可進(jìn)行真空環(huán)境下的高低溫測(cè)試(4.2k~500k),可升加載磁場(chǎng),低溫防輻射屏設(shè)計(jì),樣品臺(tái)采用高純度無(wú)氧銅制作,溫度均勻性更好,溫度傳感器采用有著良好穩(wěn)定性和重復(fù)性的pt100或者標(biāo)定過的硅二管作為測(cè)溫裝置,支持光纖光譜特性測(cè)試,兼容高倍率金相顯微鏡,可微調(diào)移動(dòng),器件的高頻特性(支持高67ghz頻率),探針熱沉設(shè)計(jì),ld/led/pd的光強(qiáng)/波長(zhǎng)測(cè)試,自動(dòng)流量控制,材料/器件的iv/cv特性
更新時(shí)間:2024-11-22