cè)出感應(yīng)熱阻 R12。 根據(jù)熱阻的定義
R=(Tj-Tr)/P即 R=△T/P
根據(jù)上述測(cè)試數(shù)據(jù)做矩陣
三 三三 三、 、、 、設(shè)備附件介紹
3.1 Nuova Device Calibration Bath
Nuova 校準(zhǔn)浴鍋
技術(shù)特征：
1由集成在熱阻分析儀中的模塊直接進(jìn)行溫度控制
2使用有陶瓷鍍層的磁力攪拌器
3帶有冷卻風(fēng)扇的堅(jiān)固底盤能夠控制升溫速率并保證安全性
4 有蓋的四升不銹鋼水浴鍋
5懸掛結(jié)構(gòu)支持部件被校準(zhǔn)
6四升絕緣良好導(dǎo) 礦物油，對(duì)環(huán)境無害并能重復(fù)使用
7完整的說明及保證
用來得到節(jié)壓和節(jié)溫的函數(shù)關(guān)系即K值
3.2 EVN-12 靜止空氣測(cè)試箱
EVN-12 是用于在標(biāo)準(zhǔn)化的靜止空氣環(huán)境下測(cè)試元件。自然對(duì)流條件下的熱阻測(cè)量會(huì)
對(duì)實(shí)驗(yàn)室里的不期望的空氣流動(dòng)非常敏感。這套靜止空氣測(cè)試箱可以排除這種潛在的產(chǎn) 生測(cè)試錯(cuò)誤的因素。(里面的紅外探測(cè)頭及支架是選項(xiàng)，不是標(biāo)配)
3.3 JEDEC RJC 測(cè)試夾具
對(duì)不同封裝的器件設(shè)計(jì)不同的Rjc測(cè)試夾具。
3.4 Rjb 測(cè)試夾具
3.5 風(fēng)洞
3.6 Power Booster(電源放大器
可給待測(cè)器件提供200A,400A,800A,1000A工作電流
附：此熱阻測(cè)試儀運(yùn)行穩(wěn)定可靠，所以無須備件和耗材
四．設(shè)備電性規(guī)格：
加熱電流測(cè)量精度（低電流測(cè)量: 0.2, 1 和2 安培測(cè)量）
2A 系統(tǒng): ±1mA 10A 系統(tǒng): ±5mA 20A 系統(tǒng): (±10mA)
加熱電流測(cè)量精度（高電流測(cè)量: 2, 10 和20 安培測(cè)量）:
2A 系統(tǒng): ±4mA 10A 系統(tǒng): ±20mA 20A 系統(tǒng): (±40mA)
加熱電壓測(cè)量精度: ±0.25% ，0~50V
熱電偶測(cè)量精度(T 型): 典型 ±0.1°C, 最大±0.3°C
交流電壓：220VAC，5A，50/60Hz
器件的最大的供電電壓： 50V（標(biāo)配）
器件的最大的供電電流： 20 安培(標(biāo)配)，選配（200A,400A,800A,1000A）
節(jié)溫的感應(yīng)電流：1mA, 5mA, 10mA, 20mA, 50mA(標(biāo)配)，
五．測(cè)試數(shù)據(jù)。
1．下圖是器件1260 和2530的節(jié)溫校準(zhǔn)圖表，從中可以得到節(jié)溫和節(jié)壓的函數(shù)關(guān)系（線性關(guān)
系）。
根據(jù)熱阻的定義 R=(Tj-Tr)/P Tj－－-節(jié)溫 Tr－－-參考點(diǎn)溫度 P－－-給器件所加的功率 Tr －－-可用電熱偶測(cè)出來，P－－- 軟件會(huì)自動(dòng)測(cè)試出來 用電學(xué)方法來測(cè)節(jié)溫（通過測(cè)節(jié)壓，根據(jù)節(jié)溫和節(jié)壓的函數(shù)關(guān)系軟件會(huì)自動(dòng)換算成節(jié)溫。 這樣軟件會(huì)根據(jù)測(cè)試出來數(shù)據(jù)自動(dòng)換算成我們所要的熱阻值 詳細(xì)資料請(qǐng)聯(lián)系：深圳市世紀(jì)天源儀器有限公司
ASTM D-5470材料熱阻測(cè)試儀熱界面材料測(cè)試熱阻抗和熱導(dǎo)率在中度到高導(dǎo)電材料和適合測(cè)量熱界面材料
材料熱阻測(cè)試儀熱界面材料測(cè)試熱阻抗和熱導(dǎo)率系數(shù)在中度到高導(dǎo)電材料和適合測(cè)量熱界面材料
TIM的分析技術(shù)測(cè)試自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)測(cè)量熱阻抗和熱傳導(dǎo)系數(shù)的薄，導(dǎo)熱材料的類型，經(jīng)常用于電子包裝，以及各種各樣的柔性或剛性固體和半固體或粘性材料。
Ⅰ型：液體材料，具有無限的變形時(shí)，應(yīng)力的應(yīng)用。這些包括油脂，膏體，相變材料。
Ⅱ型：彈性固體，應(yīng)力變形最終是平衡的內(nèi)部材料應(yīng)力從而進(jìn)一步限制變形。例子包括凝膠，軟、硬橡膠。這些材料表現(xiàn)出線性彈性性能顯著壓縮變形的材料相對(duì)厚度。
Ⅲ型：彈性固體表現(xiàn)出微不足道的；例子包括陶瓷，金屬，和某些類型的塑料。
一般來說，這些TIM測(cè)試設(shè)備可容納樣品高至中等熱傳導(dǎo)接觸壓力范圍從5到380磅（50-2600千帕）和樣品測(cè)試溫度范圍從20℃到130℃°°相變材料可以在90℃預(yù)熱°之前測(cè)試。
標(biāo)本/ sample-under-test夾在一對(duì)平行導(dǎo)電表面，一熱一冷，這對(duì)一個(gè)實(shí)測(cè)熱流通過樣本。精確測(cè)量溫差整個(gè)樣本和誘導(dǎo)流提供了基礎(chǔ)的熱導(dǎo)率測(cè)量。樣品的平均溫度和夾緊接觸壓力自動(dòng)控制的基礎(chǔ)上選定的值。接觸壓力影響的熱性能很容易確定使用pressure-batch模式測(cè)試。
這個(gè)設(shè)備還提供了材料導(dǎo)熱系數(shù)測(cè)量測(cè)試功能。
TIM設(shè)備測(cè)量材料的熱界面材料測(cè)試熱阻抗和熱導(dǎo)率在中度到高導(dǎo)電材料和適合測(cè)量熱界面材料用于電子封裝。這些測(cè)試符合試ASTM D-5470標(biāo)準(zhǔn)也是利用熱結(jié)構(gòu)與功能分析，提高速度和精度的測(cè)量。
所有測(cè)試參數(shù)和測(cè)試程序使用的圖形用戶界面的軟件控制Wintim。接觸壓力和溫度自動(dòng)控制根據(jù)操作者的選擇。在測(cè)試中，所有相關(guān)參數(shù)的自動(dòng)控制，實(shí)現(xiàn)理想的試驗(yàn)條件與之間的權(quán)衡考期和數(shù)據(jù)的性。簡(jiǎn)單和明確的文本文件數(shù)據(jù)，EXCEL數(shù)據(jù)文件，熱數(shù)據(jù)與樣品的厚度或壓力圖圖形。也地確定表面接觸熱阻和熱導(dǎo)率。（見案例研究）
該軟件包提供了完整的Wintim的幫助文件和屏幕上的指示允許新用戶迅速成為有經(jīng)驗(yàn)的使用者，不需要特別的訓(xùn)練。Wintim軟件不斷監(jiān)測(cè)的所有方面測(cè)試，提供了詳細(xì)的提示和指導(dǎo)在適當(dāng)。
可選的設(shè)備校準(zhǔn)和參考樣品包便于定期現(xiàn)場(chǎng)儀表標(biāo)定TIM測(cè)試使用的特點(diǎn)，Wintim軟件。參考樣本集包括記錄test-samples方便accuracy-verification一致性數(shù)據(jù)的tim儀操作。（注：參考樣品不需要測(cè)試以來，用5470方法絕對(duì)測(cè)量和相對(duì)不屬于任何已知的參考樣本。）
熱界面材料特性測(cè)試儀
全自動(dòng)操作Wintim軟件，
Thickness measurement of sample "as-tested" / "in-situ" using electronic sensors
▪ Controlled-thickness ａnd controlled-pressure test modes
▪ Accuracy estimates included for all thermal data
▪ Automatic pressure control ａnd pressure batch testing to operator＇s selections
▪ Automatic sample-temperature control ａnd temperature batch tests to operator＇s selections▪用戶可選的測(cè)試單位選擇：watt, K, inch, psi 或watt, K, cm, kPa
▪不停頓的錯(cuò)誤檢測(cè)提示功能：
▪ 冷卻水流偏低
▪ 供應(yīng)壓力偏低
▪ 超過設(shè)定的溫度
▪ Operator mechanical press-safety
▪USB借口
▪堅(jiān)固，耐用的結(jié)構(gòu)
▪內(nèi)部校準(zhǔn)程序
TIM儀器配件及可選項(xiàng)：
▪TIM成套配件包：
▪校準(zhǔn)設(shè)備和參考測(cè)試樣品包
▪冷卻和壓縮空氣軟管快速接頭（包括與冷水機(jī)組）
▪可選的電腦
T3Ster熱阻測(cè)試儀
T3Ster運(yùn)用先進(jìn)的JEDEC穩(wěn)態(tài)實(shí)時(shí)測(cè)試方法（JESD51-1），專業(yè)測(cè)試各類IC（包括二極管、三極管、MOSFET、SOC、MEMS等）、LED、散熱器、熱管、PCB及導(dǎo)熱材料等的熱阻、熱容及導(dǎo)熱系數(shù)、接觸熱阻等熱特性。配合專為L(zhǎng)ED產(chǎn)業(yè)開發(fā)的選配件TERALED可以實(shí)現(xiàn)LED器件和組件的光熱一體化測(cè)量。
符合JEDEC JESD51-1和MIL-STD-750E標(biāo)準(zhǔn)法規(guī)。
T3Ster熱阻測(cè)試儀工作原理：
T3Ster設(shè)備提供了非破壞性的熱測(cè)試方法，其原理為：1) 首先通過改變電子器件的功率輸入；2) 通過TSP (Temperature Sensitive Parameter熱敏參數(shù))測(cè)試出電子器件的瞬態(tài)溫度變化曲線；3) 對(duì)溫度變化曲線進(jìn)行數(shù)值處理，抽取出結(jié)構(gòu)函數(shù)；4) 從結(jié)構(gòu)函數(shù)中自動(dòng)分析出熱阻和熱容等熱屬性參數(shù)。
T3Ster熱阻測(cè)試儀設(shè)備參數(shù)：● 加熱電壓范圍：標(biāo)配1-10V，不確定度小于±1%。選配功率放大器，最大電壓可達(dá)280V● 加熱電流范圍：標(biāo)配0.01-2A，不確定度小于±1%。選配功率放大器，最大電流達(dá)100A或更大● 加熱功率脈沖：無時(shí)間限制● 熱阻測(cè)量范圍：0.002-1000℃/W，不確定度小于±1%● 測(cè)試通道數(shù)量：標(biāo)配2通道，同一主機(jī)箱內(nèi)可以升級(jí)至8通道● 溫度采集響應(yīng)時(shí)間：1μs● 溫度測(cè)量精度：±0.01℃● 通道測(cè)量解析度：12bit● 通道噪聲：±1bit● 取樣容量：每個(gè)通道64k
T3Ster熱阻測(cè)試儀應(yīng)用范圍：● 各種三極管、二極管等半導(dǎo)體分立器件，包括：常見的半導(dǎo)體閘流管、雙極型晶體管、以及大功率IGBT、MOSFET、LED等器件！ 各種復(fù)雜的IC以及MCM、SIP、SoC等新型結(jié)構(gòu) ！ 各種復(fù)雜的散熱模組的熱特性測(cè)試，如熱管、風(fēng)扇等。● 半導(dǎo)體器件結(jié)溫測(cè)量。● 半導(dǎo)體器件穩(wěn)態(tài)熱阻及瞬態(tài)熱阻抗測(cè)量！ 半導(dǎo)體器件封裝內(nèi)部結(jié)構(gòu)分析，包括器件封裝內(nèi)部每層結(jié)構(gòu)（芯片+焊接層+熱沉等）的熱阻和熱容參數(shù)！ 半導(dǎo)體器件老化試驗(yàn)分析和封裝缺陷診斷，幫助用戶準(zhǔn)確定位封裝內(nèi)部的缺陷結(jié)構(gòu)！ 材料熱特性測(cè)量（導(dǎo)熱系數(shù)和比熱容）。● 接觸熱阻測(cè)量，包括導(dǎo)熱膠、新型熱接觸材料的導(dǎo)熱性能測(cè)試。
主要特點(diǎn)：● T3Ster符合JEDEC JESD51-1和MIL-STD-750E標(biāo)準(zhǔn)法規(guī)。 ● T3Ster兼具JESD51-1定義的靜態(tài)測(cè)試法（Static Mode）與動(dòng)態(tài)測(cè)試法（Dynamic Mode），能夠?qū)崟r(shí)采集器件瞬態(tài)溫度響應(yīng)曲線（包括升溫曲線與降溫曲線），其采樣率高達(dá)1微秒，測(cè)試延遲時(shí)間高達(dá)1微秒，結(jié)溫分辨率高達(dá)0.01℃！ T3Ster既能測(cè)試穩(wěn)態(tài)熱阻，也能測(cè)試瞬態(tài)熱阻抗！ T3Ster的研發(fā)者M(jìn)icRed制定了全球第一個(gè)用于測(cè)試LED的國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)JESD51-51，以及LED光熱一體化的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)JESD51-52。T3Ster和TeraLED是目前全球唯一滿足此標(biāo)準(zhǔn)所規(guī)定的光熱一體化測(cè)試要求的！ T3Ster獨(dú)創(chuàng)的Structure Function(結(jié)構(gòu)函數(shù))分析法，能夠分析器件熱傳導(dǎo)路徑上每層結(jié)構(gòu)的熱學(xué)性能（熱阻和熱容參數(shù)），構(gòu)建器件等效熱學(xué)模型，是器件封裝工藝、可靠性試驗(yàn)、材料熱特性以及接觸熱阻的強(qiáng)大支持工具。因此被譽(yù)為熱測(cè)試中的“X射線”！ T3Ster可以和熱仿真軟件FloEFD無縫結(jié)合，將實(shí)際測(cè)試得到的器件熱學(xué)參數(shù)導(dǎo)入仿真軟件進(jìn)行后續(xù)仿真優(yōu)化。
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