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    • 其他產(chǎn)品及廠(chǎng)家

      ?適配于雪迪龍?zhí)筋^式濕度儀 MODEL 2061/2062? 新款
      應(yīng)用領(lǐng)域燃煤、燃油鍋爐尾氣排放(cems)食品加工木材、建材、造紙工業(yè)化工、纖維領(lǐng)域印染工業(yè)領(lǐng)域內(nèi)平幅染色工藝,在 120~180℃高溫中的濕度測(cè)量等
      更新時(shí)間:2024-11-21
      廠(chǎng)家批發(fā)GJ4/40(A)甲烷傳感器
      gjc4/40高低濃瓦斯傳感器廠(chǎng)家供應(yīng) gjc4/40高低濃瓦斯傳感器制造商 gjc4/40高低濃瓦斯傳感器價(jià)格電聯(lián)gj4/40(a)甲烷傳感器量大從優(yōu) 廠(chǎng)家直供gjc4/40(x)甲烷傳感器gj4/40(a)甲烷傳感器價(jià)格電聯(lián) 廠(chǎng)家批發(fā)gj4/40(a)甲烷傳感器
      更新時(shí)間:2024-11-21
      EMMC4 復(fù)位測(cè)試 CLK測(cè)試 DQS測(cè)試 EMMC5 復(fù)位測(cè)試
      emmc4 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試 emmc5 復(fù)位測(cè)試identification state,發(fā)送完 cid 后,emmc device就會(huì)進(jìn)入該階段。
      更新時(shí)間:2024-11-21
      電源紋波測(cè)試 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 Emmc5 上電時(shí)序測(cè)試
      相關(guān)產(chǎn)品:電源紋波測(cè)試 , 時(shí)鐘測(cè)試 , 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 , emmc5 , 上電時(shí)序測(cè)試
      更新時(shí)間:2024-11-21
      CLK測(cè)試 DQS測(cè)試 EMMC4 上電時(shí)序測(cè)試
      相關(guān)產(chǎn)品:clk測(cè)試 , dqs測(cè)試 , emmc4 , 上電時(shí)序測(cè)試data strobe 時(shí)鐘信號(hào)由 emmc 發(fā)送給 host,頻率與 clk 信號(hào)相同,用于 host 端進(jìn)行數(shù)據(jù)接收的同步。data strobe 信號(hào)只能在 hs400 模式下配置啟用,啟用后可以提高數(shù)據(jù)傳輸?shù)姆(wěn)定性,省去總線(xiàn) tuning 過(guò)程。
      更新時(shí)間:2024-11-21
      CLK測(cè)試 DQS測(cè)試 EMMC4 上電時(shí)序測(cè)試 電源紋波測(cè)試
      相關(guān)產(chǎn)品:clk測(cè)試 , dqs測(cè)試 , emmc4 , 上電時(shí)序測(cè)試 , 電源紋波測(cè)試
      更新時(shí)間:2024-11-21
      電源紋波測(cè)試 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 EMMC4 復(fù)位測(cè)試 CLK測(cè)試 DQS測(cè)試
      電源紋波測(cè)試 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 emmc4 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試
      更新時(shí)間:2024-11-21
      控制信號(hào)測(cè)試 控制信號(hào)過(guò)沖測(cè)試 控制信號(hào)高低電平測(cè)試 EMMC 復(fù)位測(cè)試
      數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 emmc5 上電時(shí)序測(cè)試start bit 與 command 樣,固定為 "0",在沒(méi)有數(shù)據(jù)傳輸?shù)那闆r下,cmd 信號(hào)保持高電平,當(dāng) emmcdevice 將 start bit 發(fā)送到總線(xiàn)上時(shí),host 可以很方便檢測(cè)到該信號(hào),并開(kāi)始接收 response。
      更新時(shí)間:2024-11-21
      數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 Emmc5 上電時(shí)序測(cè)試
      數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 emmc5 上電時(shí)序測(cè)試start bit 與 command 樣,固定為 "0",在沒(méi)有數(shù)據(jù)傳輸?shù)那闆r下,cmd 信號(hào)保持高電平,當(dāng) emmcdevice 將 start bit 發(fā)送到總線(xiàn)上時(shí),host 可以很方便檢測(cè)到該信號(hào),并開(kāi)始接收 response。
      更新時(shí)間:2024-11-21
      CLK測(cè)試 DQS測(cè)試  EMMC4 上電時(shí)序測(cè)試,眼圖測(cè)試
      clk測(cè)試 dqs測(cè)試 emmc4 上電時(shí)序測(cè)試,眼圖測(cè)試crc 為 data 的 16 bit crc 校驗(yàn)值,不包含 start bit。各個(gè) data line 上的 crc 為對(duì)應(yīng) data line 的 data 的 16 bit crc 校驗(yàn)值。
      更新時(shí)間:2024-11-21
      數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 EMMC4 復(fù)位測(cè)試 CLK測(cè)試 DQS測(cè)試
      數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 emmc4 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試在 ddr 模式下,data line 在時(shí)鐘的上升沿和下降沿都會(huì)傳輸數(shù)據(jù),其中上升沿傳輸數(shù)據(jù)的奇數(shù)字節(jié) (byte 1,3,5...),下降沿則傳輸數(shù)據(jù)的偶數(shù)字節(jié)(byte 2,4,6 ...)。
      更新時(shí)間:2024-11-21
      復(fù)位測(cè)試 CLK測(cè)試 DQS測(cè)試 EMMC4 上電時(shí)序測(cè)試
      復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試 emmc4 上電時(shí)序測(cè)試當(dāng) emmc device 處于 sdr 模式時(shí),host 可以發(fā)送 cmd19 命令,觸發(fā)總線(xiàn)測(cè)試過(guò)程(bus testing procedure),測(cè)試總線(xiàn)硬件上的連通性。
      更新時(shí)間:2024-11-21
      PCIE2.0 3.0 驗(yàn)證 調(diào)試和一致性測(cè)試解決方案
      遇到的問(wèn)題pcie link不穩(wěn)定配置空間讀寫(xiě)正常,memory mapping空間讀寫(xiě)異常
      更新時(shí)間:2024-11-21
      PCIE2.0 3.0 物理層一致性測(cè)試
      cie2.0 3.0 物理層致性測(cè)試pcie總線(xiàn)與pci總線(xiàn)不同,pcie總線(xiàn)使用端到端的連接方式,在條pcie鏈路的兩端只能各連接個(gè)設(shè)備,這兩個(gè)設(shè)備互為是數(shù)據(jù)發(fā)送端和數(shù)據(jù)接收端。pcie鏈路可以由多條lane組成,目pcie鏈路×1、×2、×4、×8、×16和×32寬度的pcie鏈路,還有幾乎不使用的×12鏈路。
      更新時(shí)間:2024-11-21
      PCIE2.0 3.0 TX 發(fā)送 物理層一致性測(cè)試
      pcie總線(xiàn)的層次組成結(jié)構(gòu)與網(wǎng)絡(luò)中的層次結(jié)構(gòu)有類(lèi)似之處,但是pcie總線(xiàn)的各個(gè)層次都是使用硬件邏輯實(shí)現(xiàn)的。在pcie體系結(jié)構(gòu)中,數(shù)據(jù)報(bào)文先在設(shè)備的核心層(device core)中產(chǎn)生,然后再經(jīng)過(guò)該設(shè)備的事務(wù)層(transactionlayer)、數(shù)據(jù)鏈路層(data link layer)和物理層(physical layer),終發(fā)送出去。
      更新時(shí)間:2024-11-21
      PCIE2.0 3.0 RX 接收 物理層一致性測(cè)試
      pcie2.0 3.0 rx 接收 物理層致性測(cè)試當(dāng)pcie設(shè)備進(jìn)入休眠狀態(tài),主電源已經(jīng)停止供電時(shí),pcie設(shè)備使用該信號(hào)向處理器系統(tǒng)提交喚醒請(qǐng)求,使處理器系統(tǒng)重新為該pcie設(shè)備提供主電源vcc。
      更新時(shí)間:2024-11-21
      PCIE Gen2/Gen3/Gen4 發(fā)送端 信號(hào)質(zhì)量一致性測(cè)試
      pcie 初始化完成后會(huì)進(jìn)入l0狀態(tài)。異常狀態(tài)見(jiàn)pcie link 異常log。物理層link 不穩(wěn)定,懷疑以下原因:- 高速串行信號(hào)質(zhì)量問(wèn)題- serdes電源問(wèn)題- 時(shí)鐘問(wèn)題
      更新時(shí)間:2024-11-21
      pcie2.0x4 眼圖測(cè)試 物理層一致性測(cè)試
      pcie2.0x4 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試集成電路的發(fā)明是人類(lèi)歷史上的大創(chuàng)舉,它大地推動(dòng)了人類(lèi)的現(xiàn)代文明進(jìn)程,在天無(wú)時(shí)無(wú)刻不在影響著我們的生活。進(jìn)入 21 世紀(jì)以來(lái),集成電路的發(fā)展則更是狂飆猛進(jìn)。天的大規(guī)模集成電路生產(chǎn)和制造工藝已經(jīng)達(dá)到 10 nm 量產(chǎn)水平,更高的集成度意味著同等體積下提供了更高的性能,當(dāng)然對(duì)業(yè)內(nèi)從業(yè)者來(lái)說(shuō)遇到的挑戰(zhàn)和問(wèn)題也就越來(lái)越嚴(yán)峻。
      更新時(shí)間:2024-11-21
      pcie2.0x8 眼圖測(cè)試 物理層一致性測(cè)試
      pcie2.0x8 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試在個(gè)處理器系統(tǒng)中,般提供×16的pcie插槽,并使用petp0~15、petn0~15和perp0~15、pern0~15共64根信號(hào)線(xiàn)組成32對(duì)差分信號(hào),其中16對(duì)petxx信號(hào)用于發(fā)送鏈路,另外16對(duì)perxx信號(hào)用于接收鏈路。除此之外pcie總線(xiàn)還使用了下列輔助信號(hào)。
      更新時(shí)間:2024-11-21
      Pcie1.0x4 眼圖測(cè)試 物理層一致性測(cè)試
      pcie1.0x4 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試日益降低的信號(hào)幅度必將帶來(lái)信噪比(snr)的挑戰(zhàn),也即隨著信號(hào)幅度越來(lái)越低,對(duì)整個(gè) 電路系統(tǒng)的噪聲要求也越來(lái)越嚴(yán)格。尤其是在近 3 年來(lái)越來(lái)越熱的pam 調(diào)制,比如廣泛用于 200g/400g 傳輸?shù)?pam-4 技術(shù),由于采用 4 電平調(diào)制,其對(duì)信噪比的要求比采用nrz 編碼的信噪比要高 9db.
      更新時(shí)間:2024-11-21
      Pcie1.0x8 眼圖測(cè)試 物理層一致性測(cè)試
      pcie1.0x8 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試ci總線(xiàn)定義了兩類(lèi)配置請(qǐng)求,個(gè)是type00h配置請(qǐng)求,另個(gè)是type 01h配置請(qǐng)求。
      更新時(shí)間:2024-11-21
      Pcie1.0x16 眼圖測(cè)試 物理層一致性測(cè)試
      pcie1.0x16 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試電子產(chǎn)品發(fā)展到當(dāng)?shù)臅r(shí)代,工程界已經(jīng)積累了很多實(shí)踐經(jīng)驗(yàn),再搭上互聯(lián)網(wǎng)大力 發(fā)展的快車(chē),每位工程師都可以很輕松地從其他人的工程經(jīng)驗(yàn)分享中獲得很多有價(jià)值和 有助于自己設(shè)計(jì)的經(jīng)驗(yàn),但是經(jīng)驗(yàn)并不是金科玉律,也不是都適合工程師特殊的設(shè)計(jì)需求。
      更新時(shí)間:2024-11-21
      Pcie3.0x4 眼圖測(cè)試 物理層一致性測(cè)試
      pcie3.0x4 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試下面是個(gè) ddr3 設(shè)計(jì)的實(shí)際案例。按照傳統(tǒng)的方式進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí),工程師會(huì)按照主芯片給的設(shè)計(jì)規(guī)范進(jìn)行設(shè)計(jì)。結(jié)合項(xiàng)目工程的需要,其 ddr3 的采用的是 t 型的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu), ecc 放置在如下圖 5 圓圈中所示位置。在生產(chǎn)完成后的調(diào)試過(guò)程中,發(fā)現(xiàn) ddr3 的信號(hào)出現(xiàn)非單調(diào)性。
      更新時(shí)間:2024-11-21
      Pcie3.0x8 眼圖測(cè)試 物理層一致性測(cè)試
      pcie3.0x8 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試deviceid和vendor id寄存器這兩個(gè)寄存器的值由pcisig分配,只讀。其中vendor id代表pci設(shè)備的生產(chǎn)廠(chǎng)商,而device id代表這個(gè)廠(chǎng)商所生產(chǎn)的具體設(shè)備。如xilinx公司的k7,其vendor id為0x10ee,而device id為0x7028。
      更新時(shí)間:2024-11-21
      Pcie3.0x16 眼圖測(cè)試 物理層一致性測(cè)試
      pcie3.0x16 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試獲得的信號(hào)波形沒(méi)有出現(xiàn)非單調(diào)的情況。按照以上設(shè)計(jì)改板后的測(cè)試結(jié)果與仿真 致。 如果不進(jìn)行仿真,那么只能在產(chǎn)品設(shè)計(jì)完成之后進(jìn)行測(cè)試才能發(fā)現(xiàn)問(wèn)題,如果要改善, 只能再改板調(diào)整,還可能出現(xiàn)改板很多次的情況,這樣就會(huì)延遲產(chǎn)品上市時(shí)間并增加物料成本。
      更新時(shí)間:2024-11-21
      梅特勒電極(有問(wèn)題,產(chǎn)品上留有碎渣)
      梅特勒電極ha405-dpa-sc-s8/120(有問(wèn)題,產(chǎn)品上留有碎渣) 硬件開(kāi)放實(shí)驗(yàn)室 開(kāi)放實(shí)驗(yàn)室 儀器租賃
      更新時(shí)間:2024-11-21
      EMMC 上電時(shí)序測(cè)試 電源紋波測(cè)試
      emmc 上電時(shí)序測(cè)試 電源紋波測(cè)試emmc 芯片下方在敷銅時(shí),焊盤(pán)部分要增加敷銅禁布框,避免銅皮分布不均影響散熱,導(dǎo)致貼片虛焊。
      更新時(shí)間:2024-11-21
      EMMC 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試
      emmc 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試電源紋波測(cè)試過(guò)大的問(wèn)題通常和使用的探頭以及端的連接方式有關(guān)。先檢查了用戶(hù)探頭的連接方式,發(fā)現(xiàn)其使用的是如下面左圖所示的長(zhǎng)的鱷魚(yú)夾地線(xiàn),而且接地點(diǎn)夾在了單板的固定螺釘上,整個(gè)地環(huán)路比較大。由于大的地環(huán)路會(huì)引入更多的開(kāi)關(guān)電源造成的空間電磁輻射噪聲以及地環(huán)路噪聲,于是更換成如下面右圖所示的短的接地彈簧針。
      更新時(shí)間:2024-11-21
      EMMC 控制信號(hào)測(cè)試 控制信號(hào)過(guò)沖測(cè)試 控制信號(hào)高低電平測(cè)試
      emmc 控制信號(hào)測(cè)試 控制信號(hào)過(guò)沖測(cè)試 控制信號(hào)高低電平測(cè)試
      更新時(shí)間:2024-11-21
      EMMC 復(fù)位測(cè)試 CLK測(cè)試 DQS測(cè)試
      emmc 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試這是個(gè)典型的電源紋波測(cè)試的問(wèn)題。我們通過(guò)使用短的地線(xiàn)連接、換用低衰減比的探頭以及帶寬限制功能使得紋波噪聲的測(cè)試結(jié)果大大改善。
      更新時(shí)間:2024-11-21
      EMMC4 上電時(shí)序測(cè)試 電源紋波測(cè)試 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試
      emmc4 上電時(shí)序測(cè)試 電源紋波測(cè)試 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試實(shí)際上就是把電纜的頭接在示波器上,示波器設(shè)置為50歐姆輸入阻抗;電纜的另頭剝開(kāi),屏蔽層焊接在被測(cè)電路地上,中心導(dǎo)體通過(guò)個(gè)隔直電容連接被測(cè)的電源信號(hào)。這種方法的優(yōu)點(diǎn)是低成本,低衰減比,缺點(diǎn)是致性不好,隔直電容參數(shù)及帶寬不好控制。
      更新時(shí)間:2024-11-21
      Emmc5 上電時(shí)序測(cè)試 電源紋波測(cè)試 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試
      相關(guān)產(chǎn)品:emmc5 , 上電時(shí)序測(cè)試 , 電源紋波測(cè)試 , 時(shí)鐘測(cè)試 , 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試通俗的來(lái)說(shuō),emmc=nand閃存+閃存控制芯片+標(biāo)準(zhǔn)接口封裝。
      更新時(shí)間:2024-11-21
      EMMC4 復(fù)位測(cè)試 CLK測(cè)試 DQS測(cè)試
      emmc4 , 復(fù)位測(cè)試 , clk測(cè)試 , dqs測(cè)試emmc則在其內(nèi)部集成了 flash controller,包括了協(xié)議、擦寫(xiě)均衡、壞塊管理、ecc校驗(yàn)、電源管理、時(shí)鐘管理、數(shù)據(jù)存取等功能。
      更新時(shí)間:2024-11-21
      EMMC5 復(fù)位測(cè)試 CLK測(cè)試 DQS測(cè)試
      emmc5 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試包括card interface(cmd,data,clk)、memory core interface、總線(xiàn)接口控制(card interface controller)、電源控制、寄存器組。
      更新時(shí)間:2024-11-21
      EMMC5 復(fù)位測(cè)試 CLK測(cè)試
      emmc5 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試mmc通過(guò)發(fā)cmd的方式來(lái)實(shí)現(xiàn)卡的初始化和數(shù)據(jù)訪(fǎng)問(wèn)。device identification mode包括3個(gè)階段idle state、ready state、identification state。
      更新時(shí)間:2024-11-21
      ETS-LINDGREN近場(chǎng)探頭,硬件測(cè)試,開(kāi)放實(shí)驗(yàn)室,DDR測(cè)試,時(shí)序測(cè)試,紋波測(cè)試,抖動(dòng)測(cè)試
      misenbo 硬件開(kāi)放實(shí)驗(yàn)室 開(kāi)放實(shí)驗(yàn)室 硬件實(shí)驗(yàn)室 ets-lindgren 7405近場(chǎng)探頭 儀器資訊
      更新時(shí)間:2024-11-21
      Nemtest dito靜電放電模擬器,硬件測(cè)試,開(kāi)放實(shí)驗(yàn)室,DDR測(cè)試,時(shí)序測(cè)試,紋波測(cè)試,抖動(dòng)測(cè)試
      misenbo 硬件開(kāi)放實(shí)驗(yàn)室 開(kāi)放實(shí)驗(yàn)室 硬件實(shí)驗(yàn)室 nemtest dito 靜電放電模擬器 儀器資訊
      更新時(shí)間:2024-11-21
      T-280S--TRACKING 體能測(cè)試設(shè)備 鴻泰盛 交互式
      動(dòng)態(tài)體能評(píng)估系統(tǒng)t280s是一款集動(dòng)態(tài)體能評(píng)估、體適能評(píng)估、運(yùn)動(dòng)數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)、運(yùn)動(dòng)健康分析、智能訓(xùn)練指導(dǎo)為一體的評(píng)估系統(tǒng)。系統(tǒng)通過(guò)穿戴式傳感器進(jìn)行動(dòng)作數(shù)據(jù)采集,對(duì)8個(gè)或以上特定動(dòng)作的動(dòng)態(tài)測(cè)試,采集身體運(yùn)動(dòng)參數(shù),遠(yuǎn)程無(wú)線(xiàn)數(shù)據(jù)傳輸,與交互平臺(tái)配合分析人體的重心運(yùn)動(dòng)軌跡及人體的運(yùn)動(dòng)姿態(tài),自動(dòng)進(jìn)行分析并生成測(cè)試報(bào)告和出具訓(xùn)練建議。
      更新時(shí)間:2024-11-20
      腳型測(cè)量?jī)x 足部檢測(cè) 鴻泰盛 快速定制鞋墊
      腳型測(cè)量?jī)x 足部檢測(cè) 鴻泰盛 快速定制鞋墊 同時(shí)具備足底壓力分析、體態(tài)評(píng)估和足墊定制三大功能。系統(tǒng)采用的是的高精度足底壓力分析技術(shù),對(duì)用戶(hù)的足弓、足態(tài)進(jìn)行分析與評(píng)估,根據(jù)分析數(shù)據(jù),了解用戶(hù)的足部現(xiàn)狀,并作出針對(duì)性足墊解決方案。與此同時(shí),系統(tǒng)采用的加熱定型技術(shù),該技術(shù)在足墊定制過(guò)程中操作簡(jiǎn)單,效率很高,現(xiàn)場(chǎng)8分鐘即可獲得一雙貼合用戶(hù)足弓足型的定制足墊,用戶(hù)可以現(xiàn)場(chǎng)直接穿戴。
      更新時(shí)間:2024-11-20
      體態(tài)評(píng)估儀 脊柱功能檢測(cè)儀器 鴻泰盛 foncti-630
      foncti-630體態(tài)評(píng)估系統(tǒng),是一款集合3d體態(tài)檢測(cè),步態(tài)檢測(cè)于一體的智能體測(cè)系統(tǒng)。系統(tǒng)采用沿的遠(yuǎn)紅外與結(jié)構(gòu)光技術(shù),模擬人體骨骼位置結(jié)構(gòu),分析肌肉功能狀態(tài),診斷動(dòng)態(tài)步態(tài)異常,預(yù)測(cè)各項(xiàng)健康風(fēng)險(xiǎn),給予客戶(hù)健康評(píng)分并為客戶(hù)定制完整運(yùn)動(dòng)方案。
      更新時(shí)間:2024-11-20
      兒童人體成分分析儀 CareBo-810 折疊機(jī)身
      carebo-810采用國(guó)際先進(jìn)的多頻率生物電阻抗技術(shù)進(jìn)行人體成分準(zhǔn)確分析,監(jiān)測(cè)體脂和肌肉的變化及分析人體成分變化,回歸數(shù)據(jù)本身,呈現(xiàn)身體的真實(shí)數(shù)據(jù),通過(guò)獨(dú)有的準(zhǔn)確測(cè)量技術(shù)和wifi通信模塊等,向用戶(hù)提供更多豐富的服務(wù)項(xiàng)目。
      更新時(shí)間:2024-11-20
      足底壓力測(cè)試系統(tǒng) 便捷式 AFA-50足底壓力測(cè)量?jī)x
      足底壓力測(cè)試儀采用48hv矩陣傳感器(傳感器數(shù)量2304個(gè)),以生物力學(xué)為基礎(chǔ),準(zhǔn)確采集足底壓力分布數(shù)據(jù),能夠根據(jù)性別、年齡、身高進(jìn)行5個(gè)等的評(píng)估,對(duì)足部壓力,足部畸形問(wèn)題進(jìn)行有效分析,提供針對(duì)性解決方案。
      更新時(shí)間:2024-11-20
      鞋墊機(jī)器 足型檢測(cè)儀 鞋墊定制3D設(shè)備 C1
      鞋墊機(jī)器 足型檢測(cè)儀 鞋墊定制3d設(shè)備 c1同時(shí)具備足底壓力分析、體態(tài)評(píng)估和足墊定制三大功能。系統(tǒng)采用的是國(guó)際先進(jìn)的高精度足底壓力分析技術(shù),對(duì)用戶(hù)的足弓、足態(tài)進(jìn)行分析與評(píng)估,根據(jù)分析數(shù)據(jù),了解用戶(hù)的足部現(xiàn)狀,并作出針對(duì)性足墊解決方案。
      更新時(shí)間:2024-11-20
      鞋墊機(jī)器 足型檢測(cè)儀 鞋墊定制3D設(shè)備 鴻泰盛 S1
      鞋墊機(jī)器 足型檢測(cè)儀 鞋墊定制3d設(shè)備 鴻泰盛 s1同時(shí)具備足底壓力分析、體態(tài)評(píng)估和足墊定制三大功能。系統(tǒng)采用的是國(guó)際先進(jìn)的高精度足底壓力分析技術(shù),對(duì)用戶(hù)的足弓、足態(tài)進(jìn)行分析與評(píng)估,根據(jù)分析數(shù)據(jù),了解用戶(hù)的足部現(xiàn)狀,并作出針對(duì)性足墊解決方案。
      更新時(shí)間:2024-11-20
      足底壓力測(cè)試板 三維步態(tài)分析儀 足壓檢測(cè) 鴻泰盛 AFA-50
      足底壓力測(cè)試板 三維步態(tài)分析儀 足壓檢測(cè) 鴻泰盛 afa-50采用48hv矩陣傳感器(傳感器數(shù)量2304個(gè)),以生物力學(xué)為基礎(chǔ),準(zhǔn)確采集足底壓力分布數(shù)據(jù),能夠根據(jù)性別、年齡、身高進(jìn)行5個(gè)等的評(píng)估,對(duì)足部壓力,足部畸形問(wèn)題進(jìn)行有效分析,提供針對(duì)性解決方案。
      更新時(shí)間:2024-11-20
      骨密度測(cè)定儀 兒童超聲骨密度儀 骨密度檢測(cè)儀 OsteoPro Smart
      超聲技術(shù)準(zhǔn)確可靠,準(zhǔn)確判斷骨質(zhì)疏松癥;提供多方位骨質(zhì)信息,更有效評(píng)估骨折風(fēng)險(xiǎn);采用who《衛(wèi)生組織》的骨質(zhì)疏松癥判斷標(biāo)準(zhǔn);技術(shù)計(jì)算的骨質(zhì)疏松指數(shù),一目了然地進(jìn)行判斷:
      更新時(shí)間:2024-11-20
      動(dòng)脈硬化測(cè)量?jī)x 脈搏波速測(cè)定儀 脈搏波速檢測(cè)儀
      具有斷電自動(dòng)放氣、過(guò)壓自動(dòng)放氣等保護(hù)功能;根據(jù)以病理學(xué)的數(shù)據(jù)庫(kù)進(jìn)行定量分析,包括各主要血管疾病的風(fēng)險(xiǎn)因子和動(dòng)脈年齡估算,并有與同年齡組參考值比較的圖示;根據(jù)佛萊明漢風(fēng)險(xiǎn)分析來(lái)提供未來(lái)10年冠狀動(dòng)脈硬化心臟病發(fā)病的機(jī)率。
      更新時(shí)間:2024-11-20
      身體成分分析儀器 體測(cè)儀 人體成分檢測(cè)儀 鴻泰盛
      carebo-810采用國(guó)際先進(jìn)的多頻率生物電阻抗技術(shù)進(jìn)行人體成分準(zhǔn)確分析,監(jiān)測(cè)體脂和肌肉的變化及分析人體成分變化,回歸數(shù)據(jù)本身,呈現(xiàn)身體的真實(shí)數(shù)據(jù),通過(guò)獨(dú)有的準(zhǔn)確測(cè)量技術(shù)和wifi通信模塊等,向用戶(hù)提供更多豐富的服務(wù)項(xiàng)目。
      更新時(shí)間:2024-11-20
      三維步態(tài)分析儀 足底壓力測(cè)試板 步態(tài)分析儀 鴻泰盛
      足底壓力測(cè)試儀采用48hv矩陣傳感器(傳感器數(shù)量2304個(gè)),以生物力學(xué)為基礎(chǔ),準(zhǔn)確采集足底壓力分布數(shù)據(jù),能夠根據(jù)性別、年齡、身高進(jìn)行5個(gè)等的評(píng)估,對(duì)足部壓力,足部畸形問(wèn)題進(jìn)行有效分析,提供針對(duì)性解決方案。
      更新時(shí)間:2024-11-20
      穿戴式步態(tài)分析儀 足部壓力檢測(cè)儀 鴻泰盛便捷式
      足底壓力測(cè)試儀采用48hv矩陣傳感器(傳感器數(shù)量2304個(gè)),以生物力學(xué)為基礎(chǔ),準(zhǔn)確采集足底壓力分布數(shù)據(jù),能夠根據(jù)性別、年齡、身高進(jìn)行5個(gè)等的評(píng)估,對(duì)足部壓力,足部畸形問(wèn)題進(jìn)行有效分析,提供針對(duì)性解決方案。
      更新時(shí)間:2024-11-20

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