GAMRY Reference 600+技術(shù)優(yōu)勢(shì):
(1) 電流分辨率高,20 aA,有實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)證實(shí)。低電流到pA。
(2) 儀器的背景電流小,<2 μV rms。
(3) 儀器的高阻抗測(cè)試/低阻抗測(cè)試性能好,100TOHM, 0.1 mOHM 等。
(4) 軟件友好,容易學(xué)習(xí),和功能全;可以擴(kuò)展任何需要的電化學(xué)測(cè)量。
(5) 再加一臺(tái)儀器,可以和SECM, IMPS/IMVS 等兼容。
(6) 和RAMNAN, UV, TEM, EQCM, RDE 等聯(lián)用。
(7) 浮地設(shè)計(jì),可以和高壓釜合用。
(8) 有溫度測(cè)試模塊。
(9) 軟件自動(dòng)編程,進(jìn)行電化學(xué)測(cè)量。
(10) EIS阻抗頻率范圍:10μHz到5 MHz
Reference 600+是典型的科學(xué)研究級(jí)電化學(xué)分析儀器,它使用USB接口,可以直接與便攜式計(jì)算機(jī)和臺(tái)式計(jì)算機(jī)連接,支持功能強(qiáng)大的Gamry應(yīng)用軟件包,例如DC105™直流腐蝕軟件包,PHE200™物理電化學(xué)軟件包,EIS300™電化學(xué)阻抗譜軟件包等,幾乎涵蓋所有電化學(xué)分析方法。
Reference 600+電化學(xué)綜合測(cè)試儀的輸出電流范圍從±600 mA至±60 pA,擁有11檔電流范圍和檔位快速補(bǔ)償能力。Reference 600+的輸出電壓為±22V,恒電位掃描電壓為±11V。進(jìn)行CV實(shí)驗(yàn)時(shí),最快的掃描速率能達(dá)到1200V/s。這些特點(diǎn)了Reference 600+能夠適應(yīng)高腐蝕速率及具有良好導(dǎo)電能力溶液的電化學(xué)體系。
Reference 600+的直接信號(hào)綜合電路允許EIS頻率掃描范圍從10μHz到5 MHz,在1MHz情況下進(jìn)行EIS測(cè)量時(shí)的誤差小于2%,是真正意義上的高頻電化學(xué)交流阻抗測(cè)試系統(tǒng)。強(qiáng)大的電壓和電流信號(hào)過(guò)濾系統(tǒng)能在嘈雜的環(huán)境中得到穩(wěn)定安靜的測(cè)試環(huán)境。的穩(wěn)定性即使電腦運(yùn)行其他程序時(shí)也可正常工作。Reference 600+提供了的結(jié)合能力,具有電流中斷和陽(yáng)極反饋IR補(bǔ)償能力。
Reference 600+ 的電化學(xué)軟件
Gamry為Reference600設(shè)計(jì)了一套完備的電化學(xué)應(yīng)用軟件程序。電化學(xué)試驗(yàn)在Gamry FrameworkTM上進(jìn)行,其數(shù)據(jù)在電化學(xué)分析軟件Echem AnalysTM中進(jìn)行處理。
PWR800電化學(xué)能源軟件包
PWR800軟件包為測(cè)試和表征能源存儲(chǔ)和轉(zhuǎn)化期間以及材料領(lǐng)域提供了標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試技術(shù)。我們將大功率循環(huán)伏安,充電,放電,循環(huán)充放電,以及其他常用大電流測(cè)試組合起來(lái)。當(dāng)然,您同樣也可以采用Gamry序列測(cè)試將所需要的特殊測(cè)試按順序組合起來(lái)。
EIS電化學(xué)阻抗譜
EIS對(duì)各種各樣的應(yīng)用來(lái)說(shuō)是一個(gè)功能強(qiáng)大的工具,對(duì)PWR800軟件極好的補(bǔ)充。Gamry開發(fā)的EIS軟件—易于使用、程序簡(jiǎn)潔。它提供了許多不同EIS測(cè)試技術(shù),包括恒電位、恒電流、混合控制模式。 可使用單一正弦波測(cè)量,也可利用多重正弦波進(jìn)行快速EIS的測(cè)量。
同樣來(lái)自于Gamry’s擴(kuò)展軟件包
PHE200 物理電化學(xué)—一般電化學(xué)研究軟件包。
PV220 脈沖伏安—標(biāo)準(zhǔn)和可定制的脈沖實(shí)驗(yàn)。
DC105 直流腐蝕—腐蝕測(cè)試過(guò)程中遇到的素有標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)。
ESA410 電化學(xué)信號(hào)分析—電化學(xué)噪聲信號(hào)的獲取和分析。
EN120 電化學(xué)噪聲—簡(jiǎn)單的噪聲軟件。
EFM140 EFM—模擬Tafel常數(shù)和腐蝕速率。
CPT110 臨界點(diǎn)蝕溫度—ASTM標(biāo)準(zhǔn)化測(cè)試。
VFP600 可視前面板—基礎(chǔ)電化學(xué)控制,成本低廉。
RST5200電化學(xué)工作站主要技術(shù)指標(biāo)
電位控制范圍:±12.8V 最大輸出電流:>±2A 電流控制范圍:±500mA 輸入偏置電流:<20pA 槽壓:±15V 掃描速率:0.001mV/S-- 20,000V/S 電位上升時(shí)間﹤0.25微秒 切換速率(無(wú)負(fù)載):>20V/mS
靈敏度1╳10-14A 偏置電壓:<10V 電流測(cè)量分辨率﹤0.01pA 輸入阻抗:>1013W//<10pF 最大電位分辨率:0.001mV 脈沖電流:±1A 設(shè)置脈沖電流數(shù):8個(gè) 運(yùn)行時(shí)間:0--100,000s 頻率響應(yīng):0.00001 Hz~125kHz 正弦波失真:<1% 測(cè)量范圍:分25擋,從0.5A 到5nA 最大電流分辨率:15fA
通訊接口:RS232與USB互換 取樣間隔:0.0001mV--500mV
量程:5nA--500mA 25檔 電位增量:0.1mV--500mV
循環(huán)次數(shù):10000次 脈沖重復(fù)次數(shù):65000次
RST5200系列電化學(xué)工作站硬件區(qū)別表 型 號(hào) 5100 5101 5102 5200 5201 5202 交流頻率: 5mHz-20KHz 5mHz-20KHz 5mHz-20KHz 5mHz-125KHz 5mHz-125KHz 5mHz-125KHz 電流范圍: ± 500mA ±1000mA ±2000mA ±500mA ±1000 mA ±2000 mA 報(bào) 價(jià): 57800 60800 63800 60800 63800 66800
RST5200電化學(xué)工作站主要測(cè)量技術(shù)
線性掃描伏安法 (LSV) 恒電位電解電流-時(shí)間曲線(I-T)
循環(huán)伏安法 (CV) 恒電位電解電量-時(shí)間曲線(Q-T)
線性掃描溶出伏安法 (LSV) 恒電位溶出電流-時(shí)間曲線(I-T)
階梯伏安法 (SCV) 恒電位溶出電量-時(shí)間曲線(Q-T)
階梯循環(huán)伏安法(SCV) 單電位階躍計(jì)時(shí)電流法(I-T)
階梯溶出伏安法 (SCV) 多電位階躍計(jì)時(shí)電流法(I-T)
方波伏安法 (SWV) 單電位階躍計(jì)時(shí)電量法(Q-T)
方波循環(huán)伏安法 (SWV) 多電位階躍計(jì)時(shí)電量法(Q-T)
方波溶出伏安法 (SWV) 電位溶出E-T曲線
常規(guī)脈沖伏安法 (NPV 開路電勢(shì)E-T曲線
差示脈沖伏安法 (DPV) 單電流階躍計(jì)時(shí)電位法
差示脈沖溶出伏安法 (DPV) 多電流階躍計(jì)時(shí)電位法
差示常規(guī)脈沖伏安法 (DNPV) 控制電流E-T曲線
塔菲爾圖 (TAFEL) 脈沖電鍍E-T曲線
交流溶出伏安法 交流伏安法
交流阻抗方法 交流循環(huán)伏安法
電池檢測(cè)充電方法 電池檢測(cè)放電方法
RST5200系列電化學(xué)工作站配置單
名稱 數(shù)量 單價(jià) (元/RMB)
工作站主機(jī) 1臺(tái) 60800
攪拌連接器 1臺(tái) 隨機(jī)配置
軟件光盤 1張 隨機(jī)配置
電極架 1個(gè) 隨機(jī)配置
金元盤工作電極 1支 隨機(jī)配置
雙鉑工作輔助電極 1支 隨機(jī)配置
甘汞參比電極 1支 隨即配置
使用說(shuō)明書 1本 隨即配置
電源線 2條 隨即配置
電極線 1條 隨即配置
信號(hào)線 1條 隨即配置
模擬電解池 1個(gè) 隨即配置
測(cè)試藥品 1份 隨即配置
我公司生產(chǎn)有各種工作電極 輔助電極、參比電極、電極架、電解池供電化學(xué)使用人員選購(gòu)。
售后服務(wù):
1. 儀器售出后供方按合同要求按時(shí)到使用單位安裝、調(diào)試。
2. 儀器在兩年內(nèi)正常使用,使用中如果發(fā)生問(wèn)題,生產(chǎn)方接到通知后立即做出反應(yīng),屬于使
用問(wèn)題:供方在電話或微機(jī)中遠(yuǎn)程支持解決問(wèn)題;屬于儀器內(nèi)在質(zhì)量問(wèn)題,生產(chǎn)方在24小時(shí)
內(nèi)帶儀器奔赴現(xiàn)場(chǎng)檢查、維修、或更新,產(chǎn)生的一切費(fèi)用有供方負(fù)責(zé)。
3. 人為損壞修復(fù)時(shí)產(chǎn)生的費(fèi)用由使用方自理。
4. 本公司儀器售出后全部實(shí)行終身維修。
鄭州世瑞思電化學(xué)儀器科技有限公司
聯(lián)系人:張丙午 聯(lián)系電話:0371-64124799
手 機(jī):13608675847 Email:zbw1952@163.com
德國(guó)ZAHNER Zennium 電化學(xué)工作站。主機(jī)包括恒電位儀/恒電流儀和頻率發(fā)生器及分析儀。硬件結(jié)構(gòu)上為一體化設(shè)計(jì),支持高頻率高輸入阻抗測(cè)試,具有強(qiáng)大的擴(kuò)展能力。軟件控制界面友好,功能強(qiáng)大,能滿足絕大多數(shù)電化學(xué)研究需要。主要應(yīng)用于化學(xué)與物理電源、功能材料、腐蝕與防護(hù)、電化學(xué)沉積、電化學(xué)分析及教學(xué)。
系統(tǒng)功能擴(kuò)展:
大電流應(yīng)用選件
EIS交流阻抗測(cè)試/SIM 模擬等效電路軟件
交流掃描電化學(xué)顯微鏡系統(tǒng)(ac-SECM)
間歇接觸掃描電化學(xué)顯微鏡系統(tǒng)(ic-SECM)
微區(qū)電化學(xué)阻抗測(cè)試系統(tǒng)(LEIS)
掃描振動(dòng)點(diǎn)擊測(cè)試系統(tǒng)(SVET)
電解液微滴掃描系統(tǒng)(SDS)
交流電解液微滴掃描系統(tǒng)(ac-SDS)
掃描開爾文探針測(cè)試系統(tǒng)(SKP)
非觸式微區(qū)形貌測(cè)試系統(tǒng)(OSP)
出色的性能
快速精準(zhǔn)的閉環(huán)定位系統(tǒng)為電化學(xué)掃描探針納米級(jí)研究的需求而特別設(shè)計(jì)。結(jié)合Uniscan 獨(dú)特的混合型32-bit DAC技術(shù),用戶可以選擇合適實(shí)驗(yàn)研究的最佳配置
先進(jìn)和靈活的工作平臺(tái)
系統(tǒng)可提供9種探針技術(shù),使得M470成為全球最靈活的電化學(xué)掃描灘鎮(zhèn)工作平臺(tái)。
全面的附件
7種模塊可選,3種不同電解池,各式探針,長(zhǎng)距顯微鏡以及后處理數(shù)據(jù)分析軟件。
M470新產(chǎn)品特征
SECM自動(dòng)處理曲線
SECM用戶自定義處理曲線步長(zhǎng)變化
高分辨率讀取
手動(dòng)或自動(dòng)調(diào)節(jié)相位
M470同時(shí)具備如下特點(diǎn):
傾斜校正
X或Y曲線相減(5階多項(xiàng)式)
2D或3D快速傅里葉變化
實(shí)驗(yàn),探針移動(dòng)和區(qū)域繪圖的自動(dòng)排序
圖形實(shí)驗(yàn)測(cè)序引擎(GESE)
支持多區(qū)域掃描
所有實(shí)驗(yàn)多個(gè)數(shù)據(jù)視圖
峰值分析
是由
M470技術(shù)參數(shù)
工作站(所有技術(shù))
掃描范圍(x,y,z) 大于100nm
掃描驅(qū)動(dòng)分辨率 最高0.1nm
閉環(huán)定位 線性零滯后編碼器,直接實(shí)時(shí)讀出x,z和y位移
軸分辨率(x,y,z) 20nm
最大掃描速度 12.5mm/s
測(cè)量分辨率 32-bit解碼器@高達(dá)40MHz
壓電(ic-和ac-掃描探針技術(shù))
振動(dòng)范圍 20nm~ 2μm峰與峰之間1nm增量
最小振動(dòng)分辨率 0.12nm(16-bit DAC,4μm)
壓電晶體伸展 100μm
定位分辨率 0.09nm(20-bit DAC ,100μm)
機(jī)電
掃描前端 500×420×675mm(H×W×D)
掃描控制單元 275×450×400mm(H×W×D)
功率 250W